激光解吸电离法和质量分析方法技术

激光解吸电离法包括准备试样支撑体(1)的第1工序。试样支撑体(1)包括：基板(2)；电离基板(3)；以及支撑部(5)，其以电离基板(3)的第1表面(3a)与基板(2)彼此隔开的方式相对于基板(2)支撑电离基板(3)。在电离基板(3)的至少测量区域(R)形成有多个贯通孔(3c)。至少在第2表面(3b)上的贯通孔(3c)的周缘部设置有导电层(4)。此外，激光解吸电离法包括：对电离基板(3)的测量区域(R)滴落试样(S)的第2工序；和第3工序，其在试样(S)浸透于电离基板(3)后，对导电层(4)施加电压且对第2表面(3b)照射激光(L)，由此将试样(S)的成分电离。

Laser desorption ionization method and quality analysis method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光解吸电离法和质量分析方法
本专利技术涉及激光解吸电离法和质量分析方法。
技术介绍
一直以来，已知有一种对试样照射激光而将试样中的化合物电离，通过检测电离了的试样来进行质量分析的方法。在专利文献1中记载了如下方法：将设置有多个贯通孔(mm级)的固定板配置在保持板上，通过该贯通孔将试样滴落到保持板上，对该试样照射激光，由此进行试样的电离。在专利文献2中记载了如下方法：在设置有多个非贯通孔(μm级)的基板滴落加入了基质(matrix)的试样，对浸透于该非贯通孔的内部的试样照射激光，由此进行试样的电离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-21048号公报专利文献2：美国专利第7695978号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述方法中，在相对于凹部的试样的滴落量过多时，试样从该凹部溢出，失去所谓凹凸效果(通过凹凸结构而激光的能量容易传递到试样的效果)，存在试样的电离效率降低的可能性。即，存在不能够适当地将试样中的成分电离，或者检测的离子的量降低的可能性。其结果，存在在上述的质量分析中不能得到足够的信号强度，无法适当地检测试样中的成分的可能性。因此，本专利技术的目的在于，提供能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低的激光解吸电离法和质量分析方法。解决问题的技术手段本专利技术的一方面所涉及的激光解吸电离法，包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括：基板；配置在基板上的电离基板；以及支撑部，其以电离基板的和基板相对的第1表面与基板彼此隔开的方式相对于基板支撑电离基板。电离基板在第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。至少在第2表面上的贯通孔的周缘部设置有导电层。此外，上述激光解吸电离法包括：对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序；和第3工序，其在试样浸透于电离基板后，对导电层施加电压且对第2表面照射激光，由此将试样的成分电离。在该激光解吸电离法的第1工序中准备的试样支撑体中，通过支撑部在电离基板的第1表面与基板之间形成间隙。由此，在第2工序中，即使相对于电离基板的第2表面的试样的滴落量比适量多，也能够使试样的过剩量经由设置于电离基板的贯通孔释放到电离基板的第1表面与基板之间的间隙。因此，能够抑制试样的过剩量在第2表面上溢出。其结果，在第3工序中，能够抑制在通过对第2表面照射激光而使试样的成分电离时电离效率的降低。通过以上所述，根据该激光解吸电离法，能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。本专利技术的另一方面所涉及的激光解吸电离法，包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括：基板；具有导电性且配置在基板上的电离基板；以及支撑部，其以电离基板的和基板相对的第1表面与基板彼此隔开的方式相对于基板支撑电离基板。电离基板在第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。此外，上述激光解吸电离法包括：对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序；和第3工序，其在试样浸透于电离基板后，对电离基板施加电压且对第2表面照射激光，由此将试样的成分电离。在该激光解吸电离法中，通过准备具有导电性的电离基板，能够使用省略了导电层的试样支撑体。此外，与如上述那样使用具有导电层的试样支撑体的情况相同，能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。本专利技术的又一方面所涉及的激光解吸电离法，包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括基板和配置在基板上的电离基板。电离基板在与基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。至少在第2表面的贯通孔的周缘部设置有导电层。基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的方式形成。此外，上述激光解吸电离法包括：对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序；和第3工序，其在试样浸透于电离基板后，对导电层施加电压且对第2表面照射激光，由此将试样的成分电离。在该激光解吸电离法的第1工序中准备的试样支撑体中，基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的方式形成。由此，在第2工序中，即使相对于电离基板的第2表面的试样的滴落量比适量多，也能够使流入基板的试样的过剩量经由设置于电离基板的贯通孔释放到基板的内侧。因此，能够抑制试样的过剩量在第2表面上溢出。其结果，在第3工序中，能够抑制在通过对第2表面照射激光而使试样的成分电离时的电离效率的降低。通过以上所述，根据该激光解吸电离法，能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。本专利技术的又一方面所涉及的激光解吸电离法，包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括基板和具有导电性且配置在基板上的电离基板。电离基板在与基板相对的第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。基板的电离基板侧的至少一部分以能够使试样移动到基板的内侧的的方式形成。此外，上述激光解吸电离法包括：对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序；和第3工序，其在试样浸透于电离基板后，对电离基板施加电压且对第2表面照射激光，由此将试样的成分电离。。在该激光解吸电离法中，通过准备具有导电性的电离基板，能够使用省略了导电层的试样支撑体。此外，与如上述那样使用具有导电层的试样支撑体的情况相同，能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。本专利技术的一个方面所涉及的质量分析方法，包括：上述的激光解吸电离法的各工序；和检测在第3工序中被电离的成分的第4工序。在该质量分析方法中，包括上述的激光解吸电离法的各工序，由此能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。专利技术的效果根据本专利技术，可提供能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低的激光解吸电离法和质量分析方法。附图说明图1是第1实施方式所涉及的试样支撑体的俯视图。图2是沿图1所示的II-II线的试样支撑体的截面图。图3是表示图1所示的试样支撑体的电离基板和导电层的概略结构的主要部分放大截面图。图4是表示图1所示的试样支撑体的电离基板的放大像的图。图5是表示一实施方式所涉及的质量分析方法的工序的概略图。图6是表示比较例所涉及的激光解吸电离法的工序的概略图。图7是表示第2实施方式所涉及的试样支撑体的图。图8是表示由图7所示的虚线A包围的部分的概略结构的主要部分放大截面图。图9是表示第3实施方式所涉及的试样支撑体的图。图10是表示第4～第6实施方式所涉及的试样支撑体的图。具体实施方式下面，参照附图，对本专利技术的优选的实施方式进行详细的说明。此外，在各图中，对相同部分或者相当部分标注相同符号，重省略重复的说明。另外，为了容易理解说明，各图所示的各部件(或者部位)的尺寸或者尺寸的比例有时与实际的尺寸或者尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光解吸电离法，其特征在于，包括：/n准备试样支撑体的第1工序，所述试样支撑体包括：基板；配置在所述基板上的电离基板；以及支撑部，其以所述电离基板的和所述基板相对的第1表面与所述基板彼此隔开的方式相对于所述基板将所述电离基板支撑，所述电离基板在所述第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域，在所述电离基板的至少所述测量区域形成有在所述第1表面和所述第2表面开口的多个贯通孔，至少在所述第2表面上的所述贯通孔的周缘部设置有导电层；/n对所述电离基板的所述测量区域滴落所述试样的第2工序；以及/n第3工序，其在所述试样浸透于所述电离基板后，对所述导电层施加电压且对所述第2表面照射激光，由此将所述试样的成分电离。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170921 JP 2017-1816011.一种激光解吸电离法，其特征在于，包括：
准备试样支撑体的第1工序，所述试样支撑体包括：基板；配置在所述基板上的电离基板；以及支撑部，其以所述电离基板的和所述基板相对的第1表面与所述基板彼此隔开的方式相对于所述基板将所述电离基板支撑，所述电离基板在所述第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域，在所述电离基板的至少所述测量区域形成有在所述第1表面和所述第2表面开口的多个贯通孔，至少在所述第2表面上的所述贯通孔的周缘部设置有导电层；
对所述电离基板的所述测量区域滴落所述试样的第2工序；以及
第3工序，其在所述试样浸透于所述电离基板后，对所述导电层施加电压且对所述第2表面照射激光，由此将所述试样的成分电离。


2.一种激光解吸电离法，其特征在于，包括：
准备试样支撑体的第1工序，所述试样支撑体包括：基板；具有导电性且配置在所述基板上的电离基板；以及支撑部，其以所述电离基板的和所述基板相对的第1表面与所述基板彼此隔开的方式相对于所述基板将所述电离基板支撑，所述电离基板在所述第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域，在所述电离基板的至少所述测量区域形成有在所述第1表面和所述第2表面开口的多个贯通孔；
对所述电离基板的所述测量区域滴落所述试样的第2工序；以及
第3工序，其在所述试样浸透于所述电离基板后，对所述电离基板施加电压且对所述第2表面照射激光，由此将所述试样的成分电离。


3.一种激光解...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤康秀，大村孝幸，小谷政弘，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP