【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】闪存设备和相关方法
本文中描述的实施例通常涉及计算机存储器，并且更特别地，涉及闪存设备。
技术介绍
闪存是一种计算机存储器，它利用浮置栅极晶体管（诸如金属氧化物半导体场效应晶体管）作为存储单元来存储信息。商业化闪存的原理是NAND和NOR存储器类型。在NAND存储器中，单元被部署成如下阵列：使得一行中每个存储单元的控制栅极被连接以形成存取线，诸如字线。阵列的列包括在一对选择线（源极选择线与漏极选择线）之间源极到漏极串联连接在一起的存储单元串（经常称为NAND串）。源极选择线包括位于NAND串与源极选择线之间的每个交叉点处的源极选择栅极，并且漏极选择线包括位于NAND串与漏极选择线之间的每个交叉点处的漏极选择栅极。每个源极选择栅极连接到源极线，而每个漏极选择栅极连接到数据线，诸如列位线。附图说明结合随附附图，从下面的详细描述中，技术特征和优点将是显而易见的，随附附图通过示例的方式一起图示了各种技术实施例；并且，其中：图1图示了根据示例实施例的NAND存储器设备的一部分；图2图示了图1的N...
【技术保护点】
1.一种闪存单元，包括：/n电荷存储结构；/n与所述电荷存储结构横向分离的控制栅极；以及/n部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170930 US 15/7217711.一种闪存单元，包括：
电荷存储结构；
与所述电荷存储结构横向分离的控制栅极；以及
部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层。
2.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氮化物材料。
3.根据权利要求2所述的闪存单元，其中氮化物材料包括氮化硅。
4.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氧化物材料。
5.根据权利要求4所述的闪存单元，其中氧化物材料包括氧化铝。
6.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括高介电常数材料。
7.根据权利要求6所述的闪存单元，其中高介电常数材料包括HfOx、HfAlOx或者它们的组合。
8.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构的三个侧面的至少部分相邻。
9.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层包括氧化物材料和氮化物材料的交替层。
10.根据权利要求9所述的闪存单元，其中氧化物材料包括氧化硅。
11.根据权利要求9所述的闪存单元，其中氮化物材料包括氮化硅。
12.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且具有从大约1nm至大约5nm的厚度。
13.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层中的第一层与电荷存储结构相邻，并且所述至少四个介电层中的第一层的厚度与第二层的厚度之比是从大约1:2至大约1:5。
14.根据权利要求13所述的闪存单元，其中第二层与第一层相邻。
15.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层被配置成提供足以用于操作四级单元（QLC）的编程擦除窗口。
16.根据权利要求1所述的闪存单元，其中所述至少四个介电层被配置成提供足以用于操作四级单元（QLC）的带隙。
17.根据权利要求1所述的闪存单元，其中电荷存储结构是浮置栅极或者电荷陷阱。
18.一种闪存设备，包括：
与彼此竖向间隔开的多个绝缘层；
延伸穿过所述多个绝缘层的竖向定向的导电沟道；
部署在相邻绝缘层之间的电荷存储结构；
控制栅极，其与所述电荷存储结构横向分离，使得所述电荷存储结构处在所述控制栅极与所述导电沟道之间；以及
部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层。
19.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氮化物材料。
20.根据权利要求19所述的闪存设备，其中氮化物材料包括氮化硅。
21.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括氧化物材料。
22.根据权利要求21所述的闪存设备，其中氧化物材料包括氧化铝。
23.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且包括高介电常数材料。
24.根据权利要求23所述的闪存设备，其中高介电常数材料包括HfOx、HfAlOx或者它们的组合。
25.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构的三个侧面的至少部分相邻。
26.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层包括氧化物材料和氮化物材料的交替层。
27.根据权利要求26所述的闪存设备，其中氧化物材料包括氧化硅。
28.根据权利要求26所述的闪存设备，其中氮化物材料包括氮化硅。
29.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且具有从大约1nm至大约5nm的厚度。
30.根据权利要求18所述的闪存设备，其中所述至少四个介电层中的第一层与电荷存储结构相邻，并且所述至少四个介电层中的第一层的厚度与第二层的厚度之比是大约1:2至大约1:5。
31.根据权利要求30所述的闪存设备，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，黄广宇，KK帕拉特，SB库纳尔，S贾延蒂，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。