用于非易失性存储设备的自适应编程电压制造技术

本申请公开了用于调整编程设置的装置、系统和方法，该编程设置诸如是一组非易失性存储单元的编程电压，该一组非易失性存储单元诸如是SLC NAND阵列。非易失性存储单元可以布置成多个字线。非易失性存储单元的子集可以被配置为存储编程设置。芯片上控制器可以被配置为从设置子集中读取编程设置，并且使用编程设置将数据写入非易失性存储单元。芯片上控制器可以进一步被配置为确定编程设置导致一个或多个非易失性存储单元的次优编程，并且响应于该确定而将修改后的编程设置存储在设置子集上。

Adaptive programming voltage for nonvolatile memory devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于非易失性存储设备的自适应编程电压
在各种实施例中，本公开涉及存储设备，并且更具体地，涉及用于自适应地改变非易失性存储设备的编程电压的系统和方法。
技术介绍
许多数据存储设备，诸如闪存设备，将数据存储在非易失性介质的单元中。每个单元的物理属性，诸如存储的电荷、电压、材料相、电阻、磁化强度等，可以改变以编码数据。单元的物理属性可以在一定范围内变化，该范围可以分割为离散状态，以便不同的状态对应于不同的数据值。感测单元的物理属性是否满足其范围内的一个或多个读取阈值(例如，电压阈值，电阻率阈值等)可以确定单元的状态，从而允许恢复所存储的数据值。非易失性存储器类型包括但不限于：ReRAM，忆阻器存储器，可编程金属化单元存储器，相变存储器(PCM，PCME，PRAM，PCRAM，双向通用存储器，硫属半导体RAM或C-RAM)，NAND闪存(例如2DNAND闪存，3DNAND闪存)，NOR闪存，纳米随机存取存储器(nanoRAM或NRAM)，基于纳米晶线的存储器，基于氧化硅的10纳米以下工艺存储器，石墨烯存储器，硅-氮氧化物-氧化硅(SONOS)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储芯片，包括：/n一组非易失性存储单元，被布置成多个字线，其中单元的子集被配置为存储编程设置；和/n芯片上控制器，被配置为：/n从单元的所述子集读取所述编程设置；/n使用所述编程设置将数据写入非易失性存储单元；/n确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程；和/n响应于确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程，将修改后的编程设置存储在所述子集的非易失性存储单元中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180302 US 15/910,9981.一种存储芯片，包括：
一组非易失性存储单元，被布置成多个字线，其中单元的子集被配置为存储编程设置；和
芯片上控制器，被配置为：
从单元的所述子集读取所述编程设置；
使用所述编程设置将数据写入非易失性存储单元；
确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程；和
响应于确定所述编程设置导致对非易失性存储单元的数据的次优编程，将修改后的编程设置存储在所述子集的非易失性存储单元中。


2.根据权利要求1所述的存储芯片，其中：
所述编程设置指示第一编程电压；
所述芯片上控制器进一步被配置为通过经由非易失性存储单元以第一编程电压发送单个脉冲来将数据写入非易失性存储单元；并且
所述修改后的编程设置指示低于所述第一编程电压的第二编程电压。


3.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器进一步被配置为将所述修改后的编程设置存储在所述子集的非易失性存储单元中，而无需首先从所述子集中擦除编程设置。


4.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述多个字线包括：
伪字线，包括两个或更多个备用列，所述两个或更多个备用列包括单元的所述子集；和
多个数据字线，与所述伪字线分开，所述多个数据字线被配置为存储数据。


5.根据权利要求4所述的存储芯片，其中，单元的所述子集定位于所述伪字线的驱动器附近。


6.根据权利要求1所述的存储芯片，其中：
非易失性存储单元被布置成多个块，包括：
第一块，包括所述多个字线；和
第二块，包括第二多个字线；并且
所述芯片上控制器还被配置为：
从所述第二多个字线的第二子集中读取第二编程设置；
使用所述第二编程设置将数据写入所述第二多个字线的非易失性存储单元；
确定所述第二编程设置导致对所述第二多个字线的一个或多个非易失性存储单元的次优编程；和
响应于确定所述第二编程设置导致对所述第二多个字线的一个或多个非易失性存储单元的次优编程，将修改后的第二编程设置存储在第二子集上。


7.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器还被配置为：
确定阈值电压在预确定范围内的单元的数目；和
确定阈值电压在所述预确定范围内的单元的数目是否满足一个或多个标准。


8.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述芯片上控制器进一步被配置为响应于触发来确定编程设置导致对非易失性存储单元的数据次优编程，所述触发被配置为在对一个或多个字线执行随机数目的编程操作之后激活。


9.一种装置，包括：
设置成字线并连接到位线的一组非易失性存储单元，所述字线包括：
伪字线，被配置为存储编程电压标志；和
多个数据字线；
芯片上控制器，包括：
存储电路，被配置为：
使用与所述编程电压标志相关联的第一编程电压将用户数据存储在所述字线的非易失性存储单元中；
确定电路，被配置为确定所述第一编程电压导致所述非易失性存储单元的过度编程；
设置选择电路，被配置为响应于确定所述第一编程电压导致非易失性存储单元的过度编程，选择与所述第一编程电压不同的第二编程电压；和
更新电路，被配置为通过用与所述第二编程电压相关联的修改后的编程电压标志覆盖所述编程电压标志的至少一部分来在所述伪字线中存储所述修改后的编程电压标志。


10.根据权利要求9所述的装置，其中，
所述存储电路进一步被配置为通过经由非易失性存储单元以所述第一编程电压发送单个脉冲来存储用户数据；以及
所述第二编程电压低于所述第一编程电压。


11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述确定电路进一步被配置为通过确定所述单个脉冲导致一个或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：X杨，曾怀远，D杜塔，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US