晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，当沿着分割预定线形成改质层时可靠地产生从改质层至正面的裂纹。该晶片的加工方法至少具有如下的工序：分割起点形成工序，将对于晶片(10)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点从晶片(10)的背面(10b)定位于规定的内部而进行照射，沿着分割预定线(14)形成由改质层(100)和从改质层(100)向正面(10a)延伸的裂纹(110)构成的分割起点；保护带配设工序，在分割起点形成工序之后，在晶片(10)的正面(10a)上配设保护带(T)；以及分割工序，利用呈环状具有磨削磨具(78)的磨削磨轮(76)对晶片(10)的背面(10b)进行磨削而将晶片(10)薄化，并且将晶片(10)分割成各个器件芯片(12’)。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。
技术介绍
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置分割成各个器件，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。另外，提出了如下的技术：将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于内部而进行照射，沿着分割预定线形成改质层，然后对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化并且使从改质层至正面的裂纹成长，从而将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。另外，为了有效地形成从沿着分割预定线形成的改质层至正面的裂纹，本申请人提出了对形成有改质层的晶片进行加热的技术(参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2009-290148号公报专利文献2：日本特开2016-213318号公报根据上述的专利文献2所记载的晶片的加工方法，形成改质层并且也生成裂纹。当对这样形成有改质层和裂纹的晶片施加外力而沿着分割预定线分割成各个器件芯片时，与仅形成有改质层的情况相比，能够良好地进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，/n该晶片的加工方法至少具有如下的工序：/n分割起点形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射，沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂纹构成的分割起点；/n保护带配设工序，在该分割起点形成工序之后，在晶片的正面上配设保护带；以及/n分割工序，利用呈环状具有磨削磨具的磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化，并且将晶片分割成各个器件芯片。/n

【技术特征摘要】
20181108 JP 2018-2106781.一种晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，
该晶片的加工方法至少具有如下的工序：
分割起点形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而进行照射，沿着分割预定线形成由改质层和从改质层向正面延伸的裂...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP