【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及其制备装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及应用该半导体制备方法的的半导体制备装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体结构的设计和制造已进入超深亚微米阶段，特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长，半导体结构为芯片为例，芯片具有多层基体，多层基体需要多个掩模板来制作，多层掩膜板对应多层图像，图像的尺寸接近甚至小于形成光刻图案的光线的波长，从而产生光学邻近效应。在这种情况下，掩模板上的图像将在转移时发生变形，由此实际得到的光刻图形与掩模图案之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了半导体结构的性能。为了尽量消除这种误差，通常会对图像进行校正，现有技术中往往不考虑多层图像之间的关系，分别对每一层进行校正，采用这类方法制备出半导体结构的工艺窗口较差。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构包括多个层叠的基体，至少有两个基体通过各自包括的连接部相互连接，其特征在于，所述制备方法包括：/n获取各所述基体的参考图像；/n选取任一具有所述连接部的所述基体的参考图像作为目标图像；/n根据所述目标图像确定至少一个比对图像，所述比对图像的基体与所述目标图像的基体相互连接；/n根据比对图像中至少一个连接部的图像对目标图像中与之对应连接部的图像进行校正得到标准图像。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构包括多个层叠的基体，至少有两个基体通过各自包括的连接部相互连接，其特征在于，所述制备方法包括：
获取各所述基体的参考图像；
选取任一具有所述连接部的所述基体的参考图像作为目标图像；
根据所述目标图像确定至少一个比对图像，所述比对图像的基体与所述目标图像的基体相互连接；
根据比对图像中至少一个连接部的图像对目标图像中与之对应连接部的图像进行校正得到标准图像。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
对所述参考图像进行光学邻近校正。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
根据多层所述标准图像形成所述半导体结构。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
根据多层所述标准图像形成多层所述基体，多层所述基体层叠设置形成所述半导体结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述根据所述目标图像确定至少一个比对图像，所述比对图像的基体与所述目标图像的基体相互连接包括：
根据所述目标图像确定全部比对图像，所述比对图像的基体与所述目标图像的基体相互连接。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述根据比对图像中至少一个连接部的图像对目标图像中与之对应连接部的图像进行校正得到标准图像...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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