用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法技术

一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，该存储器块包括多条字线和多条串选择线，该方法包括向多条串选择线施加电压；将穿过块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。

Devices and methods for initializing channels in non-volatile memory devices

【技术实现步骤摘要】
用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法相关申请的交叉引用本非临时专利申请要求2018年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0137949号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及用于初始化存储器设备中的通道的设备和方法，并且更具体地，涉及能够降低功耗的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法。
技术介绍
相关技术的讨论NAND闪存是不需要电源来保存(retain)数据的一种非易失性存储器。3DNAND闪存由堆叠在彼此顶部上的多层NAND闪存组成。与布置成平面结构的NAND闪存相比，这种3DNAND闪存在集成度、存储容量、速度、耐用性和功耗方面具有显著提高的性能。每一层包括串和串选择线，其中每个串包括连接在串选择晶体管和接地选择晶体管之间的存储器单元。存储器单元可以被组织成行和列的阵列，其中字线连接行，位线连接列。当在非易失性存储器设备中执行读取或写入验证操作时，当选择的和未选择的串选择线被初始化时，由于字线中存在的寄生电容的影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，所述存储器块包括多条字线和多条串选择线，所述方法包括：/n向多条串选择线施加电压；/n将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；以及/n释放位线的浮动状态。/n

【技术特征摘要】
20181112 KR 10-2018-01379491.一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，所述存储器块包括多条字线和多条串选择线，所述方法包括：
向多条串选择线施加电压；
将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；以及
释放位线的浮动状态。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述释放位线的浮动状态在开始移除施加到所述多条串选择线当中的未选择的串选择线的电压的时间点之后执行，并且在将感测所需的电压施加到所述位线的时间点之前完成。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将穿过存储器块的位线转换成浮动状态从位线未以浮动状态提供的状态转换成施加0V或更高至驱动电压或更低的恒定电压的状态。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，在穿过存储器块的位线到浮动状态的转换中，在将位线转换成浮动状态之前，将从0V或更高至驱动电压或更低的恒定电压施加到位线。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，取决于字线中的一条的地址而不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。


6.根据权利要求5所述的方法，其中当施加到一条字线的电压值变大时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点或者提前释放位线的浮动状态的时间点。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线是穿过所述存储器块的多条位线中的一条，
其中取决于电压施加到字线中的一条的方向，针对位线中的每一条，不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线是穿过存储器块的多条位线中的一条，并且
其中当位线变得更接近施加电压的点时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点或者提前释放位线的浮动状态的时间点。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器设备包括多个存储器块，并且所述位线穿过所述多个存储器块，
其中取决于存储器块的地址，不同地设置将位线转换成浮动状态的时间点或释放位线的浮动状态的时间点。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，当存储器块距离施加电压的点更远时，延迟将位线转换成浮动状态的时间点。


11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斗晧，姜奎满，边大锡，宋仲镐，尹治元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR