一种可进行超精件研磨的抛光丸片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可进行超精件研磨的抛光丸片的制备方法，包含以下步骤：以1KG料粉为基准：取99‑99.5％的氧化铈与1‑0.5％在容器内进行混合0.5‑1h，其中氧化铈的的粒度为铜粉的50‑200倍，制得混合粉；将上述混合粉进行搓磨处理，磋磨时间为1h；再将上述处理后的混合粉加热至300‑400℃，并移至到圧模内；然后压制而成，压制力量为100kg/0.785cm

A kind of polishing pill and its preparation method for ultra precision grinding

【技术实现步骤摘要】
一种可进行超精件研磨的抛光丸片及其制备方法
本专利技术涉及抛光材料领域，具体涉及一种可进行超精件研磨的抛光丸片及其制备方法。
技术介绍
众所周知，光刻是芯片产业技术含量最高的步骤，也是目前国产技术攻关难度最大的环节。AMSL生产的EUV光刻机售价高达上亿美元，最主要的该公司严格对技术封锁，一般不对外输出，因此这也是其它国家（包括我国）对于芯片领域的发展是比较落后的，目前全世界在芯片领域的领跑者只有因特尔、AMD；当然我国的台积电也不差。对于芯片的制造过程中，其中技术含量最高的一步就是光刻，也是目前国产技术攻关难度最大的环节，光刻完成后集成电路就基本成型了；而在光刻过程中，需要对芯片进行抛光打磨，抛光打磨的质量严重影响芯片的各项性能，这也是目前我国芯片制造技术落后的原因之一，既抛光打磨材料（金刚石树脂丸片）本身存在问题，难以打磨出符合使用精度的表面。目前，金刚石丸片主要用于打磨精密镜片、芯片等具有高精度表面要求的结构件，而用抛光革或者抛光片来对精密镜片或者芯片进行抛光；金刚石丸片只能对精密件进行粗磨，而无法进行精抛（抛和磨严格上讲是两个不同的精度级别），而在抛光过程中，一般会使用抛光片或抛光革进行实施；既先打磨、后抛光的方案进行加工。上述抛光材料在使用时，由于抛光过程会导致局部温度升高（如最内圈温度会高于边沿温度），既抛光材料表面温度不均匀，温度不均匀不会会导致导致抛光片出现塌边现象，同时也会导致抛光片软硬不同；塌边会导致加工出来的精密件表面不仅会形成光圈，而且光圈不稳定，光圈会严重影响精密件的使用性能；软硬不同会严重影响磨削率，磨削率差便会出现非常现实的问题——不具有真正的生产力。同时目前的精加工过程中，抛光和打磨用的是不同的材质，若始终用打磨丸片进行打磨，则精密件的表面光泽度无法保证；若始终用抛光片进行加工，则磨削率严重拖慢，不具有生产力。因此探索一种具有高稳定性、较高磨削率、表面光泽度稳定的抛光材料对于目前的精密件领域来说是具有革命性意义的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可进行超精件研磨的抛光丸片及其制备方法；以解决上述
技术介绍
中提到的问题；同时本申请制作简单，可生产性优势十分明显；此外，本申请结合度高，完全避免了打磨过程中掉料问题的发生。一种可进行超精件研磨的抛光丸片，其特征是包含如下原料：氧化铈99-99.5％铜粉1-0.5％。一种可进行超精件研磨的抛光丸片的制备方法，其特征在于包含以下步骤：以1KG料粉为基准：A、取99-99.5％的氧化铈与1-0.5％在容器内进行混合0.5-1h，其中氧化铈的的粒度为铜粉的50-200倍，制得混合粉；B、将上述混合粉进行搓磨处理，磋磨时间为1h；C、再将上述处理后的混合粉加热至300-400℃，并移至到圧模内；D、然后压制而成，压制力量为100kg/0.785cm2。进一步，所述铜粉的粒度为0.2-0.6μm，氧化铈的粒度为50-200μm。进一步，所述氧化铈具体份额包括有99％，铜粉是1％；氧化铈为99.5％，铜粉为0.5％。本专利技术的有益效果在于：第一，本专利技术通过氧化铈铜粉在一定条件下压制而成的抛光丸，其不仅具有金刚石的磨削率，同时还具有抛光片（革）的精抛性，性能优越明显，为我国芯片发展、精密件的发展具有革命性进步。第二，本申请中的抛光丸片完全能够取代抛光片、抛光革在高精度表面处理的应用，其相对于这类材料，不会由于在抛光过程中温度变化而导致抛光丸片的软硬变化，也不会出现塌边问题，在抛光过程中，避免了出现不稳定光圈的问题。第三，本专利技术制成抛光丸片，通过磋磨的能够使氧化铈和铜粉充分混合，在两种成分的粒度表面会充分接触，保证在使用过程中不掉块，仅通过普通混合的方式，最终加工出来的抛光丸片掉块、开裂严重，粒子之间的粘合性差，严重影响正常使用。第四，其抛光速度快以及抛光效率高。附图说明图1为本专利技术的样品图示。图2为本专利技术的样品立体图示。具体实施方式为了便于本领域普通技术人员理解和实施本专利技术，下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步的详细描述，应当理解，此处所描述的实施示例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一种可进行超精件研磨的抛光丸片的制备方法，其特征在于包含以下步骤：以1KG料粉为基准：先取99-99.5％的氧化铈与1-0.5％在容器内进行搅拌混合，混合时间为0.5-1h，其中氧化铈的的粒度为铜粉的50-200倍，如铜粉选用0.6μm，则氧化铈粉末选用60μm进行混合，制得混合粉料，铜粉具有粘合作用，将氧化铈粘合形成具有稳定形状的结构；将上述混合粉料进行磋磨处理，磋磨时间为1h，磋磨能够使铜粉充分与氧化铈进行混合，并且能够使被磋磨更细的铜粉尽量多的包裹粘连到氧化铈颗粒表面，确保在使用过程中不开裂和掉料；再将上述经过磋磨处理后的混合粉加热至300-400℃，该温度下铜粉未融化，但已变软；然后移至到圧模内，进行挤压成型；挤压压力为100kg/0.785cm2为宜，制得的抛光丸片磨削率大，且整体性强，不易掉块（料），抛光后的精密件表面不会产生光圈。实施例1以1KG料粉为基准：先取质量为0.99kg、粒度为60μm的氧化铈与质量为0.01kg、粒度为0.6μm的铜粉在容器（如搅拌器）内进行搅拌混合，搅拌尽量使其均匀混合，加入混合两者料粉时，应当采用边搅拌边加入的方式，搅拌时间为0.5h；搅拌完成后，再将其进行磋磨处理（可采用磋磨机进行磋磨），磋磨时间为1h；再将磋磨处理后的混合粉料加热至400℃，为生产出的抛光丸色泽均匀，防止铜粉氧化，加热时应尽量在真空炉内加热；将上述料粉加热后，再移入压模内用100kg/0.785cm2的力量进行挤压成型，制得抛光丸片。实施例2以1KG料粉为基准：先取质量为0.995kg、粒度为30μm的氧化铈与质量为0.005kg、粒度为0.2μm的铜粉在容器（如搅拌器）内进行搅拌混合，搅拌尽量使其均匀混合，加入混合两者料粉时，应当采用边搅拌边加入的方式，搅拌时间为1h；搅拌完成后，再将其进行磋磨处理（可采用磋磨机进行磋磨），磋磨时间为1h；再将磋磨处理后的混合粉料加热至300℃，为生产出的抛光丸色泽均匀，防止铜粉氧化，加热时应尽量在真空炉内加热；将上述料粉加热后，再移入压模内用100kg/0.785cm2的力量进行挤压成型，制得抛光丸片。实施例3先取质量为0.995kg、粒度为40μm的氧化铈与质量为0.005kg、粒度为0.4μm的铜粉在容器（如搅拌器）内进行搅拌混合，搅拌尽量使其均匀混合，加入混合两者料粉时，应当采用边搅拌边加入的方式，搅拌时间为0.8h；搅拌完成后，再将其进行磋磨处理（可采用磋磨机进行磋磨），磋磨时间为1h；再将磋磨处理后的混合粉料加热至350℃，为生产出的抛光丸色泽均匀，防止铜粉氧化，加热时应尽量在真空炉内加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可进行超精件研磨的抛光丸片，其特征是，包含如下原料：/n氧化铈 99-99.5％/n铜粉 1-0.5％。/n

【技术特征摘要】
1.一种可进行超精件研磨的抛光丸片，其特征是，包含如下原料：
氧化铈99-99.5％
铜粉1-0.5％。


2.一种可进行超精件研磨的抛光丸片的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
以1KG料粉为基准：
A、取99-99.5％的氧化铈与1-0.5％在容器内进行混合0.5-1h，其中氧化铈的的粒度为铜粉的50-200倍，制得混合粉；
B、将上述混合粉进行搓磨处理，磋磨时间为1h；
C、再将上述处理后的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海龙，张磊，王建军，
申请(专利权)人：包头中科雨航抛光材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙;15