发光二极管模块制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管模块，包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；引脚框架单元，设置于光源单元的背面，包含分别连接于第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；基板，设置于光源单元及引脚框架单元的侧面，并与第一引脚端子和第二引脚端子电连接，其中，第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层，引脚框架单元包括第一绝缘基板及第二绝缘基板，上部导电层设置于光源单元与第一绝缘基板之间，中间导电层设置于第一绝缘基板与第二绝缘基板之间，下部导电层设置于第二绝缘基板上，并设置于设置有中间导电层的面的相反面。

LED module

【技术实现步骤摘要】
发光二极管模块本申请是申请日为2018年9月19日、申请号为201880006297.9、题为“发光二极管、发光二极管模块以及具有其的显示装置”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管模块。
技术介绍
通常，发光二极管可以大致分为顶部型发光二极管和侧面类型发光二极管。侧面类型发光二极管封装件广泛用作光入射到导光板的侧面的显示装置的背光用光源。近来，除了现有显示装置的背光用途之外，侧面类型发光二极管封装件用途和应用范围变得更广。近来，随着显示装置的厚度减小，侧面类型发光二极管封装件的厚度也具有减小的趋势。但是，随着现有的侧面类型发光二极管封装件的厚度减小，发光二极管芯片与反射器之间的空间变小，并因此要求针对温度上升的散热设计。
技术实现思路
技术问题本申请的目的在于提供一种改善散热结构的发光二极管、发光二极管模块以及包括其的显示装置。技术方案根据本申请的实施例的一种发光二极管包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；以及引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。在一实施例中，所述引脚框架单元包括第一绝缘基板及第二绝缘基板，所述上部导电层设置于所述光源单元与所述第一绝缘基板之间，所述中间导电层设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间，所述下部导电层设置于所述第二绝缘基板上，并设置于设置有所述中间导电层的面的相反面。在一实施例中，所述引脚框架单元还包括与所述第一引脚端子及第二引脚端子绝缘的虚设端子。在一实施例中，当从平面上观察时，所述虚设端子设置于所述第一引脚端子与所述第二引脚端子之间。在一实施例中，所述虚设端子包括：中间虚设层，设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间；以及下部虚设层，设置于所述第二绝缘基板，并设置于设置有所述中间虚设层的面的相反面。在一实施例中，所述中间虚设层与所述中间导电层彼此电绝缘，所述下部虚设层与所述下部导电层彼此电绝缘。在一实施例中，所述第二绝缘基板具有通过去除所述第二绝缘基板的一部分而形成的虚设焊料孔，所述中间虚设层与所述下部虚设层通过设置于所述虚设焊料孔的焊膏电连接。在一实施例中，所述第一绝缘基板及第二绝缘基板分别具有通过去除所述第一绝缘基板及第二绝缘基板的一部分而形成的至少一个通孔，所述上部导电层与所述中间导电层通过设置于所述通孔的接触部电连接。在一实施例中，所述第二绝缘基板具有使所述中间导电层的背面暴露的至少一个焊料孔。在一实施例中，所述下部导电层具有与所述焊料孔相同的开口部。在一实施例中，还包括：焊膏，设置于所述焊料孔。在一实施例中，所述发光部、所述第一电极垫及所述第二电极垫构成发光二极管芯片，所述发光二极管芯片布置于所述引脚框架单元上。在一实施例中，所述发光二极管芯片为倒装型。在一实施例中，还包括：波长转换部，覆盖所述发光二极管芯片，并将从所述发光二极管芯片射出的光的至少一部分进行转换。在一实施例中，所述波长转换部包括荧光体。在一实施例中，还包括：透明部，覆盖所述波长转换部。在一实施例中，还包括：壳体，当从平面上观察时，包围所述发光二极管芯片、所述波长转换部及所述透明部的外围。在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体的一部分与所述波长转换部重叠。在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体与所述波长转换部隔开。在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体与所述波长转换部接触。在一实施例中，所述上部导电层包括：第一上部导电层，电连接于所述第一引脚端子；以及第二上部导电层，连接于所述第二引脚端子，所述第一上部导电层及第二上部导电层中的至少一个暴露于外部。在一实施例中，所述中间导电层包括：第一中间导电层，电连接于所述第一引脚端子；以及第二中间导电层，连接于所述第二引脚端子，所述第一中间导电层及第二中间导电层中的至少一个暴露于外部。根据本申请的实施例的一种发光二极管模块包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。根据本申请的实施例的一种显示装置包括：液晶面板；导光板，设置于所述液晶面板的一侧，具有使光入射的第一面和使所述光射出并与所述液晶面板相对的第二面；以及发光二极管模块，向所述导光板的所述第一面提供所述光，其中，所述发光二极管模块包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。有益效果根据本申请的实施例的发光二极管具有改善的散热效果。附图说明图1是简略示出根据本申请的实施例的发光二极管的立体图。图2a至图2e是较为更详细地示出图1的引脚框架单元的图。图3a至图3f是用于对图1的光源单元进行较为更详细说明的图。图4a至图4d是用于对光源单元的发光二极管芯片进行较为更详细说明的图。图5a至图5d是示出使用图1的发光二极管形成的发光二极管模块的图。图6a至图6d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。图7a及图7b是示出使用图6a至图6d的发光二极管形成的发光二极管模块的图。图8a至图8d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。图9a及图9b分别是示出根据本申请的另一实施例的第二导电层及第三导电层的平面图的图。图10a至图10d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。图11a至图11d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。图12a至图12b是示出使用图11a至图11d的发光二极管形成的发光二极管模块的图。图13a至图13d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。图14是示出设置有本申请的发光二极管模块的显示装置的一例的剖面图。具体实施方式本专利技术可以进行多样的变更，并且可以具有多种形态，将特定实施例示出于附图中并在本文中进行详细说明。然而，这并非欲将本专利技术限定于特定的公开形态，应该理解为包括本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管模块，包括：/n光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；/n引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及/n基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，/n其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层，/n所述引脚框架单元包括第一绝缘基板及第二绝缘基板，/n所述上部导电层设置于所述光源单元与所述第一绝缘基板之间，/n所述中间导电层设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间，/n所述下部导电层设置于所述第二绝缘基板上，并设置于设置有所述中间导电层的面的相反面。/n

【技术特征摘要】
20170929 KR 10-2017-01273811.一种发光二极管模块，包括：
光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；
引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及
基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，
其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层，
所述引脚框架单元包括第一绝缘基板及第二绝缘基板，
所述上部导电层设置于所述光源单元与所述第一绝缘基板之间，
所述中间导电层设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间，
所述下部导电层设置于所述第二绝缘基板上，并设置于设置有所述中间导电层的面的相反面。


2.根据权利要求1所述的发光二极管模块，其中，
所述引脚框架单元还包括与所述第一引脚端子及第二引脚端子绝缘的虚设端子。


3.根据权利要求2所述的发光二极管模块，其中，
当从平面上观察时，所述虚设端子设置于所述第一引脚端子与所述第二引脚端子之间。


4.根据权利要求3所述的发光二极管模块，其中，
所述虚设端子包括：
中间虚设层，设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间；以及
下部虚设层，设置于所述第二绝缘基板，并设...

【专利技术属性】
技术研发人员：房世珉，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR