引线框架及引线框架封装体制造技术

本发明专利技术提供一种引线框架，其具备基材与覆盖基材的表面层。表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。由针状氧化物构成的表面层的厚度为30nm以上。针状氧化物的尖端部具有比基端部小的原子比率(Cu/O)。

Lead frame and lead frame package

【技术实现步骤摘要】
引线框架及引线框架封装体
本公开涉及引线框架及引线框架封装体。
技术介绍
引线框架封装体具备引线框架、搭载于其上的半导体芯片以及密封半导体芯片的树脂。引线框架封装体的制造中，用热固性的树脂覆盖引线框架与搭载于其上的半导体芯片，将其加热而使其固化。在引线框架中，存在与搭载半导体芯片的一面侧为相反侧的另一面露出的类型(例如，参考日本特开平9-199639号公报)。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题近年来，通过布线的高集成化及大电流化，封装体的发热量增加，可能发生树脂与引线框架的界面剥离。此外，在与汽车相关的封装体中，从安全性的面出发，谋求可靠性的进一步提高。从这样的情由出发，必须使树脂与引线框架的密合性比以往更优异。进一步，封装体中，有在安装及使用时暴露在高温环境下的封装体，这样的情况下，谋求维持树脂与引线框架的密合性。因此，本公开提供一种可将与树脂的密合性维持得较高的引线框架。此外，提供一种可靠性优异的引线框架封装体。解决技术问题的技术手段在一个实施方式中，本公开提供一种引线框架，其具备基材与覆盖基材的表面层，表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。上述引线框架具备包含针状氧化物的表面层。此外，针状氧化物含有CuO作为主要成分。CuO能够与树脂的分子结构中包含的羟基形成氢键。因此，即使在经封装后，在高温环境下，也能够将与树脂的密合性维持得较高。在另一个实施方式中，本公开提供一种引线框架封装体，其具备上述的引线框架、搭载于引线框架的半导体芯片以及以覆盖半导体芯片及引线框架的至少一部分的方式设置的树脂。上述引线框架封装体由于具备上述的引线框架，因此，即使在经封装后，也能够良好地维持树脂与引线框架的密合性。因此，可靠性优异。专利技术效果根据本公开，能够提供一种可将与树脂的密合性维持得较高的引线框架。此外，能够提供一种可靠性优异的引线框架封装体。附图说明图1为引线框架的俯视图。图2为示出引线框架的剖面的一部分的剖面图。图3为示出用于引线框架的制造的表面处理装置的一个例子的图。图4为示出引线框架封装体的一个例子的剖面图。图5为实施例1的引线框架的BF-STEM图像的照片。图6为实施例1的针状氧化物的放大图像的TEM照片。图7为示出实施例1的针状氧化物的EDX分析结果的图表。图8为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图9为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图10为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图11A为对应于图9的部位的HAADF-STEM图像。图11B及图11C表示相同部位的Cu(K)及O(K)的EDX映射的结果。图12为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图13为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图14为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图15为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图16为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图17为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图18为实施例1的针状氧化物的TEM照片。图19A为图8的“S1”中的电子衍射的衍射图案。图19B为图8的“S2”中的电子衍射的衍射图案。图19C为图12的“S3”中的电子衍射的衍射图案。图19D为图12的“S4”中的电子衍射的衍射图案。图20A为图12所示的“N1”中的选区纳米电子衍射的衍射图案。图20B为图12所示的“N2”中的选区纳米电子衍射的衍射图案。图20C为CuO的密勒指数<-121>的衍射模拟结果。图20D为Cu2O的密勒指数<001>的衍射模拟结果。图21为表示实施例2的表面层的厚度与剪切强度的关系的图表。具体实施方式以下，根据情况参照附图，对本专利技术的一个实施方式进行说明。然而，以下的实施方式为用于说明本专利技术的例示，其宗旨并不是将本专利技术限定为以下的内容。在说明中，对于同一要素或具有同一功能的要素使用相同的附图标记，并根据情况省略重复说明。各要素的尺寸比率并不限于图示的比率。图1为引线框架100的俯视图。引线框架100具有9个(3个×3个)单元框架50。其中，单元框架50的数目没有特别限定。单元框架50介由连接杆(tiebar)116与邻接的单元框架50连接。引线框架100具备分别在单元框架50中配置于中央部的载片(pad)110、配置于载片110的周围且也被称作内引线的多个引线112、及对载片110进行支承的支承杆114。支承杆114的前端与载片110连接，支承杆114的后端与配置于引线112的周围的连接杆116连接。支承杆114从大致矩形的载片110的四个角呈放射状延伸并与连接杆116连接，由此对载片110进行支承。图2为示出图1所示的引线框架100的剖面的一部分的剖面图。引线框架100具备基材10并在基材10的表面上具备表面层12。表面层12从基材10侧开始依次具备镀铜膜14及针状氧化物16。针状氧化物16在基端部与镀铜膜14结合。即，针状氧化物16从镀铜膜14延伸。针状氧化物16由于表面积大、并且具有锚固效果，因此能够充分地提高与树脂的密合性。针状氧化物16为针状结晶，含有CuO作为主要成分。由此，能够充分地增加与树脂的分子结构中包含的羟基之间的氢键的数目。此外，针状氧化物16可以含有Cu2O。Cu2O也能够与树脂的分子结构中包含的羟基形成氢键。如此，引线框架100能够通过物理及化学结合，从而将与树脂的密合性维持得较高。针状氧化物16中的原子比率(Cu/O)可以为0.6～2.5，也可以为0.8～2.2。若为这样的原子比率，则针状氧化物16中的氧化铜的比率充分地提高，能够进一步提高与树脂的密合性。利用基于EDX的映射进行观察时，针状氧化物16所包含的成分中，CuO的存在比率最高，其存在比率可以超过50％。本公开中的“含有CuO作为主要成分”如上所述，是指CuO的存在比率最高。针状氧化物16实质上可以仅由CuO、或者仅由CuO及Cu2O构成。此处所谓的“实质上”是指利用基于TEM的电子衍射未检测出其他化合物、且在EDX分析中未检测出除Cu及O以外的原子(源自测定机器的原子除外)。针状氧化物16的尖端部可以具有比除了该尖端部以外的部分(例如基端部)小的原子比率(Cu/O)。由此，在尖端部，氧原子的比例变高，能够增加与树脂的氢键的数目从而提高密合性。此外，在基端部，铜原子的比例变高，与基材10的接合性变得良好。因此，将引线框架100置于高温环境下时，能够减小在表面层12与基材10的界面附近产生的热应力。因此，可抑制因热应力在表面层12与基材10的界面附近发生剥离，能够进一步提高引线框架100的可靠性。针状氧化物16的尖端部的CuO的含有比例可以比除了尖端部以外的部分高。由此，能够进一步提高与树脂的氢键所带来的提高密合性的效果。表面层12可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，其具备基材与覆盖所述基材的表面层，/n所述表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。/n

【技术特征摘要】
20181024 JP 2018-2001751.一种引线框架，其具备基材与覆盖所述基材的表面层，
所述表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。


2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述针状氧化物进一步含有Cu2O。


3.根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，由所述针状氧化物构成的所述表面层的厚度为30nm以上。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的引线框架，其中，所述针状氧化物的尖端部具有比除...

【专利技术属性】
技术研发人员：古野绫太，久保公彦，
申请(专利权)人：株式会社三井高科技，
类型：发明
国别省市：日本;JP