模塑成型用脱模膜及模塑成型法制造技术

模塑成型用脱模膜及使用其的模塑成型法，其特征在于，所述模塑成型用脱模膜为模塑成型中使用的脱模膜，在基材膜上设置有由组合物(I)或组合物(II)形成的脱模层。组合物(I)：含有包含碳原子数为8以上的烷基的化合物(a)、及交联剂(b)的组合物。组合物(II)：含有包含碳原子数为8以上的烷基和烯键式不饱和基团的化合物(α)的组合物。能够廉价地提供在模塑成型中密封材料固化后的剥离性良好的模塑成型用脱模膜。

Release film for molding and molding method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模塑成型用脱模膜及模塑成型法
本专利技术涉及用于制造半导体器件、发光装置等的模塑成型中使用的脱模膜、及使用其的模塑成型法。
技术介绍
作为半导体器件、发光装置的制造方法，通常已知有压缩模塑成型法(例如，专利文献1～5)、传递模塑成型法(例如，专利文献6、7)。压缩模塑成型法为下述方式：将半导体元件、发光元件和密封材料配置于上侧模具与下侧模具之间并进行加热加压，由此用密封材料将半导体元件、发光元件被覆而密封。上述专利文献中记载了，为了防止密封材料(模塑树脂)附着于模具，在模具与密封材料之间配置脱模膜(剥离膜，releasefilm)。传递模塑成型法为下述方式：将处于流动状态的密封材料注入配置有半导体元件、发光元件的模具内部，然后使密封材料加热固化，从而将半导体元件、发光元件密封。上述专利文献中记载了，为了防止密封材料(模塑树脂)附着于模具，在模具与密封材料之间配置脱模膜(脱模片材)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-51107号公报专利文献2：日本特开2013-187311号公报专利文献3：日本特开2014-107375号公报专利文献4：日本特开2016-201573号公报专利文献5：日本特开2017-115056号公报专利文献6：日本特开2009-248420号公报专利文献7：国际公开第2012/077571号
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为模塑成型中使用的脱模膜，通常已知有氟树脂膜，但价格高昂。上述专利文献中也记载了氟树脂膜以外的其他脱模膜，但就所记载的其他脱模膜而言，密封材料固化后的模具/脱模膜与密封材料的剥离性不充分。特别是密封材料加热加压后的剥离性不充分。因此，本专利技术的课题在于提供在模塑成型中密封材料固化后剥离性良好并且廉价的模塑成型用脱模膜、及使用其的模塑成型法。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术采用以下的构成。[1]模塑成型用脱模膜，其特征在于，其为模塑成型中使用的脱模膜，在基材膜上设置有由组合物(I)或组合物(II)形成的脱模层。组合物(I)：含有包含碳原子数为8以上的烷基的化合物(a)、及交联剂(b)的组合物。组合物(II)：含有包含碳原子数为8以上的烷基和烯键式不饱和基团的化合物(α)的组合物。[2]如[1]所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的交联剂(b)为三聚氰胺系交联剂。[3]如[1]或[2]所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的化合物(a)为聚乙烯基树脂或醇酸树脂。[4]如[1]所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(II)还含有包含2个以上烯键式不饱和基团的化合物(β)。[5]如[1]～[4]中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，脱模层的表面自由能为20～35mJ/m2。[6]如[1]～[5]中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，脱模层表面的中心线平均粗糙度Ra为100nm以上。[7]如[1]～[6]中任一项所述的模塑成型用脱模膜，其中，基材膜于150℃沿长度方向(MD方向)及宽度方向(TD方向)伸长100％时的应力分别为60MPa以下。[8]模塑成型法，其为在模具内依次配置半导体元件或发光元件、密封材料及[1]～[7]中任一项所述的模塑成型用脱模膜、并将密封材料加热固化的模塑成型法，其中，以该脱模膜的脱模层与密封材料相对的方式对前述脱模膜进行配置。[9]压缩模塑成型法，其为在模具内依次配置半导体元件或发光元件、密封材料及[1]～[7]中任一项所述的模塑成型用脱模膜、并进行加热加压的压缩模塑成型法，其中，以该脱模膜的脱模层与密封材料相对的方式对前述脱模膜进行配置。专利技术的效果根据本专利技术涉及的模塑成型用脱模膜，能够廉价地提供在模塑成型中密封材料固化后的剥离性良好的模塑成型用脱模膜。另外，根据本专利技术涉及的模塑成型法，能够以密封材料固化后具有良好的剥离性的方式进行模塑成型。附图说明[图1]为示出在半导体器件制造中使用的压缩模塑成型的一例的示意截面图。具体实施方式以下，关于本专利技术，与实施方式一起详细地进行说明。作为本专利技术中的模塑成型法，例如，可举出在模具内依次配置半导体元件或发光元件、密封材料(模塑树脂)及模塑成型用脱模膜、并将密封材料加热固化的成型法。在上述模塑成型法中，为了防止密封材料(模塑树脂)附着于模具，本专利技术的模塑成型用脱模膜配置于模具与密封材料之间。此时，模塑成型用脱模膜以其脱模层与密封材料相对的方式进行配置。密封材料经热固化而将半导体元件或发光元件密封，然后打开模具，剥离模塑成型用脱模膜。以下的说明中，有时将模塑成型用脱模膜简记为“脱模膜”。作为模塑成型方法，通常已知有传递模塑成型法及压缩模塑成型法，本专利技术的脱模膜可以用于上述成型法中的任意。传递模塑成型法为在上述模塑成型法中、将流动状态的密封材料(模塑树脂)注入模具内并进行加热固化的成型法。具体而言，例如为下述成型法：一边对模具内抽真空，一边使脱模膜追随上侧模具，接着，将搭载了半导体元件或发光元件的基板(例如，硅晶片)配置于下侧模具并固定，接着，将上侧模具和下侧模具紧固后向模具内部注入流动状态的密封材料(模塑树脂)，然后使密封材料(模塑树脂)加热固化。压缩模塑成型法为在上述模塑成型法中对密封材料进行加热加压而固化的成型法。具体而言，例如为下述成型法：一边对模具内抽真空，一边使脱模膜追随上侧模具，接着，将搭载了半导体元件或发光元件的基板(例如，硅晶片)固定于下侧模具，并在基板上载置密封材料(模塑树脂)，接着，将上侧模具与下侧模具结合，对密封材料(模塑树脂)进行加热加压。本专利技术的脱模膜与加热加压后的密封材料的剥离性良好，从该观点考虑，适合于实施加热加压的压缩模塑成型法。以下，举出作为模塑成型法的代表的压缩模塑成型法为例进行说明。但是，本专利技术并不限定于此。使用图1，对基于压缩模塑成型的半导体器件的制造方法进行说明。压缩模塑由下侧模具10和上侧模具20构成。下侧模具10为对搭载有半导体元件(例如，芯片)1的基板(例如，硅晶片)2进行载置的部分，图示例中具有平坦面。上侧模具20为与半导体元件1及密封材料3相对的模具，上侧模具20中设置有图示例中截面呈梯形的凹部。在下侧模具10及上侧模具20中，内置有用于使密封材料3加热固化的加热器(省略图示)。在上侧模具20的下表面，安装有沿凹部的内表面延伸的脱模膜4。上侧模具20中设置有吸引机构(省略图示)，脱模膜4吸附于上侧模具20的凹部而被保持。脱模膜4是为了不使密封材料3与上侧模具20直接接触而介在于上侧模具20与密封材料3之间的构件。脱模膜4以其脱模层(省略图示)与密封材料3相对的方式配置。上侧模具20如箭头所示下降而与下侧模具10嵌合，密封材料3被压缩并被加热(经加热加压)。由此，密封材料3固化成追随上侧模具20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.模塑成型用脱模膜，其特征在于，其为模塑成型中使用的脱模膜，在基材膜上设置有由组合物(I)或组合物(II)形成的脱模层，/n组合物(I)：含有包含碳原子数为8以上的烷基的化合物(a)、及交联剂(b)的组合物；/n组合物(II)：含有包含碳原子数为8以上的烷基和烯键式不饱和基团的化合物(α)的组合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171006 JP 2017-1961631.模塑成型用脱模膜，其特征在于，其为模塑成型中使用的脱模膜，在基材膜上设置有由组合物(I)或组合物(II)形成的脱模层，
组合物(I)：含有包含碳原子数为8以上的烷基的化合物(a)、及交联剂(b)的组合物；
组合物(II)：含有包含碳原子数为8以上的烷基和烯键式不饱和基团的化合物(α)的组合物。


2.如权利要求1所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的交联剂(b)为三聚氰胺系交联剂。


3.如权利要求1或2所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(I)中的化合物(a)为聚乙烯基树脂或醇酸树脂。


4.如权利要求1所述的模塑成型用脱模膜，其中，组合物(II)还含有包含2个以上烯键式不饱和基团的化合物(β)。


5.如权利要求1～4中任一项所述的模塑成型用脱...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山龙一，辻内直树，中垣贵充，
申请(专利权)人：东丽薄膜先端加工股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP