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本发明公开了一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；所述第一半导体层包括高温N‑GaN层和低温N‑GaN层，所述高温N‑GaN层的形成温度高于所述低温N‑GaN层的形成温...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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