用于从物体保持件移除污染物的研磨工具和方法技术

使用研磨工具对物体保持件的支撑表面进行处理的方法，研磨工具包括用于定位在物体保持件上、并与物体保持件接触的基本平坦的表面，其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nm Ra至约100nm Ra范围内的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度，或在基本平坦的表面的预定区域内具有至少约15nm Ra的粗糙度、以及小于或等于约3000nm的平坦度。

Grinding tools and methods for removing contaminants from object holders

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于从物体保持件移除污染物的研磨工具和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月15日提交的美国临时专利申请号62/559,468的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及物体保持件以及清洁和/或研磨物体保持件表面的技术。
技术介绍
光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或其他器件的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供与器件的单独层相对应的图案(“设计布局”)，并且通过诸如通过图案形成装置上的图案来辐射目标部分的方法，该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上，该衬底已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻设备被连续地转印到多个相邻的目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置上的图案一次转印到一个目标部分上；这种设备通常被称为步进器。在通常被称为步进扫描设备的备选设备中，投影束在给定的参考方向(“扫描”方向)上对图案形成装置进行扫描，同时同步地将衬底平行于或反平行于该参考方向移动。图案形成装置上的图案的不同部分渐进地被转印到一个目标部分。由于通常光刻设备将具有放大因数M(通常<1)，因此衬底移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的因数M倍。在将图案从图案形成装置转印到器件制造工艺的衬底的器件制备过程之前，衬底可以经历器件制造工艺的各种器件制备过程，诸如，涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，可以对衬底进行器件制造工艺的其他器件制备过程(例如，曝光后烘烤(PEB)、显影和硬烘烤)。器件制备过程的该阵列被用作制作器件(例如，IC)的单独层的基础。该衬底然后可以经历器件制造工艺的各种器件制备过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些过程均旨在完成器件的单独层。如果器件中需要若干层，则整个工艺或其变型针对每一层来重复。最终，器件将出现在衬底上的每个目标部分中。如果存在多个器件，则这些器件可以通过诸如切割或锯割的技术而彼此分离，然后单独器件可以被安装在载体上，并连接到引脚等。因此，制造器件(例如，半导体器件)通常涉及使用数种制备工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成器件的各种特征和多个层。这样的层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。多个器件可以在衬底上的多个管芯上备制造，然后被分离成单独器件。该器件制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺包括图案化步骤(例如，使用光刻设备的光学或纳米压印光刻)以在衬底上提供图案，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤(例如，通过显影设备对抗蚀剂进行显影、使用烘烤工具对衬底进行烘烤、使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻等)。另外，图案形成工艺中通常涉及一个或多个量测工艺。
技术实现思路
例如，由于作为图案形成过程的一部分的成像和套刻要求，物体夹具和工作台(或一般地，物体保持件)的表面的准确性经常被测量。这样的物体保持件可以包括保持衬底的衬底支撑件，图案被投影到该衬底上，还可以包括其他物体保持件(例如，图案形成装置支撑件)。物体保持件可能变成被污染的。例如，物体保持件可以具有一个或多个突起，物体被支撑在该一个或多个突起上。因为物体保持件与物体保持件的支撑表面仅具有有限的接触面积，这些突起通常具有用于以下的目的：减少在物体保持件的实际支撑表面与物体之间出现污染物的可能性。这些一个或多个突起也可以称为一个或多个突节或凸斑。但是，甚至突起顶部表面也可能遭受污染物。这样的污染物已被发现通过标准的清洁方法(例如，擦拭、压印(stamp)等)是不完全可移除的。附加地或备选地，这样的标准清洁方法可能在表面上提供进一步的问题(例如，颗粒(例如，纤维)或化学残留物)、对表面造成损坏或进一步的污染、存在环境问题和/或需要二次来清除掉来自先前清洁的颗粒和/或残留物(这在某些情况中可能无法完全清洁)。附加地，顽固的污染物可能无法利用标准清洁方法来清除掉。几纳米的污染物可能改变平坦度，并严重影响规格和性能。装载网格误差(loadgriderror，有时称为晶片装载网格(WLG)误差)是物体保持件中由污染物引起的另一潜在缺陷。装载网格误差是在通常平行于物体保持件的支撑平面/表面的方向上的偏移。在物体由一个或多个突起支撑的情况下，装载网格误差可能由于物体(例如，辐射敏感衬底)与物体保持件的一个或多个突起的(多个)顶部之间的相对较高的摩擦引起。污染物可能是与装载网格误差相关联的问题的原因，但是装载网格误差也可能由其他原因(例如，过于光滑的表面)引起。因此，污染本身和装载网格误差(其可能至少部分由于污染物)均可以潜在地造成从光刻工艺中引起的误差(例如，套刻误差)。因此，有利地的是，例如，提供改进的方法和工具来将物体保持件、特别是具有一个或多个突起的物体保持件上的污染物移除掉，使得误差(例如，装载网格误差、套刻误差等)可以减少或基本避免。有利地的是，例如，提供改进的方法和工具来向物体保持件、特别是具有一个或多个突起的物体保持件提供粗糙度(例如，以减小支撑表面的摩擦系数并因此有助于减小装载网格误差)，使得误差(例如，装载网格误差、套刻误差等)可以减少或基本避免。因此，在一个实施例中，提供了一种设备，用于移除污染物和/或向物体保持件的表面、特别是敏感或纳米平坦表面提供粗糙度。在一个实施例中，提供了对保持件的支撑表面进行处理的方法，该保持件被配置为保持物体，该物体保持件包括多个突出部，突出部从保持件的主体延伸并切被配置为提供针对物体的支撑表面，该方法包括：提供研磨工具，该研磨工具包括用于定位在物体保持件上且与物体保持件接触的基本平坦的表面；将研磨工具的基本平坦的表面定位成与物体保持件的支撑表面接触；以及当研磨工具与支撑表面接触时，提供在研磨工具和物体保持件的至少一部分之间的相对移动，以从突出部移除污染物，其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦表面的预定区域内具有选自约15nmRa至约50nmRa的范围的粗糙度、具有小于或等于约500nm的平坦度、或者研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦表面的预定区域内具有至少约15nmRa的粗糙度以及小于或等于约500nm的平坦度。在一个实施例中，提供了研磨工具，该研磨工具被配置为定位在物体保持件上且与物体保持件接触，物体保持件包括多个突出部，其提供针对对象的支撑表面，研磨工具包括基本平坦的表面，基本平坦的表面被布置为通过在基本平坦的表面与支撑表面之间的相对移动来对支撑表面进行研磨，以从支撑表面移除污染物，其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦表面的预定区域内具有选自约15nmRa至约50nmRa的范围的粗糙度、具有小于或等于约500nm的平坦度，或者研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦表面的预定区域内具有至少约15nmRa的粗糙度以及小于或等于约500nm的平坦度。在一个实施例中，提供了研磨工具，该研磨工具被配置为被定位在物体保持件上且与物体保持件接触，物体保持件包括多个突出部，其提供针对物体的支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对保持件的支撑表面进行处理的方法，所述保持件被配置为保持物体，所述物体保持件包括多个突出部，所述突出部从所述保持件的主体延伸，并且被配置为提供针对所述物体的支撑表面，所述方法包括：/n提供研磨工具，所述研磨工具包括基本平坦的表面，用于定位在所述物体保持件上、并且与所述物体保持件接触；/n将所述研磨工具的所述基本平坦的表面定位成与所述物体保持件的所述支撑表面接触；以及/n在所述研磨工具与所述支撑表面接触时，提供所述研磨工具与所述物体保持件的至少一部分之间的相对移动，以从所述突出部移除污染物，/n其中所述研磨工具的所述基本平坦的表面在所述基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nm Ra至约100nm Ra的范围的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度，或者所述基本平坦的表面在所述基本平坦的表面的所述预定区域内具有至少约15nm Ra的粗糙度、并且具有小于或等于约3000nm的平坦度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 US 62/559,4681.一种对保持件的支撑表面进行处理的方法，所述保持件被配置为保持物体，所述物体保持件包括多个突出部，所述突出部从所述保持件的主体延伸，并且被配置为提供针对所述物体的支撑表面，所述方法包括：
提供研磨工具，所述研磨工具包括基本平坦的表面，用于定位在所述物体保持件上、并且与所述物体保持件接触；
将所述研磨工具的所述基本平坦的表面定位成与所述物体保持件的所述支撑表面接触；以及
在所述研磨工具与所述支撑表面接触时，提供所述研磨工具与所述物体保持件的至少一部分之间的相对移动，以从所述突出部移除污染物，
其中所述研磨工具的所述基本平坦的表面在所述基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nmRa至约100nmRa的范围的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度，或者所述基本平坦的表面在所述基本平坦的表面的所述预定区域内具有至少约15nmRa的粗糙度、并且具有小于或等于约3000nm的平坦度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述研磨工具的所述基本平坦的表面具有选自约1nmRa至约100nmRa的范围的粗糙度。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述研磨工具的所述基本平坦的表面在所述基本平坦的表面的所述预定区域内具有小于或等于约500nm的平坦度。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述预定区域在所述预定区域内具有小于或等于约150nm/cm的平坦度每所述预定区域的单位横向尺寸。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，还包括：利用溶剂来润湿所述研磨工具的所述基本平坦的表面与所述支撑表面的接触区域。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述润湿包括：在将所述研磨工具定位成与所述支撑表面接触之前，向所述研磨工具的所述基本平坦的表面应用所述溶剂，和/或所述润湿包括：在将所述研磨工具定位成与所述支撑表面接触之前，向所述支撑表面应用所述溶剂。


7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括：
将所述研磨工具的除所述基本平坦的表面之外的接触表面、或另一研磨工具的接触表面定位成与所述物体保持件的所述支撑表面接触，其中所述接触表面基本平坦；以及
在所述接触表面与所述支撑表面接触时，提供所述接触表面与所述物体保持件的至少一部分之间的相对移动，来将所述支撑表面的一部分粗糙化，
其中所述接触表面具有至少约100nmRa的粗糙度。


8.根据权利要求7所述的方法，其中所述接触表面在所述接触表面的预定区域内具有小于或等于约3000nm的平坦度。


9.根据权利要求7或权利要求8所述的方法，还包括：利用溶剂润湿所述接触表面和所述支撑表面的接触区域。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述润湿包括：在将所述接触表面定位成与所述支撑表面接触之前，向所述接触表面应用所述溶剂，和/或所述润湿包括：在将所述接触表面定位成与所述支撑表面接触之前，向所述支撑表面应用所述溶剂。


11.根据权利要求1至10中的任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·索拉比巴巴黑德利，K·M·利维，王青松，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL