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公开了闪存技术。在一个示例中，闪存单元可以包括电荷存储结构、与电荷存储结构横向分离的控制栅极以及被部署在控制栅极与电荷存储结构之间的至少四个介电层。还公开了相关联的系统和方法。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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