本发明专利技术公开了一种PCB cavity结构的制作工艺，包括如下步骤：在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料，该离型材料可抗压合高温制程，在压合制程后，仍具有离型特性；在防焊制程后，制作保护膜，该保护膜可在去除离型材料时，保护电路板，避免在后续制程中损伤防焊及基材表面等，并可减少后续一次线路制程，然后雷射盲捞至离型材料的阻挡层；去除cavity区域的离型材料，然后蚀刻去除阻挡层，再去除保护膜，得到PCB cavity结构；该制作工艺成本低、良率高，通过该方法得到的PCB cavity结构底部平坦度高。
【技术实现步骤摘要】
一种PCBcavity结构的制作工艺
本专利技术涉及PCB生产
，具体是一种PCBcavity结构的制作工艺。
技术介绍
目前，现有PCBcavity结构的制作工艺包括先在cavity设计区域的位置定深成型出回型槽，然后通过雷射盲捞将所述回型槽的深度精确打通至最上层的绝缘基板下表面，由于铜层较薄，在进行上述操作过程中，铜层容易被破损，从而造成制得的PCBcavity结构良率低，制作成本增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种PCB（PrintedCircuitBoard，印刷电路板）cavity（局部凹陷）结构的制作工艺，以解决现有技术中在制作PCBcavity结构的过程中，铜层容易被破损，使制得的PCBcavity结构良率低，制作成本增加的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术提供了一种PCBcavity结构的制作工艺，包括如下步骤：在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料；在防焊制程后，制作保护膜，该保护膜可抗后续蚀刻或碱性去膜药液等制程，然后雷射盲捞至离型材料的阻挡层；去除cavity区域的离型材料，然后蚀刻去除阻挡层，再去除保护膜，得到PCBcavity结构。进一步的，制作离型材料的方法包括印刷、曝光显影和预贴合。进一步的，制作保护膜的方法包括滚压和快压。进一步的，去除保护膜的方法包括手动撕膜和自动撕膜机撕膜。进一步的，阻挡层为不需要的铜层。进一步的，化学处理方法包括棕化和黑化。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的一种PCBcavity结构的制作工艺，包括如下步骤：在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料，该离型材料可抗压合高温制程，在压合制程后，仍具有离型特性；在防焊制程后，制作保护膜，该保护膜可在去除离型材料时，保护电路板，避免在后续制程中损伤防焊及基材表面等，并可减少后续一次线路制程，然后雷射盲捞至离型材料的阻挡层；去除cavity区域的离型材料，然后蚀刻去除阻挡层，再去除保护膜，得到PCBcavity结构；该制作工艺成本低、良率高，通过该方法得到的PCBcavity结构底部平坦度高。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种PCBcavity结构的制作工艺过程中PCBcavity结构的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种PCBcavity结构的制作工艺得到的PCBcavity结构的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种PCBcavity结构的制作工艺的流程示意图。图中：1-离型材料、2-阻挡层、3-PCBcavity结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1至3所示，本专利技术实施例提供的一种PCBcavity结构的制作工艺，包括如下步骤：在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料1；在防焊制程后，制作保护膜，该保护膜可抗后续蚀刻或碱性去膜药液等制程，然后雷射盲捞至离型材料1的阻挡层2；去除cavity区域的离型材料1，然后蚀刻去除阻挡层2，再去除保护膜，得到PCBcavity结构。制作离型材料1的方法包括印刷、曝光显影和预贴合。制作保护膜的方法包括滚压和快压。去除保护膜的方法包括手动撕膜和自动撕膜机撕膜。阻挡层2为不需要的铜层。化学处理方法包括棕化和黑化。本专利技术提供的一种PCBcavity结构的制作工艺，包括如下步骤：在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料1，该离型材料1可抗压合高温制程，在压合制程后，仍具有离型特性；在防焊制程后，制作保护膜，该保护膜可在去除离型材料1时，保护电路板，避免在后续制程中损伤防焊及基材表面等，并可减少后续一次线路制程，然后雷射盲捞至离型材料1的阻挡层2；去除cavity区域的离型材料1，然后蚀刻去除阻挡层2，再去除保护膜，得到PCBcavity结构3；该制作工艺成本低、良率高，通过该方法得到的PCBcavity结构底部平坦度高。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种PCB cavity结构的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料（1）；/n在防焊制程后，制作保护膜，然后雷射盲捞至所述离型材料（1）的阻挡层（2）；/n去除所述cavity区域的离型材料（1），然后蚀刻去除阻挡层（2），再去除保护膜，得到PCB cavity结构（3）。/n
【技术特征摘要】
1.一种PCBcavity结构的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：
在压合制程中，于欲形成cavity区域的位置进行化学处理后，制作离型材料（1）；
在防焊制程后，制作保护膜，然后雷射盲捞至所述离型材料（1）的阻挡层（2）；
去除所述cavity区域的离型材料（1），然后蚀刻去除阻挡层（2），再去除保护膜，得到PCBcavity结构（3）。
2.根据权利要求1所述的一种PCBcavity结构的制作工艺，其特征在于：所述制作离型材料（1）的方法包括印刷、曝光显影和预贴合。
【专利技术属性】
技术研发人员：余丞博，金新，
申请(专利权)人：昆山沪利微电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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