【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有动态高速缓冲存储器管理的存储器装置
所揭示的实施例涉及存储器装置，且具体地说，涉及具有用于高速缓冲存储器功能的动态管理的机制的存储器装置。
技术介绍
存储器系统可使用存储器装置存储及存取信息。所述存储器装置可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置或组合装置。所述非易失性存储器装置可包含使用“NAND”技术或逻辑门、“NOR”技术或逻辑门或其组合的快闪存储器。例如快闪存储器的存储器装置利用电荷连同对应阈值电平或处理电压电平来存储及存取数据。在存储数据时，存储器装置可具有提供较快操作速度的一些存储部分，及提供较高存储容量及/或密度的其它存储部分。虽然已进行尝试将存储器装置优化以最佳地采用这些不同能力，但各种挑战(例如众多不同使用条件、由用途引起的快闪存储器装置的性能特性的改变等等)已使充分利用不同特性困难重重。因此，需要一种具有动态高速缓冲存储器管理的存储器装置。鉴于不断增长的商业竞争压力，连同区分市场中的产品的增长的消费者期望及需求，日益需要找到对这些问题的答案。另外，降低成本、改进效率及性能并符合竞争压...
【技术保护点】
1.一种存储器系统，其包括：/n存储器阵列，其包含多个存储器胞元；及/n控制器，其耦合至所述存储器阵列，所述控制器经配置以：/n选择存储有效数据的垃圾收集GC源块，/n计算用于表示所述GC源块内的所述有效数据的量的用于所述GC源块的有效数据度量，及/n基于所述有效数据度量指定用于可用存储器块的存储模式，/n其中所述存储模式用于控制存储于所述可用存储器块的存储器胞元中的位的数目以用于后续或即将到来的数据写入。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170831 US 15/693,1781.一种存储器系统，其包括：
存储器阵列，其包含多个存储器胞元；及
控制器，其耦合至所述存储器阵列，所述控制器经配置以：
选择存储有效数据的垃圾收集GC源块，
计算用于表示所述GC源块内的所述有效数据的量的用于所述GC源块的有效数据度量，及
基于所述有效数据度量指定用于可用存储器块的存储模式，
其中所述存储模式用于控制存储于所述可用存储器块的存储器胞元中的位的数目以用于后续或即将到来的数据写入。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经进一步配置以基于比较所述有效数据度量与决策阈值来指定用于所述存储模式的单层胞元SLC模式。
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述控制器经配置以基于表示存储于所述GC源块中的所述有效数据的阈值量的所述决策阈值指定所述SLC模式，其中所述阈值量是可配置的，且大于零并小于所述GC源块的总容量的25％。
4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述阈值量为所述GC源块的总容量的10％。
5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经进一步配置以针对对应于用于所述后续或即将到来的数据写入的主机光标的所述可用存储器块指定所述存储模式。
6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经进一步配置以针对对应于用于所述后续或即将到来的数据写入的GC光标的所述可用存储器块指定所述存储模式。
7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经进一步配置以：
确定用于所述存储器阵列的低逻辑饱和状态；及
基于所述低逻辑饱和状态指定用于所述存储模式的SLC模式。
8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经配置以将所述存储模式指定为在稳态下的SLC模式。
9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述控制器经进一步配置以针对用于利用能够持有所述数据的多个位的附加层胞元XLC单元的动态SLC高速缓冲存储功能指定所述存储模式，以在所述SLC模式中操作及每胞元存储一个位作为高速缓冲存储器。
10.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经配置以当所述有效数据度量不小于决策阈值时指定用于所述存储模式的XLC模式。
11.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经配置以选择包含在SLC模式中操作的所述存储器胞元的分组的所述GC源块。
12.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器胞元是非易失性的。
13.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器经配置以将所述存储模式指定为用于所述后续或即将到来的数据写入的SLC模式，而不管先前在所述SLC模式中写入的所述数据的量。
14.根据权利要求1所述的存储器系统，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·马奇诶拉，P·菲利，A·马尔谢，D·J·哈伯德，C·S·哈立，K·R·布兰特，S·R·瑞特南，李云，M·S·汉密尔顿，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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