QLED器件的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种QLED器件的封装结构。该QLED器件的封装结构通过在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。

Packaging structure of qled devices

【技术实现步骤摘要】
QLED器件的封装结构
本技术涉及显示装置封装领域，尤其涉及一种QLED器件的封装结构。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体地，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。量子点(quantumdot,QD)是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于1-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件的封装结构，其特征在于，包括：/n衬底基板(10)；/n设于所述衬底基板(10)上的QLED器件(20)；/n设于所述衬底基板(10)上并覆盖所述QLED器件(20)的薄膜封装层(50)；/n所述薄膜封装层(50)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(30)和至少一层有机缓冲层(40)；/n所述有机缓冲层(40)中掺杂有氧化石墨烯；/n所述有机缓冲层(40)的厚度为500-2000nm；/n所述有机缓冲层(40)中的有机物为环氧树脂、硅基聚合物或聚甲基丙烯酸甲酯。/n

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的封装结构，其特征在于，包括：
衬底基板(10)；
设于所述衬底基板(10)上的QLED器件(20)；
设于所述衬底基板(10)上并覆盖所述QLED器件(20)的薄膜封装层(50)；
所述薄膜封装层(50)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(30)和至少一层有机缓冲层(40)；
所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖娅丹，矫士博，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44