化合物、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于OLED技术领域并提供一种氮杂芘化合物，其具有化学式1所示的结构，其中，X

Compounds, display panels and display devices

【技术实现步骤摘要】
化合物、显示面板和显示装置
本专利技术涉及有机电致发光材料
，具体地涉及一种氮杂芘化合物以及包含该化合物的显示面板以及显示装置。
技术介绍
OLED经过几十年的发展，已经取得了长足的进步。虽然OLED内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有20％左右。OLED发出的大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量能量损失。在顶发射器件中，通过在半透明金属铝电极上蒸镀一层有机覆盖层(盖帽层，CappingLayer，CPL)，以调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升OLED器件的发光效率。OLED对CPL材料的性能具有很高的要求：在可见光波长区域内(400nm～700nm)尽可能无吸收；高的折射率，在400nm～600nm波长范围具有小的消光系数；高的玻璃化转变温度和分子热稳定性(玻璃化转变温度高，同时允许蒸镀且不发生热分解)。现有的CPL材料多采用芳香胺衍生物、磷氧基衍生物和喹啉酮衍生物，兼具空穴传输和电子传输功能，一定程度上提高了光的取出效率。然而现有的CPL材料的折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求；具有高折射率的特定结构的胺衍生物及使用符合特定参数的材料改善了光取出效率，但是没有解决发光效率低的问题(特别是对于蓝光发光元件)。现有技术的材料为了使分子的密度增加，并达到高的热稳定性，设计出的分子结构很大并且疏松，分子间不能达到紧密的堆积，从而造成在蒸镀时分子凝胶孔洞太多，覆盖紧密性不良。因此，需要开发一种新型的CPL材料，从而提升OLED器件的性能。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的一方面提供一种化合物，所述化合物具有化学式1所示的结构：其中，X1～X4分别独立地表示N原子或C-Ra，X1～X4中1-2个为N原且X1和X2不同时为氮原子，X3和X4不同时为氮原子；Ra选自氢、氘、氟、取代或未取代的Cl-C20烷基、取代或未取代的Cl-C20烷氧基、取代或未取代的Cl-C20硫代烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的C3-C30杂芳基；Ra独立地存在或与相邻的碳原子形成取代或未取代的脂肪环、取代或未取代的芳香环、或取代或未取代的杂芳环；Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基；m和n各自独立地选自0、1、2、3，m和n不同时为0；L1和L2独立地为单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；p和q各自独立地选自0、1、2。本专利技术的化合物用作有机发光器件的CPL(盖帽层)的材料时，具有较高的折射率，可以有效提高有机发光器件的外量子效率(EQE)。此外，本专利技术的化合物在蓝光区域(400-450nm)具有较小的消光系数，对蓝光几乎没有吸收，从而利于提升发光效率。本专利技术还提供一种包含本专利技术所述的氮杂芘化合物的显示面板和显示装置。附图说明图1是本专利技术实施例提供的化合物的化学通式；图2是本专利技术实施例提供的一种OLED器件的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式下面通过实施例和对比例进一步说明本专利技术，这些实施例只是用于说明本专利技术，本专利技术不限于以下实施例。凡是对本专利技术技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的范围，均应涵盖在本专利技术的保护范围中。本专利技术的一方面提供一种化合物，所述化合物具有化学式1所示的结构：其中，X1～X4分别独立地表示N原子或C-Ra，X1～X4中1-2个为N原且X1和X2不同时为氮原子，X3和X4不同时为氮原子；Ra选自氢、氘、氟、取代或未取代的Cl-C20烷基、取代或未取代的Cl-C20烷氧基、取代或未取代的Cl-C20硫代烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的C3-C30杂芳基；Ra独立地存在或者与相邻的碳原子形成取代或未取代的脂肪环、取代或未取代的芳香环、或取代或未取代的杂芳环；Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基；m和n各自独立地选自0、1、2、3，m和n不同时为0；L1和L2独立地为单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；p和q各自独立地选自0、1、2。本专利技术的化合物用作有机发光器件的CPL(盖帽层)的材料时，具有较高的折射率，可以有效提高有机发光器件的外量子效率(EQE)。此外，本专利技术的化合物在蓝光区域(400-450nm)具有较小的消光系数，对蓝光几乎没有吸收，从而利于提升发光效率。在本专利技术所述化合物的一种实施方式中，X1和X3为氮原子，X2和X4为C-Ra；或X1和X4为氮原子，X2和X3为C-Ra；其中，Ra为H原子。在这种实施方式，氮原子位于氮杂芘对角的位置，避免了偶氮结构可能带来的热不稳定性，同时也避免了偶氮结构对可见光的吸收，从而使本专利技术的氮杂芘化合物适合用作光学盖帽层(CPL)的材料。在本专利技术所述化合物的一种实施方式中，X1和X3为氮原子，X2和X4为C-Ra；或X1和X4为氮原子，X2和X3为C-Ra；其中，Ra为甲基。在这种实施方式中，化合物除了具有良好的稳定性以及对可见光的零吸收率以外，甲基的引入使得化合物更易于合成，因为含有甲基的原化合物原料来源广泛，且中间体合成也相对容易。在本专利技术所述化合物的一种实施方式中，Ar1和Ar2独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的吲哚并苯并呋喃基、取代或未取代的吲哚并苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基、取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基。在本专利技术所述化合物的进一步的实施方式中，所述取代或未取代的苯基为邻联苯基、间联苯基或对联苯基；所述取代或未取代的联苯基为邻三联苯基、间三联苯基、或对三联苯基；所述取代或未取代的三联苯基为邻四联苯基、间四联苯基、或对四联苯基；所述取代或未取代的芴基为1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基；所述取代或未取代的螺二芴基为1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基；所述取代或未取代的萘基为1-萘基或2-萘基；所述取代或未取代的咔唑基为1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基；所述取代或未取代的二苯并呋喃基为1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃、3-二苯并呋喃或4-二苯并呋喃；所述取代或未取代的二苯并噻吩基为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有化学式1所示的结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有化学式1所示的结构：



其中，X1～X4分别独立地表示N原子或C-Ra，X1～X4中1-2个为N原且X1和X2不同时为氮原子，X3和X4不同时为氮原子；
Ra选自氢、氘、氟、取代或未取代的Cl-C20烷基、取代或未取代的Cl-C20烷氧基、取代或未取代的Cl-C20硫代烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的C3-C30杂芳基；Ra独立地存在或与相邻的碳原子形成取代或未取代的脂肪环、取代或未取代的芳香环、或取代或未取代的杂芳环；
Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基；m和n各自独立地选自0、1、2、3，m和n不同时为0；
L1和L2独立地为单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；p和q各自独立地选自0、1、2。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，
X1和X3为氮原子，X2和X4为C-Ra；或X1和X4为氮原子，X2和X3为C-Ra；其中，Ra为H原子。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，X1和X3为氮原子，X2和X4为C-Ra；或X1和X4为氮原子，X2和X3为C-Ra；其中，Ra为甲基。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的吲哚并苯并呋喃基、取代或未取代的吲哚并苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃嘧啶基、取代或未取代的苯并噻吩嘧啶基。


5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Ar1和Ar2各自独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、萘基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、菲基、三亚苯基中的一种或多种...

【专利技术属性】
技术研发人员：代文朋，高威，牛晶华，张磊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35