一种硅片的切割工艺及其切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术的技术方案是这样实现的：一种硅片的切割工艺，包括如下步骤：通过控制中心，预设好切割形状尺寸，将激光切割机的切割头矫正校正切割头；将硅片在通过装夹机构装夹在光学实验平台上；装夹完成的半导体硅片，采用高清晰的CCD相机和摄像镜进行定位；定位完成以后，通过激光切割机构进行激光切割加工；切割完成之后，通过清理机构将切割完成后，残留在硅片上的废屑进行清理。通过采用上述切割工艺，切割完成的硅片的切割精度高，且硅片干净、便于取放。

A cutting technology of silicon wafer and its cutting device

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的切割工艺及其切割装置
本专利技术涉及激光切割
，尤其是一种硅片的切割工艺及其切割装置。
技术介绍
随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，半导体芯片的需求量也与日俱增，半导体硅片是集成、控制电路中常用的芯片；因此很多企业对半导体硅片的加工工艺也越来越精细；现阶段，已经有很多企业采用激光切割的方式对半导体硅片进行成型加工，本企业也长期采用激光切割的对硅片进行切削加工，经过长时间的使用和研究发现现阶段的激光切割工艺和装置还存在几个问题：第一，现阶段硅片通过装夹机构装夹在光学实验平台上，在装夹过程中，装夹机构需要对硅片进行多方位装夹，装夹效率较低；且压板在压紧硅片的过程中，会将硅片压损；第二，现阶段的激光切割装置在切割完成以后，硅片上会残留很多榨汁，并且会很烫，不方便清理和取料；现需要一种硅片晶圆激光切割工艺，以期可以解决上述技术问题。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种硅片的切割工艺及其切割装置。本专利技术的技术方案是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片的切割工艺，包括如下步骤：/nS1：通过控制中心，预设好切割形状尺寸，将激光切割机的切割头矫正校正切割头；/nS2：将硅片在通过装夹机构装夹在光学实验平台上；/nS3：装夹完成的半导体硅片，采用高清晰的CCD相机和摄像镜进行定位；/nS4：定位完成以后，通过激光切割机构进行激光切割加工；/nS5：切割完成之后，通过清理机构将切割完成后，残留在硅片上的废屑进行清理。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片的切割工艺，包括如下步骤：
S1：通过控制中心，预设好切割形状尺寸，将激光切割机的切割头矫正校正切割头；
S2：将硅片在通过装夹机构装夹在光学实验平台上；
S3：装夹完成的半导体硅片，采用高清晰的CCD相机和摄像镜进行定位；
S4：定位完成以后，通过激光切割机构进行激光切割加工；
S5：切割完成之后，通过清理机构将切割完成后，残留在硅片上的废屑进行清理。


2.一种硅片的切割装置，包括工作台、安装在工作台上的机架、安装在机架上的CNC控制面板以及激光切割装置，其特征在于：还包括定位装置以及通过具有x轴和y轴移动功能的进给机构安装在所述工作台上的装夹部件；所述定位装置和激光切割装置均通过输送连接件安装在机架上，所述定位装置和激光切割装置平行设置且其输出方向均朝向装夹部件；所述装夹部件包括支撑平台、伸缩筒、吸附机构、用于检测支撑平台水平度的水平检测机构以及用于调整支撑平台水平度的调整装置；所述支撑平台中部纵向通孔；各伸缩筒的一端与纵向通孔的边缘固定连接，伸缩筒的另一端安装在进给机构上且随进给机构在x轴和y轴上移动；所述吸附机构包括真空泵和吸盘；所述真空泵安装在工作台上且通过气管与吸盘相连接；所述吸盘安装在纵向通孔内。


3.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述水平检测机构包括安装在支撑平台底部的箱体和压力传感器；所述箱体内部的水平方向上开设有滚道，所述滚道内部设有滚珠，所述滚道的两端均与压力传感器相接触。


4.根据权利要求3所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述调整装置通过安装座安装在进给机构上，所述调整装置包括若干纵向通孔轴线方向均与设置的调整气缸；各调整气缸的输出端均竖直朝向支撑平台；且各调整气缸的输出端均安装有支撑块。


5.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述输送连接件包括运输架、滑轨以及滑动设置在滑轨上的两块滑块，所述运输架一端固定安装在机...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，张向东，章斌，顾凯峰，
申请(专利权)人：衢州晶哲电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33