【技术实现步骤摘要】
NORD闪存的制造方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种NORD闪存的制造方法。
技术介绍
如图1所示，是现有NORD闪存的存储单元的剖面图；如图2所示，是现有NORD闪存的存储区域的版图，图1是沿图2中的虚线BB的剖面图；和通常NOR闪存的存储单元仅存储一位数据不同，现有NORD闪存的存储单元会存储两位数据，所述NORD闪存的存储单元区包括多个存储单元，在剖面结构上，各所述存储单元的栅极结构包括：第一栅极结构201、第二栅极结构202和第三栅极结构203。所述第一栅极结构201由形成于半导体衬底101表面的第一栅氧化层102、多晶硅浮栅103、多晶硅间介质层(IPO)104和多晶硅控制栅105叠加而成；所述多晶硅间介质层104中包含氮化硅层。所述第二栅极结构202由形成于半导体衬底101表面的第二栅氧化层106和多晶硅字线107组成。所述第三栅极结构203由形成于半导体衬底101表面的所述第一栅氧化层102、所述多晶硅浮栅103、所述多晶硅间介质层104和多晶硅控制栅105...
【技术保护点】
1.一种NORD闪存的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤一、完成多晶硅字线的端头切断之前的工艺，包括：采用多重侧墙自对准工艺形成NORD闪存的多晶硅浮栅、多晶硅控制栅和所述多晶硅字线；/n所述NORD闪存的存储单元区包括多个存储单元，在剖面结构上，各所述存储单元的栅极结构包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构；/n所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅氧化层、所述多晶硅浮栅、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述多晶硅间介质层中包含氮化硅层；/n所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第二栅氧化层和所述多晶硅字线组成；/n所述第三栅极结构由形成于半...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种NORD闪存的制造方法，其特征在于，包括步骤：
步骤一、完成多晶硅字线的端头切断之前的工艺，包括：采用多重侧墙自对准工艺形成NORD闪存的多晶硅浮栅、多晶硅控制栅和所述多晶硅字线；
所述NORD闪存的存储单元区包括多个存储单元，在剖面结构上，各所述存储单元的栅极结构包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构；
所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅氧化层、所述多晶硅浮栅、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述多晶硅间介质层中包含氮化硅层；
所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第二栅氧化层和所述多晶硅字线组成；
所述第三栅极结构由形成于半导体衬底表面的所述第一栅氧化层、所述多晶硅浮栅、所述多晶硅间介质层和多晶硅控制栅叠加而成；
所述第一栅极结构和所述第三栅极结构位于由自对准的所述第二栅极结构两侧；
所述第二栅极结构的所述多晶硅字线和两侧的所述多晶硅浮栅之间分别隔离有所述第二栅氧化层；所述第二栅极结构的所述多晶硅字线和两侧的所述多晶硅控制栅之间分别隔离有侧墙间隔层，所述侧墙间隔层中包含氮化硅层；
所述NORD闪存的俯视面结构中，同一行的所述存储单元的所述栅极结构的所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构分别呈条形结构，且同一行的条形结构中的所述第二栅极结构的所述多晶硅字线的长度小于两侧的所述多晶硅控制栅的长度；
相邻行之间的所述栅极结构之间具有间距；
步骤二、光刻定义出所述栅极结构的端头切断区域，所述栅极结构的端头切断区域位于所述存储单元区的外周；
步骤三、进行第一次刻蚀工艺将打开区域的所述多晶硅字线和所述多晶硅控制栅去除并停止在所述多晶硅间介质层的氮化硅层上；在各所述栅极结构的条形结构的两侧经过所述第一次刻蚀工艺之后的端头侧面处的所述侧墙间隔层暴露出来；
步骤四、形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述端头侧面、所述端头侧面内侧的所述多晶硅字线、所述多晶硅控制栅和所述侧墙间隔层的表面以及所述端头侧面外侧的所述多晶硅间介质层的表面；
步骤五、进行回刻在所述端头侧面形成保护侧墙，所述保护侧墙由回刻后的所述第三氧化层组成，回刻后所述端头侧面外的所述多晶硅间介质层的氮化硅层露出；
步骤六、采用第二次湿法刻蚀工艺去除所述多晶硅间介质层，在所述第二次湿法刻蚀工艺中，所述保护侧墙对所述端头侧面处的所述侧墙间隔层中的氮化硅层进行保护；
步骤七、进行第三次刻蚀工艺将所述端头侧面外的所述多晶硅浮栅去除。
技术研发人员：徐晓俊，熊伟，张剑，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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