晶片载置台及其制法制造技术

本发明专利技术的晶片载置台(10)，在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

Wafer mount and its fabrication

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片载置台及其制法
本专利技术涉及晶片载置台及其制法。
技术介绍
现今，公知一种在处理晶片中使用的晶片载置台。作为晶片载置台，有陶瓷加热器、静电卡盘、基座(内置有等离子体产生用的电极)等。例如，专利文献1中公开以下内容：作为这样的晶片载置台，在具有晶片载置面的陶瓷基体的内部，从离晶片载置面较近的一侧以与晶片载置面平行的方式埋设有圆板状的第一电极和外径比第一电极的外径大的环状的第二电极。第一电极与第二电极经由导通部电导通。专利文献1中公开有如图9所示地呈Z字形折曲并由金属网构成的导通部等。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-163259号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在对载置于晶片载置面的晶片实施等离子体处理时，在导通部流动高频电流。此时，若采用图9的导通部，则第一电极与第二电极之间的导通路径呈Z字形，因而比第一电极与第二电极之间的距离长很多，在流动高频电流时的阻抗变高。其结果，导通部的发热量变大，导通部的上方部位异常变得高温，有均热性变差的问题。本专利技术是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于：在以经由导通部导通的方式埋设有相互平行的第一电极以及第二电极的晶片载置台中，使晶片的均热性变得良好。用于解决课题的方案本专利技术的晶片载置台在具有晶片载置面的陶瓷基体的内部，从离上述晶片载置面较近的一侧以与上述晶片载置面平行的方式埋设第一电极和第二电极，并且具备将上述第一电极与上述第二电极电导通的导通部，<br>上述晶片载置台的特征在于，上述导通部是在上述第一电极与上述第二电极之间重叠多片与上述晶片载置面平行的板状的金属网部件而成。在该晶片载置台中，导通部是在第一电极与第二电极之间重叠多片与晶片载置面平行的板状的金属网部件而成的。这样的导通部的导通路径跟第一电极与第二电极之间的距离大致相同，而且金属网部件彼此多点接触，因而与例如呈Z字形地折曲的金属网相比，在流动高频电流时的阻抗变低。因此，能够防止导通部的上方部位异常变得高温，能够使晶片的均热性变得良好。此外，“平行”除包括完全平行的情况之外，还包括实际上平行的情况(例如在公差范围内的情况等)。在本专利技术的晶片载置台中，上述陶瓷基体的材料优选进入上述金属网部件的网眼空间。这样，在强度方面有利。在本专利技术的晶片载置台中，上述第一电极以及上述第二电极用作静电电极来使、或者用作RF电极、又或者用作静电电极以及RF电极的双方。在本专利技术的晶片载置台中，可以使上述第一电极为圆板电极，并使上述第二电极为直径比上述第一电极的直径大且与上述第一电极成同心圆的圆板电极或者环状电极，但上述第一电极以及上述第二电极优选均是圆板电极。在第一电极是圆板电极且第二电极是环状电极的情况下，在从晶片载置面之上观察第一电极时，在第一电极中有与第二电极重叠的双层部分(设有导通部的部分)和不与第二电极重叠的单层部分，因而有在双层部分和单层部分中对晶片产生的影响不同的担忧。相对于此，在第一电极以及第二电极均是圆板电极的情况下，当从晶片载置面之上观察第一电极时，第一电极整体与第二电极重叠，因而没有那样的担忧。在本专利技术的晶片载置台中，也可以为，在上述陶瓷基体的上述晶片载置面的外侧，具有比上述晶片载置面低的环状台阶面，上述第一电极设置为与上述晶片载置面相对，上述第二电极设置为至少一部分与上述环状台阶面相对。这样，能够将环状台阶面用于载置聚焦环的面。本专利技术的晶片载置台的制法包括：(a)从埋设有第一电极或者其前驱体的陶瓷加压成形体的一个面至第一电极或者其前驱体为止挖掘用于配置导通部的孔的工序；(b)在上述孔内，以与上述第一电极或者其前驱体平行的方式重叠地放入多片板状的金属网部件，并使最上层的上述金属网部件到达上述孔的口的工序；(c)在上述陶瓷加压成形体的上述一个面，以与上述第一电极平行并与最上层的上述金属网部件接触的方式设置第二电极或者其前驱体的工序；(d)以覆盖上述第二电极或者其前驱体的方式在上述陶瓷加压成形体的上述一个面铺设陶瓷粉末并进行加压成形，由此获得层叠体的工序；以及(e)对上述层叠体进行热压烧成的工序。该晶片载置台的制法适于制造上述的任一个晶片载置台。在该制法中，重叠多片板状的金属网部件来制作导通部。重叠有多片金属网部件的多层体具有收缩性。因此，在热压烧成时，该多层体不会妨碍陶瓷粉末的烧结及收缩。并且，容易控制第一电极与第二电极的距离。在本专利技术的晶片载置台的制法中，还可以为，工序(b)中，在孔内重叠放入多片金属网部件，之后在该孔内放入陶瓷粉末，由陶瓷粉末填埋金属网部件的网眼空间。这样，由于陶瓷粉末进入金属网部件的网眼空间，所以与网眼空间为空腔的情况相比，在烧成时难以在陶瓷基体产生裂缝。此外，第一电极的前驱体在烧成后成为第一电极等，例如可以举出导电膏的印刷物)等。第二电极的前驱体也与此相同。附图说明图1是晶片载置台10的纵剖视图。图2是晶片载置台10的俯视图。图3是圆形部件32的立体图。图4是导通部30的剖视图。图5是晶片载置台10的制造工序图。图6是多片重叠而成的圆形部件32的热压烧成前后的剖视图。图7是示出晶片载置台10的使用例的说明图。图8是晶片载置台110的纵剖视图。图9是由呈Z字形折曲的金属网构成的导通部的立体图。具体实施方式以下参照附图对本专利技术优选的实施方式进行说明。图1是晶片载置台10的纵剖视图(以通过陶瓷基体12的中心轴的面剖切时的剖视图)，图2是晶片载置台10的俯视图，图3是圆形部件32的立体图，图4是导通部30的剖视图。此外，图2中省略了聚焦环FR。晶片载置台10用于利用等离子体对晶片W进行CVD、蚀刻等，配置于半导体加工用的未图示的腔室。该晶片载置台10在陶瓷基体12的内部具备第一电极21、第二电极22、以及导通部30。陶瓷基体12是由以氮化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铝等为代表的陶瓷材料构成的圆板状的板。陶瓷基体12具备圆形的晶片载置面12a、比晶片载置面12a低一层地设于该晶片载置面12a的外侧的聚焦环载置面12b、以及晶片载置面12a的相反侧的背面12c。在陶瓷基体12的内部，从离晶片载置面12a较近的一侧以与晶片载置面12a平行(实际上包括平行的情况，以下相同)的方式埋设有第一电极21和第二电极22。在陶瓷基体12的晶片载置面12a、聚焦环载置面12b，通过模压加工形成有未图示的多个凹凸。向设于晶片载置面12a的凹部与载置于晶片载置面12a的晶片W之间、设于聚焦环载置面12b的凹部与载置于聚焦环载置面12b的聚焦环FR之间，通过未图示的气体供给路从背面12c侧供给导热用的气体(例如氦气)。聚焦环FR以不与晶片W干涉的方式沿上端部的内周具备台阶。第一电极21是与陶瓷基体12成同心圆的圆板电极，并设置为与晶片载置面12a相对。第一电极21由以钼、钨或者碳化钨为主要成分的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片载置台，在具有晶片载置面的陶瓷基体的内部，从离上述晶片载置面较近的一侧以与上述晶片载置面平行的方式埋设第一电极和第二电极，并且具备将上述第一电极与上述第二电极电导通的导通部，/n上述晶片载置台的特征在于，/n上述导通部是在上述第一电极与上述第二电极之间重叠多片与上述晶片载置面平行的板状的金属网部件而成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171024 US 62/576,2401.一种晶片载置台，在具有晶片载置面的陶瓷基体的内部，从离上述晶片载置面较近的一侧以与上述晶片载置面平行的方式埋设第一电极和第二电极，并且具备将上述第一电极与上述第二电极电导通的导通部，
上述晶片载置台的特征在于，
上述导通部是在上述第一电极与上述第二电极之间重叠多片与上述晶片载置面平行的板状的金属网部件而成。


2.根据权利要求1所述的晶片载置台，其特征在于，
上述陶瓷基体的材料进入上述金属网部件的网眼空间。


3.根据权利要求1或2所述的晶片载置台，其特征在于，
上述第一电极以及上述第二电极用作静电电极、或者用作RF电极、又或者用作静电电极以及RF电极的双方。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片载置台，其特征在于，
上述第一电极是圆板电极，上述第二电极是直径比上述第一电极的直径大且与上述第一电极成同心圆的圆板电极或者环状...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤塚祐司，石川征树，曻和宏，服部亮誉，中村圭一，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP