【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有优异的热稳定性和反应性的气相沉积前驱物及其制备方法
本专利技术涉及通过气相沉积能够薄膜沉积的气相沉积化合物，尤其涉及能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优越的热稳定性和反应性的镍和钴前驱物，以及制备其的方法。
技术介绍
在晶片上使用前驱物通过表面反应形成绝缘膜或导电薄膜的原子层沉积(ALD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺中，合适的前驱物以及工艺设备的选择被认为是非常重要的。然而，使用镍(Ni)或钴(Co)作为中心金属并且具有适合于气相沉积的熔点、沸点、挥发性、粘度和热稳定性的有机金属前驱物的开发目前是不足的。具体地，由于与氧化反应气体(H2O、O2、O3等)的低的反应性，通常使用的基于醇盐的配体展现出非常低的薄膜生长速率，并且由于中心金属与烷基基团的反应性，基于酰胺基的配体可在200℃或更高的温度引起热分解。此外，基于β-二酮的配体具有低的挥发性，因为由于螯合结构与反应气体相互作用，基于二氨基的配体展现出低的配体离解速率，并且基于氨基-醇的配体具有降低的挥发性和升高的熔点的缺点...
【技术保护点】
1.一种由以下化学式1表示的化合物：/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170926 KR 10-2017-01239671.一种由以下化学式1表示的化合物：
[化学式1]
在化学式1中，
M是选自Ni和Co中的任何一个，
R1和R2各自独立地是氢；取代的或未取代的C1-C6直链的或支链的、饱和的或不饱和的烷基基团或其异构体，
R3和R4是取代的或未取代的C1-C4直链的或支链的、饱和的或不饱和的烷基基团或其异构体，
L1和L2是取代的或未取代的C1-C6直链的或支链的、饱和的或不饱和的烷基基团、NR5R6二烷基酰胺、NHR7单烷基酰胺、OR8醇盐或其异构体，以及
R5至R8是取代的或未取代的C1-C6直链的或支链的、饱和的或不饱和的烷基基团或其异构体。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述由化学式1表示的化合物通过以下化...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴正佑，昔壮衒，金孝淑，朴珉星，
申请(专利权)人：韩松化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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