一种提高单晶生长速率装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了光伏设备技术领域的一种提高单晶生长速率装置，包括储料箱和换热装置，所述储料箱的内腔底部中间位置插接有晶棒，所述储料箱的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱，所述储料箱内腔左侧壁插接有进水管和出水管，所述进水管和所述出水管与所述储料箱焊接固定，所述换热装置通过焊接固定于所述支撑柱的顶部，所述换热装置位于所述晶棒的外部；该提高单晶生长速率装置的设置，结构设计合理，在晶棒的外部安装有换热装置，换热装置的外壁和内壁分别通过氧化剂氧化，提高热辐射系数，在换热装置的内侧壁开有鼓包，鼓包能够增大换热面积，从而能够带走更多的热量，提高单晶硅的生长速度。

A device for increasing the growth rate of single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种提高单晶生长速率装置
本技术涉及光伏设备
，具体为一种提高单晶生长速率装置。
技术介绍
在直拉单晶硅中，提高生产效率主要有减少非有效产出的时间和提高有效产出时的效率。单晶的有效产出时间只有在等径阶段，等径阶段占总时间的一半以上。现有的单晶生长装置存在一个严重的问题就是在使用的时候，换热面积小，热辐射系数小，从而不能够及时的将热量排出，而影响单晶的生长速度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高单晶生长速率装置，以解决上述
技术介绍
中提出的单晶生长装置在使用的时候，换热面积小，热辐射系数小，从而不能够及时的将热量排出，而影响单晶的生长速度的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高单晶生长速率装置，包括储料箱和换热装置，所述储料箱的内腔底部中间位置插接有晶棒，所述储料箱的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱，所述储料箱内腔左侧壁插接有进水管和出水管，所述进水管和所述出水管与所述储料箱焊接固定，所述换热装置通过焊接固定于所述支撑柱的顶部，所述换热装置位于所述晶棒的外部，所述换热装置包括主箱体、第一延长体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高单晶生长速率装置，其特征在于，包括：储料箱(100)和换热装置(200)，所述储料箱(100)的内腔底部中间位置插接有晶棒(110)，所述储料箱(100)的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱(120)，所述储料箱(100)内腔左侧壁插接有进水管(130)和出水管(140)，所述进水管(130)和所述出水管(140)与所述储料箱(100)焊接固定，所述换热装置(200)通过焊接固定于所述支撑柱(120)的顶部，所述换热装置(200)位于所述晶棒(110)的外部，所述换热装置(200)包括主箱体(210)、第一延长体(220)和第二延长体(230)，所述第一延长体(220)焊接固定于所述...

【技术特征摘要】
1.一种提高单晶生长速率装置，其特征在于，包括：储料箱(100)和换热装置(200)，所述储料箱(100)的内腔底部中间位置插接有晶棒(110)，所述储料箱(100)的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱(120)，所述储料箱(100)内腔左侧壁插接有进水管(130)和出水管(140)，所述进水管(130)和所述出水管(140)与所述储料箱(100)焊接固定，所述换热装置(200)通过焊接固定于所述支撑柱(120)的顶部，所述换热装置(200)位于所述晶棒(110)的外部，所述换热装置(200)包括主箱体(210)、第一延长体(220)和第二延长体(230)，所述第一延长体(220)焊接固定于所述主箱体(210)的顶部，所述第二延长体(230)焊接固定于所述主箱体(210)的底部，所述主箱体(210)、所述第一延长体(220)和所述第二延长体(230)的内腔连通，所述主箱体(210)的内侧壁冲压...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾飞，汪奇，马新成，邹昌盛，段永兵，王军，陈龑，
申请(专利权)人：新疆晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆;65