【技术实现步骤摘要】
双薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及双薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
目前的平板显示中，为达到高分辨率而广泛采用了薄膜晶体管作为有源驱动显示的基础，以此来获得高速图像转换和更高分辨率的显示效果。其中，薄膜晶体管作为有源驱动的重要组成部分，目前主流驱动器件为非晶硅、多晶硅和氧化物薄膜晶体管。其中，非晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)器件作为一种成熟的驱动制造技术，具有成本低、制程少、良率高的特点，这使这种驱动方案能广泛地应用于低分辨率的电视面板以及低端的平板显示中。而对于市场上大部分高端手机、有源矩阵有机发光二极体(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)驱动、虚拟显示(VirtualReality，VR)用的显示面板等，它们的驱动方案要求更快的晶体管响应速率、更高的开启电流，类似非晶硅这样的低迁移率器件较难适应。因此，如何获得迁移率更高的高性能薄膜晶体管是本领域技术人员亟需解决的技术问题。<...
【技术保护点】
1.一种双薄膜晶体管，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及衬底；/n所述衬底形成有从衬底的第一面贯穿至相对的第二面的孔洞；/n所述第一薄膜晶体管位于所述衬底的第一面，所述第一薄膜晶体管包括第一漏电极；/n所述第二薄膜晶体管位于所述衬底的第二面，所述第二薄膜晶体管包括第二漏电极；/n所述第一薄膜晶体管的第一漏电极通过所述孔洞与所述第二薄膜晶体管的第二漏电极电性连接从而电位相等。/n
【技术特征摘要】
1.一种双薄膜晶体管，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及衬底；
所述衬底形成有从衬底的第一面贯穿至相对的第二面的孔洞；
所述第一薄膜晶体管位于所述衬底的第一面，所述第一薄膜晶体管包括第一漏电极；
所述第二薄膜晶体管位于所述衬底的第二面，所述第二薄膜晶体管包括第二漏电极；
所述第一薄膜晶体管的第一漏电极通过所述孔洞与所述第二薄膜晶体管的第二漏电极电性连接从而电位相等。
2.根据权利要求1所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极。
3.根据权利要求2所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极设置于所述衬底的第一面，所述栅极上叠设有第一栅极绝缘层、第一有源层以及第一源漏电极层，所述栅极、所述第一栅极绝缘层、所述第一有源层以及所述第一源漏电极层共同构成所述第一薄膜晶体管，其中，所述第一源漏电极层包括相互分离的第一源电极和所述第一漏电极；
所述衬底的第二面叠设有第二有源层以及第二源漏电极层，所述栅极、所述衬底、所述第二有源层以及所述第二源漏电极层共同构成所述第二薄膜晶体管，其中，所述第二源漏电极层包括相互分离的第二源电极和所述第二漏电极；所述衬底作为所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层。
4.根据权利要求1所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的第一栅极设置于所述衬底的第一面，所述第一栅极上叠设有第一栅极绝缘层、第一有源层以及第一源漏电极层；其中，所述第一源漏电极层包括相互分离的第一源电极和所述第一漏电极；
所述第二薄膜晶体管的第二栅极设置于所述衬底的第二面，所述第二栅极上叠设有第二栅极绝缘层、第二有源层以及第二源漏电极层；其中，所述第二源漏电极层包括相互分离的第二源电极和所述第二漏电极。
5.根据权利要求3-4任一项所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层包括相互分离的第一源极引出和第一漏极引出，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层上的第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层包括相互分离的第二源极引出和第二漏极引出；和/或，
所述第一薄膜晶体管还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第一有源层、所述第一源电极以及所述第一漏电极，所述第二薄膜晶体管还包括第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第二有源层、所述第二源电极以及所述第二漏电极。
6.根据权利要求3所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底的厚度为10～1000纳米。
7.根据权利要求5所述的双薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂半导体层的掺杂浓度大于所述第一有源层的掺杂浓度，所述第二掺杂半导体层的掺杂浓度大于所述第二有源层的掺杂浓度。
<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，付东，唐卫东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。