一种具有高逆向崩塌电压的外延结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；所述第一半导体层包括高温N‑GaN层和低温N‑GaN层，所述高温N‑GaN层的形成温度高于所述低温N‑GaN层的形成温度；所述第一插入层设置在低温N‑GaN层和高温N‑GaN层之间，所述第一插入层由Al

An epitaxial structure with high reverse collapse voltage

【技术实现步骤摘要】
一种具有高逆向崩塌电压的外延结构
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种具有高逆向崩塌电压的外延结构。
技术介绍
目前LED广泛应用在家电上当指示照明使用，但家电中含有很多电子组件会引起电感效应，导致家电中的电子回路产生逆向脉冲，引起电子组件逆向电压崩溃，从而导致LED漏电、烧毁。具体的，向二极管组件所加的电压为P接负极而N接正极，当所加的电压在某一特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于特定值时，反向电流会急剧增加，则此特定值就是所谓的逆向崩溃电压。现有的LED外延结构如图1所示，包括衬底10、缓冲层20、第一半导体层30、超晶格层40、有源层50和第二半导体层60。上述LED外延结构，其逆向崩溃电压较低，只有15V左右。由于现有LED的外延结构主要针对照明领域的应用，着重在芯片是否漏电方面，因此不适合应用在家电产品或电路密度高的产品上。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，适用于家电产品或电路密度高的产品上。为了解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，其特征在于，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；/n所述第一半导体层包括高温N-GaN层和低温N-GaN层，所述高温N-GaN层的形成温度高于所述低温N-GaN层的形成温度；/n所述第一插入层设置在低温N-GaN层和高温N-GaN层之间，所述第一插入层由Al

【技术特征摘要】
1.一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，其特征在于，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；
所述第一半导体层包括高温N-GaN层和低温N-GaN层，所述高温N-GaN层的形成温度高于所述低温N-GaN层的形成温度；
所述第一插入层设置在低温N-GaN层和高温N-GaN层之间，所述第一插入层由AlxGa1-xN制成。


2.如权利要求1所述的具有高逆向崩塌电压的外延结构，其特征在于，x＝0.12～0.17，所述第一插入层的厚度为50～150nm。


3.如权利要求1所述的具有高逆向崩塌电压的外延结构，所述第一插入层的制作方法如下：
采用MOCVD工艺，在NH3、H2和N2的气氛下，通入TMGa和TMAl，在压力为180～220torr，温度为750～900℃的条件下，形成第一插入层，其中TMGa的流量为80～150scm/min，TMAl的流量为450～550scm/min。


4.如权利要求1所述的具有高逆向崩塌电压的外延结构，其特征在于，还包括第二插入层，所述第二插入层设置在第一半导体层和超晶格层之间，所述第二插入层由掺杂Si的GaN制成。


5.如权利要求1所述的具有高逆向崩塌电压的外延结构，其特征在于，所述第二插入层由若干周期的N+-GaN层和N--GaN层组成；
所述N+-G...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44