黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法技术

黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法，该方法包括①根据水汽存在位置针对性地去除水汽，清洗后的管壳放入远红外烘干炉进行表面烘干；②在装结工序前进行矩阵排放至铝合金衬底托架或者不锈钢放盘中，放入真空烧焊设备反复抽真空、通氮气，然后进行预升温预热、预保温，再升温至除气温度、再保温、降温的工艺。③将半成品以矩阵排放方式放入真空烘箱烘烤；④在完成键合后将产品放入真空烘箱再次烘烤。本发明专利技术工艺简单、定位准确、有效的缩短烘烤时间，减小应力积累，创造性地将物理方法和材料特性进行耦合，通过真空压力差和材料结构软化有效去除常用工艺无法去除的材料内部包裹性水汽。该方法适用于各类黑陶瓷低熔玻璃外壳封装的器件。

Control method of moisture content in black ceramic low melting glass integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法
本专利技术涉及制造半导体器件，具体来说，涉及黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法。技术背景一般黑陶瓷低熔玻璃外壳气密性封装集成电路由管基、盖板、芯片、芯片粘接材料、键合引线等部件组成。其中管基、盖板主要组成材料为Al2O3、铁镍合金（可伐合金）、低熔玻璃，芯片主要组成材料为Si，芯片粘接材料主要组成材料为Ag和环氧类基体，键合引线主要组成材料为Al。其中Pb系低熔玻璃印刷至管基上表面和盖板下表面，在气密性封装时盖板对位放置于管基上通过连续线性高温使管基与盖板上的低熔玻璃通过高温固相反应，形成无序结构的玻璃均质体形成具备气密性（漏气率：≤5×10-9Pa·m3/s）的结构。气密性封装产品内部水汽存在的原因主要有：封装时水汽从封装环境中进入、芯片粘接材料和外壳表面吸附的水汽后期释放、芯片粘接材料和低温玻璃内部包裹水汽后期释放。封装环境引入的水汽易通过控制环境而避免，由于外壳生产工艺导致管基、盖板表面存在一定的粗糙，粗糙部位易形成空隙结构产生较强的吸附力吸附水汽附着于表面和空隙中。而在集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法，其特征包括以下步骤：/n第一步，根据水汽存在位置针对性地去除水汽，首先在清洗完成后的管壳放入远红外烘干炉进行表面烘干；/n第二步，在装结工序前进行矩阵排放至铝合金衬底托架或者不锈钢放盘中，放入真空烧焊设备反复抽真空、通氮气，然后进行预升温预热、预保温，再升温至除气温度、再保温、降温的工艺。/n

【技术特征摘要】
1.黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法，其特征包括以下步骤：
第一步，根据水汽存在位置针对性地去除水汽，首先在清洗完成后的管壳放入远红外烘干炉进行表面烘干；
第二步，在装结工序前进行矩阵排放至铝合金衬底托架或者不锈钢放盘中，放入真空烧焊设备反复抽真空、通氮气，然后进行预升温预热、预保温，再升温至除气温度、再保温、降温的工艺。


2.第三步，前述步骤完成后将半成品以矩阵排放方式放入真空烘箱烘烤；
第四步，在完成键合后将产品放入真空烘箱再次烘烤，目的是去除组装流程中环境对产品造成的表面吸湿存在的水汽。


3.如权利要求1所述的水汽含量控制方法，其特征在于第一步中，所述烘干温度为85℃、烘干时间为2h。


4.如权利要求1所述的水汽含量控制方法，其特征在于第二步中，所述抽真空、通氮气的工艺条件为3次循环抽充，真空度控制在10Pa、氮气纯度为99.999%，目的是保证工作腔体内部气氛的纯净和低水汽；所述预热即预升温，工艺条件是升温速率30-50℃/min，升温温度为150℃，通氮气的纯度为99.999%目的是进一步净化气氛，剥离表面吸附水汽；所述预保温的工艺条件是：温度150℃，保温时间10min，真空度10Pa，目的是使整个腔体温度均衡，减小区域温差，同时通...

【专利技术属性】
技术研发人员：商登辉，房迪，张超超，蔡景洋，聂平健，周东，周恒，田东，李阳，李洪秀，刘思奇，刘金丽，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52