本实用新型专利技术涉及一种双向可控硅模块，包括铜基板、DCB板、双向可控硅芯片、电极、门极和塑料壳体，铜基板位于模块的底部，DCB板焊接于铜基板的上方，DCB板具有覆铜区域，双向可控硅芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完成的双向可控硅电路，塑料壳体为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，电极和门极为引出端，均焊接在DCB板上，电极具有一片引出片，门极具有相对设置的两片引出片，铜基板的两端具有向外的锥形凸出部，锥形凸出部上开设有椭圆形安装孔。本实用新型专利技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用，通过控制可控硅元件的导通角，使整流输出电压符合后级电路的输入要求。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种双向可控硅模块，主要适用于交流电源的通断控制。
技术介绍
双向可控硅模块主要用于三相电源的通断控制，在中小型功率的直流电源和变频设备中使用相当广泛。但是，目前，市场上封装的双向可控硅模块体积普遍较大，使用时所占用的空间较大，而且通常模块的功能端都是直接由电极通过紧固件引出，电极的设置不合理，这样在一些终端设备上使用不方便。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:基于上述问题，提供一种双向可控硅模块。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双向可控硅模块，包括铜基板、DCB板、双向可控硅芯片、电极、门极和塑料壳体，所述铜基板位于模块的底部，所述DCB板焊接于铜基板的上方，DCB板具有覆铜区域，所述双向可控硅芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完成的双向可控硅电路，所述塑料壳体为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，所述电极和门极为引出端，均焊接在DCB板上，电极具有一片引出片，所述门极具有相对设置的两片引出片，所述铜基板的两端具有向外的锥形凸出部，所述锥形凸出部上开设有椭圆形安装孔。进一步地，所述铜基板为T2纯铜所制。铜基板为T2纯铜所制，确保模块高效的散热。进一步地，所述DCB板为覆铜陶瓷板。DCB板为覆铜陶瓷板，上面电路图案布局合理。进一步地，所述电极和门极为T2纯铜连接器。电极和门极为T2纯铜连接器，确保模块高效的导电性。更进一步地，所述电极和门极上设有多个孔槽。电极和门极设有多个孔槽，一方面，便于焊接渗锡，增加焊接牢度；另一方面，便于渗胶，防止电极松动。进一步地，所述塑料壳体采用阻燃高强度的PBT材质。塑料壳体采用阻燃高强度的PBT材质，与铜基板和电极装配关系精准。本技术的有益效果是:本技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用，通过控制可控硅元件的导通角，使整流输出电压符合后级电路的输入要求，本模块广泛适用于调压器、调功器、中小功率直流电源和变频等设备。【附图说明】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的结构示意图。图中:1.铜基板，2.DCB板，3.双向可控硅芯片，4.电极，5.门极，6.塑料壳体，7.纯铜连接片，8.锥形凸出部，9.椭圆形安装孔，10.孔槽。【具体实施方式】现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1所示，一种双向可控硅模块，包括铜基板1、DCB板2、双向可控硅芯片3、电极4、门极5和塑料壳体6，铜基板I位于模块的底部，DCB板2焊接于铜基板I的上方，DCB板2具有覆铜区域，双向可控硅芯片3焊接在DCB板2的覆铜区域，并通过纯铜连接片7连接组成完成的双向可控硅电路，塑料壳体6为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，电极4和门极5为引出端，均焊接在DCB板2上，电极4具有一片引出片，门极5具有相对设置的两片引出片，铜基板I的两端具有向外的锥形凸出部8，锥形凸出部8上开设有椭圆形安装孔9。铜基板I为T2纯铜所制，DCB板2为覆铜陶瓷板，电极4和门极5为T2纯铜连接器，电极4和门极5上设有多个孔槽10，塑料壳体6采用阻燃高强度的PBT材质。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。【主权项】1.一种双向可控硅模块，包括铜基板(I)、DCB板(2)、双向可控硅芯片(3)、电极(4)、门极(5)和塑料壳体￠)，所述铜基板(I)位于模块的底部，所述DCB板(2)焊接于铜基板(I)的上方，DCB板⑵具有覆铜区域，其特征在于:所述双向可控硅芯片(3)焊接在DCB板(2)的覆铜区域，并通过纯铜连接片(7)连接组成完成的双向可控硅电路，所述塑料壳体(6)为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，所述电极(4)和门极(5)为引出端，均焊接在DCB板⑵上，电极(4)具有一片引出片，所述门极(5)具有相对设置的两片引出片，所述铜基板(I)的两端具有向外的锥形凸出部(8)，所述锥形凸出部(8)上开设有椭圆形安装孔(9)。2.根据权利要求1所述的一种双向可控硅模块，其特征在于:所述铜基板(I)为T2纯铜所制。3.根据权利要求1所述的一种双向可控硅模块，其特征在于:所述DCB板(2)为覆铜陶瓷板。4.根据权利要求1所述的一种双向可控硅模块，其特征在于:所述电极⑷和门极(5)为T2纯铜连接器。5.根据权利要求1或4所述的一种双向可控硅模块，其特征在于:所述电极(4)和门极(5)上设有多个孔槽(10)。6.根据权利要求1所述的一种双向可控硅模块，其特征在于:所述塑料壳体(6)采用阻燃高强度的PBT材质。【专利摘要】本技术涉及一种双向可控硅模块，包括铜基板、DCB板、双向可控硅芯片、电极、门极和塑料壳体，铜基板位于模块的底部，DCB板焊接于铜基板的上方，DCB板具有覆铜区域，双向可控硅芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完成的双向可控硅电路，塑料壳体为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，电极和门极为引出端，均焊接在DCB板上，电极具有一片引出片，门极具有相对设置的两片引出片，铜基板的两端具有向外的锥形凸出部，锥形凸出部上开设有椭圆形安装孔。本技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用，通过控制可控硅元件的导通角，使整流输出电压符合后级电路的输入要求。【IPC分类】H03K17/72【公开号】CN204906348【申请号】CN201520650941【专利技术人】沈富德 【申请人】江苏矽莱克电子科技有限公司【公开日】2015年12月23日【申请日】2015年8月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双向可控硅模块，包括铜基板(1)、DCB板(2)、双向可控硅芯片(3)、电极(4)、门极(5)和塑料壳体(6)，所述铜基板(1)位于模块的底部，所述DCB板(2)焊接于铜基板(1)的上方，DCB板(2)具有覆铜区域，其特征在于：所述双向可控硅芯片(3)焊接在DCB板(2)的覆铜区域，并通过纯铜连接片(7)连接组成完成的双向可控硅电路，所述塑料壳体(6)为正方体框架，其套在上述完整的双向可控硅电路上，所述电极(4)和门极(5)为引出端，均焊接在DCB板(2)上，电极(4)具有一片引出片，所述门极(5)具有相对设置的两片引出片，所述铜基板(1)的两端具有向外的锥形凸出部(8)，所述锥形凸出部(8)上开设有椭圆形安装孔(9)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈富德，
申请(专利权)人：江苏矽莱克电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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