【技术实现步骤摘要】
一种可控硅模块及其制备方法
本专利技术涉及可控硅模块
，具体是一种可控硅模块及其制备方法。
技术介绍
功率模块是现代电力电子向集成化、微型化发展所必须的电子器件，是电力电子技术发展的一个方向，近年来每年都以20%的速度递增,而且发展趋势仍在继续上升。功率模块是电力电子线路和控制系统的核心器件，它的性能参数直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。可控硅功率模块属于功率半导体产品，如果在制造过程中由于制作工艺过于复杂，将造成产品性能下降可靠性降低，而可控硅模块生产过程中焊接工艺的把控和GK极引线如何处理是行业的一个难点，所以改善了焊接工艺和GK极引线的引出方式便可生产出高可靠性的可控硅模块产品。国内TO-240AA功率模块目前一直采用两种模式：(一)组件式芯片焊接：买现成的已烧结好上下钼片的芯片作为组件，与其他金属件通过涂覆焊锡膏的方式用热板或其它加热工具将其焊接在一起，GK极引线用高温绝缘线用电烙铁与芯片上Gk极焊接。此工工艺芯片通过多次焊接，多次热应力影响会造成可靠性降低。焊锡膏工艺，产品空洞率增加，热阻大，同时...
【技术保护点】
1.一种可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）上固定有模块内组件（2），所述模块内组件（2）上焊接有GK极引线（3），所述底座（1）上安装有壳体（4），所述壳体（4）内设置有外部GK电极（5）和连接头（6），所述GK极引线（3）穿过连接头（6）的通孔与外部GK电极（5）连接。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）上固定有模块内组件（2），所述模块内组件（2）上焊接有GK极引线（3），所述底座（1）上安装有壳体（4），所述壳体（4）内设置有外部GK电极（5）和连接头（6），所述GK极引线（3）穿过连接头（6）的通孔与外部GK电极（5）连接。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述模块内组件（2）上共焊接有4根GK极引线（3），所述GK极引线（3）采用细铜线。
3.根据权利要求2所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述外部GK电极（5）共设置有4个，4个外部GK电极（5）分别对应4根GK极引线（3）。
技术研发人员：罗文华，陈华军，
申请(专利权)人：昆山晶佰源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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