一种屏蔽膜及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽膜及其制造方法，所述屏蔽膜包括一基材层、至少一层吸波导电层、至少一层屏蔽层以及至少一层吸波层，所述基材层具有至少两层凹槽平行凹槽层，每层所述凹槽层由若干凹槽组成，至少一层所述凹槽层中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，且至少一层所述凹槽层中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层。所述屏蔽膜透明特性好，屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述双面屏蔽膜能有效的降低电磁辐射反射回空间，有利于减少电磁辐射的污染，同时屏蔽性能更佳，不易于被反射波探测到。

A kind of shielding film and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽膜及其制造方法
本专利技术涉及电磁屏蔽
，更准确的说涉及一种屏蔽膜及其制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，射频设备广泛使用。常见的射频设备如工业用电气设备、广播电视发射塔、无线通信网络、高压输电线、家电等，在工作时会向外传送电磁波能量，产生电磁辐射，电磁辐射会对人体或机器产生影响，其程度与它的能量大小直接相关，电磁辐射所产生的能量大小取决于其频率的高低，可按其频率排成从低到高的若干个等级，频率愈高，电磁辐射所产生的能量就愈大，过大的电磁辐射能量会破坏人体的生理组织分子。如今，射频设备在人类活动的场所大量装备，且频谱范围不断展宽，强度成倍增加，如果电磁辐射超过了人体或机器所能够承受的限度，即形成电磁污染，不仅会对电子设备造成干扰，还会对人体健康产生威胁，是危害严重的“隐形杀手”，电磁污染已成为继大气污染、水污染、固体废弃物污染和噪声污染之后的第五大污染。针对电磁污染问题，最为有效的解决方法是采用电磁屏蔽技术，包括吸收式和反射式电磁屏蔽，均采用电磁屏蔽材料对电磁波进行屏蔽。不同的应用领域，对电磁屏蔽材料的要求也不同。在需要视觉观测的场合，需要采用透明电磁屏蔽材料，应用领域包括医用电磁隔离室观察窗、通讯设备透明电磁屏蔽元件、航空航天装备光窗、先进光学仪器光窗、保密设施防电磁泄露光窗、液晶显示屏、手机触屏、车载透明天线等。现有技术中，为了实现透明电磁屏蔽，一般使用透明电磁屏蔽膜。其中，屏蔽反射透明屏蔽膜会将电磁辐射反射回空间，对空间环境造成二次污染，无法彻底防治电磁污染。以氧化铟锡为主的透明金属氧化物薄膜，在可见光透明的场合应用广泛，但是其透光波段较窄，虽然微波屏蔽波段较宽，但是屏蔽能力不强，且材质较硬，柔性较差，无法较好地进行表面贴合。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种屏蔽膜，包括一基材层、至少一层吸波导电层、至少一层屏蔽层以及至少一层吸波层，所述基材层具有至少两层凹槽平行凹槽层，每层所述凹槽层由若干凹槽组成，至少一层所述凹槽层中填充吸波导电材料形成所述吸波导电层，且至少一层所述凹槽层中填充屏蔽材料形成所述屏蔽层，所述吸波层至少覆盖所述屏蔽层。根据本专利技术的目的提出的一种屏蔽膜，包括基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面具有若干凹槽；吸波导电层，在所述基材层的第一表面的凹槽内填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波屏蔽层；屏蔽层，在所述基材层的第二表面的凹槽内填充屏蔽材料形成连通的网格构成所述屏蔽层；吸波层，至少部分覆盖所述屏蔽层，或至少部分覆盖所述屏蔽层和所述基材层的第二表面。优选地，所述基材层的第一表面和/或基材层的第二表面进一步的设有聚合物层，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。优选地，所述吸波导电层和屏蔽层的网格是周期性的或是非周期性的，所述吸波导电层的网格和所述屏蔽层的网格图案是相同的或是不同的。优选地，所述基材层第一表面的凹槽和所述基材层第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或存在至少一个不同。优选地，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。优选地，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。优选地，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。优选地，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述吸波导电层采用金属或石墨烯中掺杂碳化炭的材料。优选地，所述屏蔽膜包括一保护层，所述保护层至少覆盖所述吸波导电层，或所述吸波导电层和所述基材层的第一表面，或所述吸波层，或所述吸波层和所述基材层的第二表面。一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：(A)通过激光直写技术，在基板上制作图形化网格沟槽；(B)把基板置于电铸槽中，通过电铸技术制作模板；(C)以金属模板为母版，利用纳米压印技术，在柔性衬底相对的两面上直接压印形成图形化网格沟槽，或在柔性衬底相对的两面上涂布固化胶层，压印，固化后上形成图形化网格沟槽；(D)采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，再通过二次刮涂或转移技术把吸波材料填充至沟槽中制成屏蔽层和吸波层，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。优选地，所述步骤(D)为采用刮涂技术把导电浆料填充至一面的沟槽中，进一步为提高导电性，把其置于电沉积槽中，在此面的沟槽中继续沉积金属，之后通过刮涂或者转移技术把吸波层置于导电网格层上。一种屏蔽膜的制造方法，包括步骤：(A)采用激光直写技术制作掩模版；B)在导电基板上涂布光刻胶，通过掩模曝光技术在光刻胶层中形成图形化网格沟槽，并充分显影，显露出导电基底；(C)采用选择性电沉积技术，在导电基板一面显露的沟槽处实现金属沉积，其他光刻胶覆盖区域无金属沉积；(D)去除导电基材光刻胶，然后将金属基板上分别涂布一层固化胶，再将柔性衬底覆盖于固化胶上，经过固化后脱模，形成一层图形化导电层；(E)通过刮涂或转移技术，把吸波材料填充至沟槽中，形成吸波层，在柔性衬底的另一面直接压印图形化网格沟槽，或涂布固化胶，在固化胶上压印，固化后形成图形化网格沟槽，采用刮涂技术，把吸波导电浆料填充至另一面的图形化网格沟槽中制成吸波导电层，形成屏蔽膜。与现有技术相比，本专利技术公开的一种屏蔽膜的优点在于：所述屏蔽膜透明特性好，屏蔽能力较强，且柔性好，便于贴附，适用范围广；所述双面屏蔽膜减少将电磁辐射反射回空间，有助于防治电磁辐污染。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种屏蔽膜第一个较佳实施例的截面示意图。图2为本专利技术一种屏蔽膜第一个较佳实施例第一种变体的截面示意图。图3为本专利技术一种屏蔽膜第一个较佳实施例第二种变体的截面示意图。图4为本专利技术一种屏蔽膜第一个较佳实施例第三种变体的截面示意图。图5为本专利技术一种屏蔽膜第二个较佳实施例的截面示意图。图6为本专利技术一种屏蔽膜第二个较佳实施例第一种变体的截面示意图。图7为本专利技术一种屏蔽膜第三个较佳实施例的截面示意图。图8为本专利技术一种屏蔽膜第四个较佳实施例的截面示意图。具体实施方式如图1所示为本专利技术一种屏蔽膜的第一个较佳实施例，所述屏蔽膜包括一基材层10、一屏蔽层20、一吸波层30以及一吸波导电层50。所述基材层10具有相对的一第一表面11和一第二表面12。所述第一表面11上具有若干第一凹槽111，所述第一凹槽111在所述第一表面11上均匀分布；所述第二表面12上具有若干第二凹槽121，所述第二凹槽121在所述第二表面12上均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括/n基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面具有若干凹槽；/n吸波导电层，在所述基材层的第一表面的凹槽内填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波屏蔽层；/n屏蔽层，在所述基材层的第二表面的凹槽内填充屏蔽材料形成连通的网格构成所述屏蔽层；/n吸波层，至少部分覆盖所述屏蔽层，或至少部分覆盖所述屏蔽层和所述基材层的第二表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括
基材层，所述基材层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面具有若干凹槽；
吸波导电层，在所述基材层的第一表面的凹槽内填充吸波导电材料形成连通的网格构成所述吸波屏蔽层；
屏蔽层，在所述基材层的第二表面的凹槽内填充屏蔽材料形成连通的网格构成所述屏蔽层；
吸波层，至少部分覆盖所述屏蔽层，或至少部分覆盖所述屏蔽层和所述基材层的第二表面。


2.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层的第一表面和/或基材层的第二表面进一步的设有聚合物层，所述聚合物层为透明热固化胶，或为光固化胶。


3.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述吸波导电层和屏蔽层的网格是周期性的或是非周期性的，所述吸波导电层的网格和所述屏蔽层的网格图案是相同的或是不同的。


4.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层第一表面的凹槽和所述基材层第二表面的凹槽的宽度、高度、凹槽的间隔距离以及凹槽的截面是相同的或存在至少一个不同。


5.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的高度范围为500nm至10μm，所述凹槽的宽度范围为500nm至10μm，所述凹槽的间隔距离范围为500nm至500μm。


6.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述凹槽的截面为正方形、长方形或梯形。


7.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述网格的一面为平面、凸面或凹面。


8.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述基材层采用透明的热固化胶、光固化胶或PET、PC等柔性高分子材料，所述吸波导电层采用金属或石墨烯中掺杂碳化炭的材料。


9.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽膜包括一保护层，所述保护层至少覆盖所述吸波...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳花，徐建龙，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32