一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法技术

本发明专利技术公开了一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，包括如下步骤：S1.在同等光照和同等曝光时间下，获取准分子激光退火后同一基板不同区域的Mura图像；S2.对获得的Mura图像进行图像处理；S3.通过将经历了所述图像处理的所述图像分析成灰阶强度标准差来进行Mura量化。本发明专利技术中，创造性地采用灰阶强度标准差进行Mura的量化评价，可量化评判准分子激光退火工艺后多晶硅的质量，弥补了人眼主观感受评价缺陷，使Mura的判断有一个统一的标准和可量化的指标，减少人为的主观因素造成产品质量偏差，有利于严格控制产品的质量，更能科学和客观地评判准分子激光退火工艺后多晶硅的质量参数，具有重要的应用意义。

A quantitative method of mura based on excimer laser annealing

【技术实现步骤摘要】
一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePolySilicon，简称LTPS)薄膜由于其原子排列规则，载流子迁移率高（10-300cm2/Vs），应用于等电子元器件时，可使TFT具有更高的驱动电流，因此，在TFT的制作工艺中广泛采用LTPS薄膜作为TFT的核心结构之一的有源层的材料。目前，在现代TFT制造工艺中，多采用准分子激光退火(Excimerlaserannealing，ELA)的方法形成多晶硅有源层。其中，ELA法主要通过一定能量的准分子激光对非晶硅薄膜进行激光照射，利用激光光束的能量使非晶硅在高温下转变成LTPS。ELA形成的多晶硅TFT具有迁移率很高的优点。但由于所用激光能量的不稳定性和光束不同位置能量的不均匀性，会导致得到的多晶硅结晶率、晶粒大小和内部缺陷密度不同。这些差异又与TFT的临界电压（Vth）和迁移率紧密相关，反应到OLED显示器中就会出现发光亮度不均匀（Mura）。当前，基于准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1. 在同等光照和同等曝光时间下，获取准分子激光退火后同一基板不同区域的Mura图像；/nS2.对获得的Mura图像进行图像处理；/nS3.通过将经历了所述图像处理的所述图像分析成灰阶强度标准差来进行Mura量化。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.在同等光照和同等曝光时间下，获取准分子激光退火后同一基板不同区域的Mura图像；
S2.对获得的Mura图像进行图像处理；
S3.通过将经历了所述图像处理的所述图像分析成灰阶强度标准差来进行Mura量化。


2.如权利要求1所述的基于准...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨曲，周波，马春华，林锦辉，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51