一种提高单晶生长速率装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了光伏设备技术领域的一种提高单晶生长速率装置，包括储料箱和换热装置，所述储料箱的内腔底部中间位置插接有晶棒，所述储料箱的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱，所述储料箱内腔左侧壁插接有进水管和出水管，所述进水管和所述出水管与所述储料箱焊接固定，所述换热装置通过焊接固定于所述支撑柱的顶部，所述换热装置位于所述晶棒的外部；该提高单晶生长速率装置的设置，结构设计合理，在晶棒的外部安装有换热装置，换热装置的外壁和内壁分别通过氧化剂氧化，提高热辐射系数，在换热装置的内侧壁开有鼓包，鼓包能够增大换热面积，从而能够带走更多的热量，提高单晶硅的生长速度。

A device for increasing the growth rate of single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种提高单晶生长速率装置
本技术涉及光伏设备
，具体为一种提高单晶生长速率装置。
技术介绍
在直拉单晶硅中，提高生产效率主要有减少非有效产出的时间和提高有效产出时的效率。单晶的有效产出时间只有在等径阶段，等径阶段占总时间的一半以上。现有的单晶生长装置存在一个严重的问题就是在使用的时候，换热面积小，热辐射系数小，从而不能够及时的将热量排出，而影响单晶的生长速度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高单晶生长速率装置，以解决上述
技术介绍
中提出的单晶生长装置在使用的时候，换热面积小，热辐射系数小，从而不能够及时的将热量排出，而影响单晶的生长速度的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高单晶生长速率装置，包括储料箱和换热装置，所述储料箱的内腔底部中间位置插接有晶棒，所述储料箱的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱，所述储料箱内腔左侧壁插接有进水管和出水管，所述进水管和所述出水管与所述储料箱焊接固定，所述换热装置通过焊接固定于所述支撑柱的顶部，所述换热装置位于所述晶棒的外部，所述换热装置包括主箱体、第一延长体和第二延长体，所述第一延长体焊接固定于所述主箱体的顶部，所述第二延长体焊接固定于所述主箱体的底部，所述主箱体、所述第一延长体和所述第二延长体的内腔连通，所述主箱体的内侧壁冲压成型有鼓包，所述第一延长体的外侧壁焊接固定有第一连接管，所述第二延长体的外侧壁焊接固定有第二连接管，所述进水管和所述出水管分别与所述第二连接管和所述第一连接管连通。优选的，所述进水管和所述出水管的内部均套有橡胶圈，所述进水管和所述出水管通过所述橡胶圈套于所述第二连接管和所述第一连接管的外部。优选的，所述鼓包为半圆形结构。优选的，所述支撑柱的数量为三个，三个呈现环形分布于所述晶棒的外部。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该提高单晶生长速率装置的设置，结构设计合理，在晶棒的外部安装有换热装置，换热装置的外壁和内壁分别通过氧化剂氧化，提高热辐射系数，在换热装置的内侧壁开有鼓包，鼓包能够增大换热面积，从而能够带走更多的热量，提高单晶硅的生长速度。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术换热装置结构示意图。图中：储料箱100，晶棒110，支撑柱120，进水管130，出水管140，换热装置200，主箱体210，鼓包211，第一延长体220，第一连接管221、第二延长体230，第二连接管231。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供一种提高单晶生长速率装置，用于提高热辐射系数、增大换热面积，带走更多的热量，请参阅图1-2，包括储料箱100和换热装置200。请再参阅图1-2，所述储料箱100的内腔底部中间位置插接有晶棒110，所述储料箱100的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱120，所述储料箱100内腔左侧壁插接有进水管130和出水管140，所述进水管130和所述出水管140与所述储料箱100焊接固定，储料箱100用于储存单晶硅溶液，支撑柱120用于对换热装置200进行支撑，进水管130和出水管140形成循环的水系统。请再参阅图1-2，所述换热装置200通过焊接固定于所述支撑柱120的顶部，所述换热装置200位于所述晶棒110的外部，所述换热装置200包括主箱体210、第一延长体220和第二延长体230，所述第一延长体220焊接固定于所述主箱体210的顶部，所述第二延长体230焊接固定于所述主箱体210的底部，所述主箱体210、所述第一延长体220和所述第二延长体230的内腔连通，所述主箱体210的内侧壁冲压成型有鼓包211，所述第一延长体220的外侧壁焊接固定有第一连接管221，所述第二延长体230的外侧壁焊接固定有第二连接管231，所述进水管130和所述出水管140分别与所述第二连接管231和所述第一连接管221连通，换热装置200用于对晶棒110上的热量进行吸收并带走，鼓包211用于增大吸热的面积。请再参阅图1-2，为了提高管道连接的密封性，进水管130和所述出水管140的内部均套有橡胶圈，所述进水管130和所述出水管140通过所述橡胶圈套于所述第二连接管231和所述第一连接管221的外部，橡胶圈用于消除进水管130和第二连接管231与出水管140和第一连接管221之间的间隙。请再参阅图1-2，为了提高换热装置200内腔中的冷却水的吸热效率，鼓包211为半圆形结构，鼓包211用于增大吸热面积。请再参阅图1，为了提高换热装置200使用的稳定，支撑柱120的数量为三个，三个呈现环形分布于所述晶棒110的外部，支撑柱120用于对换热装置200进行支撑。上述的支撑柱120并不仅限于本实施例记载的具体数量，本
人员在本装置能完成其提高单晶硅生长速度功能的前提下，可以根据需要增加或减少其数量。工作原理：将高温熔融状态含有单晶硅晶体的液体倒进储料箱100的内腔中，打开进水管130上的阀门(图中未画出)，使冷却水通过进水管130进入到换热装置200的内腔中，直至灌满换热装置200的内腔，鼓包211用于增大换热装置200的表面积，进而使得换热装置200将晶棒110上的热量传递至换热装置200内腔中，使得冷却水对热量进行吸收并通过出水管140排出，进而加速单晶硅的结晶速度。虽然在上文中已经参考实施例对本技术进行了描述，然而在不脱离本技术的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，本技术所披露的实施例中的各项特征均可通过任意方式相互结合起来使用，在本说明书中未对这些组合的情况进行穷举性的描述仅仅是出于省略篇幅和节约资源的考虑。因此，本技术并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高单晶生长速率装置，其特征在于，包括：储料箱(100)和换热装置(200)，所述储料箱(100)的内腔底部中间位置插接有晶棒(110)，所述储料箱(100)的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱(120)，所述储料箱(100)内腔左侧壁插接有进水管(130)和出水管(140)，所述进水管(130)和所述出水管(140)与所述储料箱(100)焊接固定，所述换热装置(200)通过焊接固定于所述支撑柱(120)的顶部，所述换热装置(200)位于所述晶棒(110)的外部，所述换热装置(200)包括主箱体(210)、第一延长体(220)和第二延长体(230)，所述第一延长体(220)焊接固定于所述主箱体(210)的顶部，所述第二延长体(230)焊接固定于所述主箱体(210)的底部，所述主箱体(210)、所述第一延长体(220)和所述第二延长体(230)的内腔连通，所述主箱体(210)的内侧壁冲压成型有鼓包(211)，所述第一延长体(220)的外侧壁焊接固定有第一连接管(221)，所述第二延长体(230)的外侧壁焊接固定有第二连接管(231)，所述进水管(130)和所述出水管(140)分别与所述第二连接管(231)和所述第一连接管(221)连通。/n...

【技术特征摘要】
1.一种提高单晶生长速率装置，其特征在于，包括：储料箱(100)和换热装置(200)，所述储料箱(100)的内腔底部中间位置插接有晶棒(110)，所述储料箱(100)的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱(120)，所述储料箱(100)内腔左侧壁插接有进水管(130)和出水管(140)，所述进水管(130)和所述出水管(140)与所述储料箱(100)焊接固定，所述换热装置(200)通过焊接固定于所述支撑柱(120)的顶部，所述换热装置(200)位于所述晶棒(110)的外部，所述换热装置(200)包括主箱体(210)、第一延长体(220)和第二延长体(230)，所述第一延长体(220)焊接固定于所述主箱体(210)的顶部，所述第二延长体(230)焊接固定于所述主箱体(210)的底部，所述主箱体(210)、所述第一延长体(220)和所述第二延长体(230)的内腔连通，所述主箱体(210)的内侧壁冲压...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾飞，汪奇，马新成，邹昌盛，段永兵，王军，陈龑，
申请(专利权)人：新疆晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆;65