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本发明涉及能够通过气相沉积的薄膜沉积的气相沉积化合物，尤其涉及能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优越的热稳定性和反应性的镍和钴前驱物，以及涉及制备其的方法。...
该专利属于韩松化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩松化学株式会社授权不得商用。

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