挡板装置及具有其的导流筒、挡辐射装置及拉晶装置制造方法及图纸

技术编号:23839859 阅读:33 留言:0更新日期:2020-04-18 04:04
本发明专利技术实施例提供一种挡板装置及具有其的导流筒、挡辐射装置及拉晶装置,所述挡板装置包括:挡板,所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上,所述挡板能够在第一状态和第二状态之间切换,以选择性地打开或关闭所述导流筒的通道。所述挡板装置结构简单,操作简便,且能够实现导流筒开闭状态的快速切换。

Baffle device and its guide cylinder, radiation baffle device and crystal pulling device

【技术实现步骤摘要】
挡板装置及具有其的导流筒、挡辐射装置及拉晶装置
本专利技术实施例涉及半导体制造
,尤其涉及一种挡板装置及具有其的导流筒、挡辐射装置及拉晶装置。
技术介绍
单晶硅棒生长制造工艺中,通常采用拉晶炉进行制造生产,在拉晶炉中,导流筒的作用是将下炉室分成两个区域,分别是上部腔室和下部腔室,上下部腔室的温差会达到700~800℃。首先,在将位于下部腔室的多晶硅硅料融化后,很大一部分热量会通过导流筒的下口以热辐射的形式散发到上部腔室,导致热量流失,拉晶所需的温度达不到标准值;其次,多晶硅熔融过程中还会产生杂质,产生的杂质会进入到上部腔室,从而产生由杂质引起的单晶硅棒的位错问题,并且在拉晶结束后上部腔室也需要繁复地清洗;在后续拉晶的过程中,则需要对晶棒进行冷却,但由于导流筒的连通了上下腔室,下部腔室的热量还是会持续不断的流入到上部腔室,使上部腔室的温度难以快速降低,影响单晶硅棒的冷却效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种挡板装置及具有其的导流筒、挡辐射装置及拉晶装置。所述装置结构简单,操作简便,且能够实现导流筒开闭状态的快速切换。为了解决上述技术问题,本专利技术是这样实现的:第一方面,本专利技术实施例提供了一种挡板装置,应用于导流筒,所述装置包括:挡板,所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上,所述挡板能够在第一状态和第二状态之间切换,以选择性地打开或关闭所述导流筒的通道。第二方面,一种导流筒,包括:如本专利技术第一方面所述挡板装置以及设置于所述导流筒内壁上的转动轴,所述转动轴用于将所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上。第三方面,本专利技术实施例提供了一种挡辐射装置,所述装置包括:如本专利技术第二方面所述导流筒以及控制模块;所述控制模块与所述挡板相连,用于控制所述挡板在所述第一状态和所述第二状态之间切换;或者,所述控制模块与所述转动轴相连,用于通过控制所述转动轴以控制所述挡板在所述第一状态和所述第二状态之间切换。第四方面,本专利技术实施例提供了一种拉晶装置,包括如本专利技术第三方面所述的挡辐射装置。在本专利技术实施例中:通过将所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上,根据需要选择性地打开或关闭所述挡板,能够实现导流筒开闭状态的快速切换,所述装置结构简单,操作简便,实用性强。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。图1A和1B所示为本专利技术实施例提供的一挡板的结构示意图;图2所示为本专利技术实施例提供的另一种挡板的结构示意图;图3A和3B所示为本专利技术实施例提供的挡板在第一状态和第二状态下的示意图;图4所示为本专利技术实施例提供的一种挡辐射装置的结构示意图。附图标记挡板100;第一子挡板110;第二子挡板120;转动轴200;导流筒300;导流筒窄口端310;提拉装置400;提拉线500;通孔600。具体实施方式本申请的说明书和权利要求书中的术语“包括”以及它的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外,说明书以及权利要求中使用“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,例如A和/或B,表示包含单独A,单独B,以及A和B都存在三种情况。在本专利技术实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本专利技术实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。参见图1A和1B,为本专利技术实施例提供的一种挡板装置。所示挡板100可转动地铰接在所述导流筒内壁上,所述导流筒300包括喇叭形筒体及与喇叭形筒体连接的窄口端310和宽口端320。所述挡板100能够在第一状态和第二状态之间切换,以选择性地打开或关闭所述导流筒300的通道。在所述第一状态下,所述挡板100能够关闭所述导流筒300的通道,即所述挡板100从所述导流筒300侧壁移动到所述导流筒300中心,将所述导流筒300窄口端310遮蔽,起到关闭导流筒300的作用。在所述第二状态下,所述挡板100从所述导流筒300中心移动到所述导流筒300侧壁上,完全打开所述窄口端310,使得所述导流筒300通道保持畅通。本专利技术的实施例中,通过将所述挡板100可转动地铰接在所述导流筒300内壁上,根据需要选择性地打开或关闭所述挡板100,能够实现导流筒300开闭状态的快速切换。参见图2,为本专利技术实施例提供的另一种挡板100。所示挡板100还包括第一子挡板110和第二子挡板120。所述第一子挡板110的一端与所述第一子挡板120的一端均可转动地铰接在所述导流筒300的内壁的第一位置,所述第一子挡板110的另一端与所述第一子挡板120的另一端均可转动地铰接在所述导流筒300的内壁的第二位置。本专利技术的实施例中,为第一子挡板110和第一子挡板120配合使用的挡板100结构,可以使挡板100的打开和关闭更灵活,在导流筒300内有限的空间中,挡板100只需移动较短的距离即可实现导流筒300开闭状态的快速切换。可选的,所述挡板100为中间宽两端窄的弧形挡板100,所述弧形挡板100的弧度与所述导流筒300内壁弧度相同。所述挡板100的弧度与所述导流筒300内壁弧度相同是为了在打开导流筒300时,使得挡板100贴合在导流筒300内壁上,避免挡板100遮挡导流筒300的下口端。此外,为了使在多晶硅熔融过程中由上腔室通入的冷却气体能通过挡板100,在子挡板110和子挡板120上设置尺寸和数量合适的通孔,该通孔处的气体流速可以阻挡多晶硅熔融时产生的杂质由通孔进入上部腔室。可选的,所述挡板100的材料为钼、碳-碳复合材料、固化石墨毡或石墨。所述材料耐高温且制造成本较低。需要说明的是,本专利技术实施例提供挡板100可以运用在任何形状的导流筒300内,例如圆柱形导流筒300。参见图3A和3B,为本专利技术实施例提供的挡板100在第一状态和第二状态下的示意图。所述挡板100装置通过设置于所述导流筒300内壁上的转动轴200与导流筒300连接,所述挡板100可转动地铰接在所述导流筒300内壁上。如图3A所示,在所述第一状态下,所述第一子挡板110和所述第一子挡板120的一侧相接。所述第一状态为,需要遮蔽所述导流筒300窄口端310时,所述第一子挡板110和所述第一子挡板120的一侧相接,关闭所述导流筒300的通道,即所述第一子挡板110和所述第一子挡板120分别从所述导流筒300侧壁移动到所述导流筒300中心,两块挡板100的一侧相接形成闭合的弧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种挡板装置,其特征在于,应用于导流筒,所述装置包括:/n挡板,所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上,所述挡板能够在第一状态和第二状态之间切换,以选择性地打开或关闭所述导流筒的通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种挡板装置,其特征在于,应用于导流筒,所述装置包括:
挡板,所述挡板可转动地铰接在所述导流筒内壁上,所述挡板能够在第一状态和第二状态之间切换,以选择性地打开或关闭所述导流筒的通道。


2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述挡板还包括第一子挡板和第二子挡板;
所述第一子挡板的一端与所述第二子挡板的一端均可转动地铰接在所述导流筒的内壁的第一位置,所述第一子挡板的另一端与所述第二子挡板的另一端均可转动地铰接在所述导流筒的内壁的第二位置;
在所述第一状态下,所述第一子挡板和所述第二子挡板的一侧相接;
在所述第二状态下,所述第一子挡板和所述第二子挡板贴合在所述导流筒内壁上。


3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述挡板为中间宽两端窄的弧形挡板,所述弧形挡板的弧度与所述导流筒内壁弧度相同。


4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述挡板的材料为钼、碳-碳复合材料、固化石墨毡或石墨。


5.一种导流筒,其特征在于,包括:如权利要求1-4中任一项所述挡板装置以及设置于所述导流筒内壁上的转动轴,所述转动轴用于将所述挡板可转动地铰接...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨帅军
申请(专利权)人:西安奕斯伟硅片技术有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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