存储器器件及其中的存储器单元以及计算设备制造技术

存储器单元包括写入端口和读取端口。写入端口包括形成存储器单元的两个交叉耦合的反相器。交叉耦合的反相器连接在第一电源信号线和第二电源信号线之间。写入端口还包括互连层中的第一局部互连线，该第一局部互连线连接至第二电源信号线。读取端口包括连接至写入端口中的存储器单元和第二电源信号线的晶体管，以及连接至第二电源信号线的互连层中的第二局部互连线。读取端口中的第二局部互连线与写入端口中的第一局部互连线分隔开。本发明专利技术的实施例还涉及存储器器件以及计算设备。

Memory devices, memory units and computing devices

【技术实现步骤摘要】
存储器器件及其中的存储器单元以及计算设备
本专利技术的实施例涉及存储器器件及其中的存储器单元以及计算设备。
技术介绍
出于各种目的，在电子器件中使用不同类型的存储器器件。只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)是两种此类存储器器件。ROM器件允许从ROM器件读取但不能向其写入数据。当断电时，ROM器件保留其存储的数据。这样，ROM器件通常用于存储在电子器件导通时执行的程序。与ROM器件不同，RAM器件允许将数据写入RAM器件中的选定存储器单元以及从选定存储器单元中读取数据。RAM器件的一种类型是静态随机存取存储器(SRAM)器件。SRAM器件的优势特征在于无需刷新即可保持数据。SRAM器件中的单端口存储器单元包括一组寻址信号线，寻址信号线使存储器单元能够执行写入操作或读取操作。另一种类型的SRAM存储器单元称为双端口SRAM单元，双端口SRAM单元包括两组寻址信号线，寻址信号线使该存储器单元能够执行写入操作和读取操作。一种类型的双端口SRAM存储器单元是八晶体管(8T)SRAM存储器单元，8TSRAM存储器单元包括仅执行写本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器器件中的存储器单元，包括：/n写入端口，包括：/n存储单元，所述存储单元包括连接至第二交叉耦合的反相器的第一交叉耦合的反相器，其中，所述第一交叉耦合的反相器和所述第二交叉耦合的反相器连接至电源信号线；和/n互连层中的第一局部互连线，连接至所述电源信号线；以及/n读取端口，包括：/n晶体管，连接至所述写入端口中的所述存储单元和所述电源信号线；和/n所述互连层中的第二局部互连线，连接至所述电源信号线，其中，所述读取端口中的所述第二局部互连线与所述写入端口中的所述第一局部互连线分隔开。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,749;20191021 US 16/659,0551.一种存储器器件中的存储器单元，包括：
写入端口，包括：
存储单元，所述存储单元包括连接至第二交叉耦合的反相器的第一交叉耦合的反相器，其中，所述第一交叉耦合的反相器和所述第二交叉耦合的反相器连接至电源信号线；和
互连层中的第一局部互连线，连接至所述电源信号线；以及
读取端口，包括：
晶体管，连接至所述写入端口中的所述存储单元和所述电源信号线；和
所述互连层中的第二局部互连线，连接至所述电源信号线，其中，所述读取端口中的所述第二局部互连线与所述写入端口中的所述第一局部互连线分隔开。


2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：
所述电源信号线包括第一电源信号线；
所述第一交叉耦合的反相器和所述第二交叉耦合的反相器连接在所述第一电源信号线和第二电源信号线之间；并且
所述写入端口还包括所述互连层中的第三局部互连线，所述第三局部互连线连接至所述第二电源信号线。


3.根据权利要求2所述的存储器单元，还包括：
所述写入端口中的第一传输晶体管，具有连接至写入位线(WBL)信号线的第一端子、连接至所述第一交叉耦合的反相器的第二端子和连接至写入字线(WWL)信号线的第一栅极；
所述写入端口中的第二传输晶体管，具有连接至写入位线条(WBLB)信号线的第三端子、连接至所述第二交叉耦合的反相器的第四端子和连接至所述写入字线信号线的第二栅极；以及
所述读取端口中的第三传输晶体管，具有连接至读取位线(RBL)信号线的第五端子、连接至所述晶体管的第六端子以及连接至读取字线(RWL)信号线的第三栅极。


4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中：
所述写入端口中的所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的每个包括n型晶体管；并且
所述读取端口中的所述第三传输晶体管和所述晶体管的每个包括n型晶体管。


5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中：
所述写入字线信号线、所述写入位线信号线、所述写入位线条信号线、所述读取字线信号线、所述读取位线信号线、所述第一电源信号线和所述第二电源信号线形成在第一金属层中；并且
从所述存储器单元的第一边缘到所述存储器单元的相对的第二边缘的所述第一金属层的布局包括：所述写入字线信号线-所述第一电源信号线-所述写入位线信号线-所述第二电源信号线-所述写入位线条信号线所述第一电源信号线所述写入字线信号线所述第一电源信号线所述读取位线信号线所述读取字线信号线。


6.根据权利要求4所述的存储器单元，其中：
所述写入字线信号线、所述写入位线信号线、所述写入位线条信号线、所述读取字线信号线、所述读取位线信号线、所述第一电源信号线和所述第二电源信号线形成在第一金属层中；并且
从所述存储器单元的第一边缘到所述存储器单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原英弘，潘显裕，林志宇，陈炎辉，赵威丞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71