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本发明公开了一种NORD闪存的制造方法，包括：步骤一、完成多晶硅字线的端头切断之前的工艺；步骤二、光刻定义出多晶硅字线的端头切断区域；步骤三、进行第一次刻蚀工艺将打开区域的多晶硅字线和多晶硅控制栅去除并停止在多晶硅间介质层的氮化硅层上；步骤...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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