晶片的加工方法技术

技术编号:24174246 阅读:38 留言:0更新日期:2020-05-16 04:01
提供晶片的加工方法,当沿着分割预定线形成改质层时可靠地产生从改质层至正面的裂纹。该晶片的加工方法至少具有如下的工序:分割起点形成工序,将对于晶片(10)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点从晶片(10)的背面(10b)定位于规定的内部而进行照射,沿着分割预定线(14)形成由改质层(100)和从改质层(100)向正面(10a)延伸的裂纹(110)构成的分割起点;保护带配设工序,在分割起点形成工序之后,在晶片(10)的正面(10a)上配设保护带(T);以及分割工序,利用呈环状具有磨削磨具(78)的磨削磨轮(76)对晶片(10)的背面(10b)进行磨削而将晶片(10)薄化,并且将晶片(10)分割成各个器件芯片(12’)。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法,将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。
技术介绍
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置分割成各个器件,并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。另外,提出了如下的技术:将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于内部而进行照射,沿着分割预定线形成改质层,然后对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化并且使从改质层至正面的裂纹成长,从而将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。另外,为了有效地形成从沿着分割预定线形成的改质层至正面的裂纹,本申请人提出了对形成有改质层的晶片进行加热的技术(参照专利文献2)。专利文献1:日本特开2009-290148号公报专利文献2:日本特开2016-213318号公报根据上述的专利文献2所记载的晶片的加工方法,形成改质层并且也生成裂纹。当对这样形成有改质层和裂纹的晶片施加外力而沿着分割预定线分割成各个器件芯片时,与仅形成有改质层的情况相比,能够良好地进行分割。但是,还存在如下的问题:在对晶片形成改质层时,即使想要生成从改质层向正面延伸的裂纹,也并不容易可靠地生成裂纹,根据裂纹的产生状态,无法可靠地将晶片分割成各个器件芯片,各个器件芯片的品质存在偏差。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法,在沿着分割预定线形成改质层时,可靠地生成从改质层向正面延伸的裂纹,在分割工序中,能够将晶片可靠地分割成各个器件芯片。为了解决上述主要的技术课题,根据本专利技术提供晶片的加工方法,将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法至少具有如下的工序:分割起点形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射,沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂纹构成的分割起点;保护带配设工序,在该分割起点形成工序之后,在晶片的正面上配设保护带;以及分割工序,利用呈环状具有磨削磨具的磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化,并且将晶片分割成各个器件芯片。优选在该分割起点形成工序中,在对晶片的正面侧进行保持的保持工作台的正面上配设有对晶片的正面进行保护的保护部件。本专利技术的晶片的加工方法至少具有如下的工序:分割起点形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射,沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂纹构成的分割起点;保护带配设工序,在该分割起点形成工序之后,在晶片的正面上配设保护带;以及分割工序,利用呈环状具有磨削磨具的磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化,并且将晶片分割成各个器件芯片,在分割起点形成工序之后,在晶片的正面上配设保护带。由此,分割起点形成工序在未在晶片的正面上配设保护带的状态下实施,因此在实施分割起点形成工序时,带的收缩力不会作用于晶片,能够使从改质层至正面的裂纹适当地成长,通过实施分割工序,能够将晶片可靠地分割成各个器件芯片。附图说明图1是本实施方式的激光加工装置的整体立体图。图2是示出作为通过图1进行加工的被加工物的晶片以及将晶片载置于保持工作台的方式的图。图3的(a)是示出通过图1所示的激光加工装置实施分割起点形成工序的方式的图,图3的(b)是示出形成在晶片内部的改质层和裂纹的局部放大剖视图。图4是示出本实施方式的保护带配设工序的实施方式的图。图5的(a)是示出本实施方式的分割工序的实施方式的图,图5的(b)是示出通过实施图5的(a)所示的分割工序而将晶片分割成各个器件芯片的状态的图。标号说明1:激光加工装置;2:基台;10:晶片;10a:正面;10b:背面;12:器件;12’:器件芯片;14:分割预定线;20:保持单元;21:X轴方向可动板;22:Y轴方向可动板;24:保持工作台;26:吸附卡盘(保护部件);30:移动单元;31:X轴进给单元;32:Y轴进给单元;50:激光光线照射单元;52:聚光器;55:拍摄单元;60:磨削装置;62:卡盘工作台;70:磨削单元;72:旋转主轴;78:磨削磨具;100:改质层;110:裂纹;120:分割线;T:保护带。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的晶片的加工方法中优选的激光加工装置1进行详细说明。在图1中示出激光加工装置1的整体立体图。激光加工装置1具有:保持单元20,其对呈圆形的被加工物(晶片)进行保持;移动单元30,其使保持单元20移动;激光光线照射单元50,其对保持单元20所保持的被加工物照射激光光线;拍摄单元55,其对保持单元20所保持的被加工物进行拍摄;以及显示装置M。保持单元20配置在作为激光加工装置1的基座的基台2上,保持单元20具有:矩形状的X轴方向可动板21,其在图中箭头X所示的X轴方向上移动自如地载置;矩形状的Y轴方向可动板22,其在图中箭头Y所示的Y轴方向上移动自如地载置于X轴方向可动板21;保持工作台24,其配设在Y轴方向可动板22的上表面上,构成为能够通过未图示的驱动单元在箭头所示的方向上旋转;以及吸附卡盘26,其构成保持工作台24的正面,由发泡聚氨酯等具有通气性的软质的树脂片形成。在该吸附卡盘26的下表面侧配置有未图示的具有通气性的多孔陶瓷。保持工作台24与未图示的吸引单元连接,经由该多孔陶瓷和吸附卡盘26而对载置于保持工作台24的板状部件进行吸引保持。移动单元30具有:X轴进给单元31,其将保持单元20在X轴方向上进行加工进给;以及Y轴进给单元32,其将保持单元20在Y轴方向上进行分度进给。X轴进给单元31借助滚珠丝杠34将脉冲电动机33的旋转运动转换成直线运动并传递至X轴方向可动板21,使X轴方向可动板21沿着基台2上的导轨2a、2a在X轴方向上进退。Y轴进给单元32借助滚珠丝杠36将脉冲电动机35的旋转运动转换成直线运动并传递至Y轴方向可动板22,使Y轴方向可动板22沿着X轴方向可动板21上的导轨21a、21a在Y轴方向上进退。在移动单元30上配设有未图示的位置检测单元,对保持工作台24的X轴方向、Y轴方向、旋转方向的位置进行检测并反馈给未图示的控制单元,从而能够使保持工作台24移动至期望的位置。在移动单元30的侧方竖立设置有框体4。框体4具有配设在基台2上的垂直壁部4a以及从垂直壁部4a的上端部向水平方向延伸的水平壁部4b。在框体4的水平壁部4b的内部内置有包含激光光线照射单元50的激光振荡器在内的未图示的光学系统。在水平壁部4b的前端部下表面上配设有构成激光光线照射单元50的一部分的聚光器52,在聚光器52的内部内置有对激光光线进行会聚的未图示的聚光透镜。从激光光线照射单元50的该激光振荡器振荡出的激光光线通过未图示的光学系统而被聚光器52会聚,在保持单元20的保持工作台24所保持的被加工物的规定的内部形成聚光光斑。拍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法,将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,/n该晶片的加工方法至少具有如下的工序:/n分割起点形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射,沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂纹构成的分割起点;/n保护带配设工序,在该分割起点形成工序之后,在晶片的正面上配设保护带;以及/n分割工序,利用呈环状具有磨削磨具的磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化,并且将晶片分割成各个器件芯片。/n

【技术特征摘要】
20181108 JP 2018-2106781.一种晶片的加工方法,将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,
该晶片的加工方法至少具有如下的工序:
分割起点形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射,沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村胜
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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