【技术实现步骤摘要】
清洁装置及半导体设备
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种清洁装置及半导体设备。
技术介绍
光刻工艺是集成电路芯片制造过程中非常重要的一道工艺,它是利用光学-化学反应原理和化学物理方法,将电路图形传递到衬底表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程,一般要经历衬底表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。软烘是在喷涂光刻胶后对衬底进行烘烤,以除去光刻胶中残余的溶剂,提高光刻胶的粘附性和均匀性;硬烘则是在显影后烘烤以蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变硬,提高光刻胶对硅片表面的粘附性,由此可见烘烤工序对提高光刻胶的性能以确保后续的刻蚀图形品质非常重要。但是在烘烤期间,光阻会产生大量溶剂颗粒附着在制程腔室内,极易掉落在衬底表面,产生颗粒污染。这些颗粒污染在刻蚀后会导致出现图形异常,导致良率下降。而导致光阻溶剂颗粒在制程腔室上大量累积的根本原因是抽气量变小。当设备使用一定时间后,排气管道由于挥发性颗粒的附着导致排气管路的堵塞,使抽气量变小、抽气功耗增大,同时抽气量的减少将会导致制程腔室里的颗粒浓 ...
【技术保护点】
1.一种清洁装置,其特征在于,包括:/n毛刷;/n马达,一端与所述毛刷相连接,用于驱动所述毛刷移动;/n伸缩杆,与所述马达的另一端相连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种清洁装置,其特征在于,包括:
毛刷;
马达,一端与所述毛刷相连接,用于驱动所述毛刷移动;
伸缩杆,与所述马达的另一端相连接。
2.根据权利要求1所述的清洁装置,其特征在于:所述毛刷包括刷柱和刷头,所述刷柱与所述马达相连接,所述刷头与所述刷柱相连接且沿所述刷柱呈螺旋状分布,所述刷头的螺旋间距为L,其中,1mm≤L≤20mm。
3.一种半导体设备,其特征在于,包括:
制程腔室,所述制程腔室上设置有排气口;
支路排气管路,一端与所述制程腔室的排气口相连通;
如权利要求1至2任一项所述的清洁装置,所述清洁装置用于对所述支路排气管路进行清洁作业,所述清洁装置与所述支路排气管路远离所述排气口的一端相邻设置,其中,所述毛刷朝向所述支路排气管路,通过所述伸缩杆的伸缩带动所述毛刷在所述支路排气管路内移动以对所述支路排气管路的不同位置进行清洁作业。
4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于:所述支路排气管路的横截面为矩形,矩形的长度为X,宽度为Y,其中,10mm≤X≤150mm,10mm≤Y≤150mm。
5.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于:所述支路排气管路...
【专利技术属性】
技术研发人员:李生骄,董佳仁,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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