一种屏蔽膜及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽膜及其制造方法，所述屏蔽膜包括一基材层、一吸波导电层以及一保护层，所述基材层一面设有若干凹槽，所述凹槽中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，所述保护层至少覆盖所述吸波导电层，或至少覆盖所述吸波导电层及所述基材层具有所述凹槽的一面。所述屏蔽膜在保持透明特性的同时屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述屏蔽膜能有效的降低电磁辐射反射回空间，有利于减少电磁辐射的污染，同时屏蔽性能更佳，不易于被反射波探测到；所述屏蔽膜结构简化，制造工艺相对简单，便于大批量生产。

A kind of shielding film and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽膜及其制造方法
本专利技术涉及电磁屏蔽
，更准确的说涉及一种屏蔽膜及其制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，射频设备广泛使用。常见的射频设备如工业用电气设备、广播电视发射塔、无线通信网络、高压输电线、家电等，在工作时会向外传送电磁波能量，产生电磁辐射，电磁辐射会对人体或机器产生影响，其程度与它的能量大小直接相关，电磁辐射所产生的能量大小取决于其频率的高低，可按其频率排成从低到高的若干个等级，频率愈高，电磁辐射所产生的能量就愈大，过大的电磁辐射能量会破坏人体的生理组织分子。如今，射频设备在人类活动的场所大量装备，且频谱范围不断展宽，强度成倍增加，如果电磁辐射超过了人体或机器所能够承受的限度，即形成电磁污染，不仅会对电子设备造成干扰，还会对人体健康产生威胁，是危害严重的“隐形杀手”，电磁污染已成为继大气污染、水污染、固体废弃物污染和噪声污染之后的第五大污染。针对电磁污染问题，最为有效的解决方法是采用电磁屏蔽技术，包括吸收式和反射式电磁屏蔽，均采用电磁屏蔽材料对电磁波进行屏蔽。不同的应用领域，对电磁屏蔽材料的要求也不同。在需要视觉观测的场合，需要采用透明电磁屏蔽材料，应用领域包括医用电磁隔离室观察窗、通讯设备透明电磁屏蔽元件、航空航天装备光窗、先进光学仪器光窗、保密设施防电磁泄露光窗、液晶显示屏、手机触屏、车载透明天线等。现有技术中，为了实现透明电磁屏蔽，一般使用透明电磁屏蔽膜。其中，屏蔽反射透明屏蔽膜会将电磁辐射反射回空间，对空间环境造成二次污染，无法彻底防治电磁污染。以氧化铟锡为主的透明金属氧化物薄膜，在可见光透明的场合应用广泛，但是其透光波段较窄，虽然微波屏蔽波段较宽，但是屏蔽能力不强，且材质较硬，柔性较差，无法较好地进行表面贴合。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种屏蔽膜，包括一基材层、一吸波导电层以及一保护层，所述基材层一面设有若干凹槽，所述凹槽中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，所述保护层至少覆盖所述吸波导电层，或至少覆盖所述吸波导电层及所述基材层具有所述凹槽的一面。根据本专利技术的目的提出的一种屏蔽膜，包括：基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有若干凹槽；吸波导电层，在所述凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波导电层。一种屏蔽膜，包括：基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均具有若干凹槽；第一吸波导电层，在所述第一表面的凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述第一吸波导电层，第二吸波导电层，在所述第二表面的凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述第二吸波导电层。优选地，所述网格是周期性的，或是非周期性的，或是随机的。优选地，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。优选地，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。优选地，所述网格远离所述第二表面的一面为平面、凸面或凹面。优选地，所述屏蔽层的高度小于所述凹槽的深度，或等于所述凹槽的深度，或大于所述凹槽的深度。优选地，所述屏蔽膜包括至少一保护层，所述保护层至少部分覆盖所述吸波导电层。优选地，所述基材层的第一表面进一步的设有聚合物层，所述聚合物层为透明热固化胶层，或为透明光固化胶层。优选地，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述吸波导电层采用金属或石墨烯或碳纳米管中掺杂碳化钛的材料。本专利技术还公开了一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作金属模板；(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底上直接压印或在基底上涂布固化胶，固化后形成图形化网格沟槽；(D)采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至图形化网格沟槽中，制作屏蔽膜。与现有技术相比，本专利技术公开的一种屏蔽膜的优点在于：所述屏蔽膜在将屏蔽材料和吸波材料进行掺杂填充，简化了多次填充工艺，结构简化，制造工艺相对简单，便于大批量生产，在保持透明特性的同时屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述屏蔽膜减少将电磁辐射反射回空间，有助于防治电磁辐污染。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例的截面示意图。图2为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第一种变体的截面示意图。图3为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第二种变体的截面示意图。图4为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第三种变体的截面示意图。图5为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例第四种变体的截面示意图。图6为本专利技术一种屏蔽膜的第二个较佳实施例的截面示意图。图7为本专利技术一种屏蔽膜的第三个较佳实施例的截面示意图。图8为本专利技术一种屏蔽膜的第四个较佳实施例的截面示意图。具体实施方式如图1所示为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例，所述屏蔽膜包括一基材层10、一吸波导电层20以及一保护层30。所述基材层10具有相对的一第一表面11和一第二表面12。所述第一表面11具有若干凹槽111，所述凹槽111在所述第一表面11上均匀分布。所述凹槽111在所述第一表面11上形成相互连通的网格，所述网格可以是具有周期性的或是非周期性的。图1中所述凹槽111的截面为长方形，但是需要注意的是，所述凹槽111的截面还可以设置为正方形，或者如图2所示的第一个较佳实施例第一种变体，所述凹槽111的截面可设置为梯形。值得注意的是，在所述凹槽111的间隔距离相同的情况下，所述凹槽111宽度为500nm时，所述屏蔽膜透光率较好，屏蔽性能较差，宽度为10um时透光率较差，屏蔽性能较好，优选所述凹槽111宽度为5μm，以实现透光率和屏蔽性能的平衡。所述凹槽111宽度相同时，凹槽111的间隔越大，透光率越好，屏蔽性能越差，所述凹槽111的间隔越小，透光率越差，屏蔽性越好，设定所述凹槽111的间隔距离范围为500nm至500μm，优选250μm。所述吸波导电层20由填充在所述凹槽111中的吸波导电材料共同构成，具体的，所述吸波导电层20包括若干吸波导电条21，所述吸波导电条21与所述凹槽111的数量相同，所述吸波导电条21分别设置于所述凹槽111内部，且所述吸波导电条21的高度小于所述凹槽111的深度。如图1所示，所述吸波导电条21远离所述第二表面12的一面为平面，但是该面不限于设置为平面，还可以设置为凸面或凹面。所述保护层30包括若干保护条31，所述保护条31与所述吸波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括：/n基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有若干凹槽；/n吸波导电层，在所述凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括：
基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有若干凹槽；
吸波导电层，在所述凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波导电层。


2.一种屏蔽膜，其特征在于，包括：
基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面均具有若干凹槽；
第一吸波导电层，在所述第一表面的凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述第一吸波导电层，
第二吸波导电层，在所述第二表面的凹槽中填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述第二吸波导电层。


3.如权利要求1或权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格是周期性的，或是非周期性的，或是随机的。


4.如权利要求1或权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。


5.如权利要求1或权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。


6.如权利要求1或权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格远离所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳花，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32