【技术实现步骤摘要】
一种电镀缸腔体结构
本技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种电镀缸腔体结构。
技术介绍
电镀金属层在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金属凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；铜镀层在IC器件中是作为金属连接导线；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。选择合适的电镀设备，将会获得较为满意的镀层。电镀设备可包括二类：水平喷流式杯镀和垂直挂镀两种方式。杯镀式将晶圆覆盖在一个杯状的镀槽上，电镀以一杯一片的方式进行。挂镀式则是将晶圆垂直浸入镀液中，一个镀槽可以同时进行多片电镀。杯镀式的电镀需注意气泡的去除，否则将会影响镀层厚度的全片均匀性。挂镀式则比较容易去除反应产生的气泡，但需注意倾斜镀层的产生。电镀工艺参数的控制对镀层性能的影响很大。一般而言，半导体电镀工艺中需要控制的几个主要参数包括：电流密度、温度、溶液浓度、流量、添加剂等等。在电镀工艺过程中，温度的变化会影响电镀的速率以及电镀膜的质量，所以需要控制电镀溶液在...
【技术保护点】
1.一种电镀缸腔体结构，包括：/n腔体外壁，用于形成整个腔体的外部轮廓；/n一个或多个冷却面板管及框架，所述冷却面板管及框架作为腔体隔离结构将腔体隔离为多个独立的部分，所述冷却面板管及框架的表面上设置有热交换器。/n
【技术特征摘要】
1.一种电镀缸腔体结构，包括：
腔体外壁，用于形成整个腔体的外部轮廓；
一个或多个冷却面板管及框架，所述冷却面板管及框架作为腔体隔离结构将腔体隔离为多个独立的部分，所述冷却面板管及框架的表面上设置有热交换器。
2.如权利要求1所述的电镀缸腔体结构，其特征在于，所述冷却面板管及框架具有倾斜角度，便于将沉淀物沉淀到腔体底部。
3.如权利要求1所述的电镀缸腔体结构，其特征在于，还包括隔离阀，所述隔离阀设置在所述冷却面板管及框架之上，当隔离阀打开时，由冷却面板管及框架隔离的两个独立部分之间形成流体连通；当隔离阀打开关闭时，由冷却面板管及框架隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，郭松辉，林宗贤，吴明，王金岗，赵培培，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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