一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法技术

一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明专利技术涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明专利技术预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100‑300mm/s，切割频率30‑90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4‑2/3，切割痕宽度20um‑60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本发明专利技术具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。

A new blue film processing method for GPP chips

【技术实现步骤摘要】
一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法
本专利技术涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。
技术介绍
目前蓝膜芯片普遍的加工工艺是将GPP（GPP中文名称:玻璃钝化）芯片贴蓝膜后使用刀片全切穿成散粒状态，因为刀片的机械应力损伤较大，且GPP芯片使用玻璃做钝化层，其脆性较差，晶粒易受应力作用产生内部损伤，同时晶粒与蓝膜间的致密性导致这种损伤未能及时发现，最终造成终端的晶粒损破，导致产品品质下降。在半导体市场竞争越演越烈的今天，随着客户端自动抓晶机的逐渐导入和PPH值不断提升，市场上的蓝膜需求量越来越大，而现有刀片切割蓝膜产品的效率低，应力损伤大，故研究一种高效率、高品质、低风险的GPP芯片蓝膜加工工艺对占有市场具有重大的意义。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本专利技术的技术方案是：一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：1.1）激光半切穿；将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;1.3）N面揭裂片保护膜；将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；1.4）贴蓝膜；将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。步骤1.3）中的晾干时间为10min。本专利技术预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100-300mm/s，切割频率30-90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4-2/3，切割痕宽度20um-60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本专利技术具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。附图说明图1是步骤1.3时的芯片状态示意图，图2是步骤1.4时贴蓝膜的状态示意图，图3是利用本案工艺加工完成后的状态示意图（蓝膜没有损伤），图4是利用
技术介绍
加工工艺完成后的状态示意图（图中蓝膜有损伤，椭圆圈出区域）。具体实施方式本专利技术如图1-2所示，一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：1.1）激光半切穿；将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;1.3）N面揭裂片保护膜；将菲林版（也可称为裂片保护膜）的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；（车间洁净度确保在百万级以上，车间温度为15-26℃）1.4）贴蓝膜；将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。步骤1.3）中的晾干时间为10min。实施例一将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。实施例二将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。实施例三将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。原切割工艺中，刀切是带着蓝膜一起切割，蓝膜的厚度是0.07mm，晶片厚度是0.3mm，所以蓝膜切割基本在业内很难避免，加工报废率高，通过本案工艺，利用激光切割成散粒再贴膜，蓝膜没有损伤，提供了产品的合格率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1.1）激光半切穿；/n将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；/n1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；/n在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;/n1.3）N面揭裂片保护膜；/n将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；/n1.4）贴蓝膜；/n将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
1.1）激光半切穿；
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；
1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；
在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;
1.3）N面揭裂片保护膜；
将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；
1.4）贴蓝膜；
将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。


2.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：周荣，廖智炜，李英男，王林，王毅，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32