阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、扫描线和数据线、阵列分布的多个像素单元，在相邻行的相邻两像素单元中，一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至另一像素单元的主显示区，第二像素电极延伸部设置在第一像素电极和数据线之间的至少一处；第二像素电极延伸部处未设置金属遮光电极板，增大了穿透率。

Array substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板。
技术介绍
在现有显示设备的阵列基板中，主显示区内通过在阵列基板一侧设置金属遮光电极板，或者通过在阵列基板和彩膜基板分别设置电压相同的两个公共电极板，屏蔽数据线的信号，避免数据信号干扰第一像素电极的信号，所述金属遮光电极板或公共电极板会减小第一像素电极的面积，导致开口率和穿透率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板，用于解决现有显示面板存在开口率和穿透率低的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；沿横向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条扫描线；沿纵向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条数据线；阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一所述扫描线与一行所述像素单元对应设置，每一所述数据线与一列所述像素单元对应设置，相邻两所述数据线界定出所述像素单元的边界；其中，每一所述像素单元具有主显示区和辅显示区，所述像素单元包括位于所述主显示区的第一像素电极和位于所述辅显示区的第二像素电极，一像素单元的辅显示区与另一像素单元的主显示区相邻设置，所述一像素单元和所述另一像素单元位于相邻的两行，在相邻所述像素单元之间，所述一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至所述另一像素单元的主显示区，形成位于所述另一像素单元主显示区的第二像素电极延伸部和位于所述一像素单元辅显示区的第二像素电极本体部，所述第二像素电极延伸部设置在所述第一像素电极和所述数据线之间的至少一处，所述第二像素电极延伸部包围所述第一像素电极靠近所述数据线的部分。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第一像素电极的两侧均设置有第二像素电极延伸部，在所述数据线和所述第一像素电极之间，未设置用于屏蔽数据线的金属遮光电极板。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第一像素电极靠近数据线的一侧设置有第二像素电极延伸部，在所述设置有第二像素电极延伸部的一侧，未设置用于屏蔽数据线的金属遮光电极板，所述第一像素电极靠近数据线的另一侧未设置第二像素电极延伸部。在本专利技术提供的阵列基板中，在一个所述主显示区内，第二像素电极延伸部与所述数据线交叠设置。在本专利技术提供的阵列基板中，在一个所述主显示区内，所述交叠设置的交叠量范围为0.5微米至3微米。在本专利技术提供的阵列基板中，在一个所述主显示区内，所述第二像素电极延伸部与所述数据线未交叠设置。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第二像素电极延伸部半围绕所述第一像素电极设置。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第二像素电极延伸部包围所述第一像素电极设置。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第二像素电极延伸部与所述第一像素电极绝缘设置。在本专利技术提供的阵列基板中，所述第二像素电极延伸部与所述第一像素电极的距离为3微米至5微米。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，沿横向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条扫描线，沿纵向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条数据线，阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一所述扫描线与一行所述像素单元对应设置，每一所述数据线与一列所述像素单元对应设置，相邻两所述数据线界定出所述像素单元的边界，其中，每一所述像素单元具有主显示区和辅显示区，所述像素单元包括位于所述主显示区的第一像素电极和位于所述辅显示区的第二像素电极，一像素单元的辅显示区与另一像素单元的主显示区相邻设置，所述一像素单元和所述另一像素单元位于相邻的两行，在相邻所述像素单元之间，所述一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至所述另一像素单元的主显示区，形成位于所述另一像素单元主显示区的第二像素电极延伸部和位于所述一像素单元辅显示区的第二像素电极本体部，所述第二像素电极延伸部设置在所述第一像素电极和所述数据线之间的至少一处，所述第二像素电极延伸部包围所述第一像素电极靠近所述数据线的部分；辅显示区内的第二像素电极沿着数据线的设置方向延伸至主显示区，形成位于主显示区内的第二像素电极延伸部，通过第二像素延伸部靠近或覆盖数据线，所述第二像素延伸部的电位隔断数据线电场对于第一像素电极的影响，不需要设置金属遮光电极板，增大了开口率和穿透率。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的俯视示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的第一种放大示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的第二种放大示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的第三种放大示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的第四种放大示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。针对现有显示面板存在开口率和穿透率低的技术问题，本专利技术实施例可以解决这个问题。如图1、图2所示，本专利技术实施例提供的阵列基板包括衬底基板、沿横向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条扫描线30、沿纵向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条数据线40，阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元50，每一所述扫描线与一行所述像素单元对应设置，每一所述数据线40与一列所述像素单元50对应设置，相邻两所述数据线界定出所述像素单元的边界，其中，每一所述像素单元30具有主显示区10和辅显示区20，所述像素单元30包括位于所述主显示区的第一像素电极101和位于所述辅显示区的第二像素电极，一像素单元的辅显示区与另一像素单元的主显示区相邻设置，所述一像素单元和所述另一像素单元位于相邻的两行，在相邻所述像素单元之间，所述一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至所述另一像素单元的主显示区，形成位于所述另一像素单元主显示区的第二像素电极延伸部202和位于所述一像素单元辅显示区的第二像素电极本体部201，所述第二像素电极延伸部202设置在所述第一像素电极101和所述数据线40之间的至少一处，所述第二像素电极延伸部202包围所述第一像素电极101靠近所述数据线40的部分。在本实施例中，主显示区10和辅显示区20分别含有四个小区域，阵列基板和彩膜基板之间存在压差，通过器件之间的搭配，使主显示区10的所述压差大于辅显示区20，液晶分子倒向则会不同，改善了视角，显示上体现为亮度的差异，尤其在中低灰阶，如L100及以下时，可以看到基本为主显示区10亮起，辅显示区20呈现暗态。在本实施例中，第二像素电极延伸部202用于屏蔽数据信号对第一像素电极101信号的影响，所述指的是屏蔽数据信号对于第一像素电极101信号的干扰，通过第二像素电极延伸部202靠近数据线40一侧或者覆盖数据线40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n沿横向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条扫描线；/n沿纵向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条数据线；/n阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一所述扫描线与一行所述像素单元对应设置，每一所述数据线与一列所述像素单元对应设置，相邻两所述数据线界定出所述像素单元的边界；/n其中，每一所述像素单元具有主显示区和辅显示区，所述像素单元包括位于所述主显示区的第一像素电极和位于所述辅显示区的第二像素电极，一像素单元的辅显示区与另一像素单元的主显示区相邻设置，所述一像素单元和所述另一像素单元位于相邻的两行，在相邻所述像素单元之间，所述一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至所述另一像素单元的主显示区，形成位于所述另一像素单元主显示区的第二像素电极延伸部和位于所述一像素单元辅显示区的第二像素电极本体部，所述第二像素电极延伸部设置在所述第一像素电极和所述数据线之间的至少一处，所述第二像素电极延伸部包围所述第一像素电极靠近所述数据线的部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
沿横向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条扫描线；
沿纵向设置于所述衬底基板上且并排设置的多条数据线；
阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一所述扫描线与一行所述像素单元对应设置，每一所述数据线与一列所述像素单元对应设置，相邻两所述数据线界定出所述像素单元的边界；
其中，每一所述像素单元具有主显示区和辅显示区，所述像素单元包括位于所述主显示区的第一像素电极和位于所述辅显示区的第二像素电极，一像素单元的辅显示区与另一像素单元的主显示区相邻设置，所述一像素单元和所述另一像素单元位于相邻的两行，在相邻所述像素单元之间，所述一像素单元辅显示区的第二像素电极延伸至所述另一像素单元的主显示区，形成位于所述另一像素单元主显示区的第二像素电极延伸部和位于所述一像素单元辅显示区的第二像素电极本体部，所述第二像素电极延伸部设置在所述第一像素电极和所述数据线之间的至少一处，所述第二像素电极延伸部包围所述第一像素电极靠近所述数据线的部分。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的两侧均设置有第二像素电极延伸部，在所述数据线和所述第一像素电极之间，未设置用于屏蔽数据线的金属遮光电极板。


3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹武，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44