在半导体制造设备中用于持留化学品及减少污染的空气控制系统和方法技术方案

空气控制系统和／或化学品持留设备，用于来自半导体制造设备中湿法工作台装置的烟雾的环境控制。所述的空气控制系统适合于安装在敞口结构的湿法处理工作台或密闭的微环境湿法工作台，其包括气流源和气流排气装置（４），以使气流横向越过敞口化学品槽（６），以截留来自槽（６）内并可能由该槽（６）附近迁移的的化学烟雾，并采用来自气流源的空气将该烟雾输送到排气装置。化学品持留设备包括：（１）至少一个实体部分和至少一个切去部分的薄膜构件（１１２）；（２）位于薄膜构件（１１２）一侧的用来旋转移动所述薄膜构件（１１２）的第一卷型构件（１１８）；（３）与第一卷型构件（１１８）操作连接的用来转动所述第一卷型构件的动力驱动器；及（４）任选的，位于薄膜构件（１１２）另一侧的用来转动接受的薄膜（１１２）的第二卷型构件（１２２），其与第一卷型构件（１１８）的转动一致。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及在半导体制造操作中的环境控制，包括控制受控环境中的气流、抑制和捕获有害烟雾。具体地说，本专利技术涉及在半导体制造设备中改进的持留化学品和减少污染的设备、系统和方法。在一个具体的方面，本专利技术涉及捕获和减少有害化学烟雾的持留化学品的设备，所述烟雾是由半导体湿法处理系统中所用的化学槽释放的。另一方面，许多的半导体制造过程的步骤包括使用有毒或是对人类有害的化学品，其有必要使用局部的排气设备以控制、去除或减少来自所述化学品的烟雾。一般地说，排气系统的效率(即必要的排气能量以去除在一个具体的环境中的有害化学烟雾)是两个独立因素的函数操作台排气(“拉”力)和来自清洁室屋顶(“推”力)的层流气流。这两种气流的动力构成拉推系统，是排气系统工作的基础。在一个方面排气效率可由Ce(进入系数)来表征，其按美国政府工业卫生协会定义为给定的通风橱静态压力引起的实际气流与“假如静态压力能够以100％的效率转换为线速压力的理论气流之比。即实际与理论气流之比。”当Ce＝1.0时，可以获得最大可能的排气效率。通常Ce值的范围为0.2～0.7(对于高效的排气系统)。一般说来，空气进气口和废气排本文档来自技高网...

【技术保护点】
空气控制系统，其位置与含有产生烟雾的化学品槽相关连，用以截留烟雾并防止其逃逸，所述的空气控制系统包括：建造并安置的产生气流的过滤空气源；及包括接受气流的排气进口的气流排气装置；其中过滤气流源和气流排气装置的位置相互关联，这样由过 滤气流源产生的气流横向通过化学品槽的上表面，因此在化学品槽的表面产生的烟雾被捕获和被气流夹带，并输送到气流排气装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：W卡尔奥兰德，布鲁斯沃尔克，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]