【技术实现步骤摘要】
具有U形沟道的半导体装置及包括其的电子设备
本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及具有U形沟道的半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。
技术介绍
随着半导体器件的不断小型化,提出了各种结构的器件例如鳍式场效应晶体管(FinFET)、多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)等。但是,这些器件在增加集成密度和增强器件性能方面由于器件结构的限制改进的空间仍然不能满足要求。
技术实现思路
有鉴于此,本公开的目的至少部分地在于提供一种具有U形沟道的半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。根据本公开的一个方面,提供了一种半导体装置,包括在衬底上彼此相对的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自包括:衬底上竖直延伸且在平面图中呈U形的沟道部;分处于沟道部上下两端且沿着U形沟道部的源/漏部;以及在所述U形的内侧与沟道部交迭的栅堆叠。第一器件的U形的开口和第二器件的U形的开口彼此相对。第一器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分与第二器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分实质上共面。根据本公开的另一方面,提供了一种电子设备,包括上述半导体装置。根据本公开的实施例,提出了一种新型结构的半导体装置,可以具有高性能和高密度的优点。附图说明通过以下参照附图对本公开实施例的描述,本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:图1至25示意性示出了根据本公开实施例的制造半导体装置的流程中的一些阶段,其中,图3(a)、4、5(a)、6(a)、9(a)、11(a) ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括在衬底上彼此相对的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件各自包括:/n衬底上竖直延伸且在平面图中呈U形的沟道部;/n分处于沟道部上下两端且沿着U形沟道部的源/漏部;以及/n在所述U形的内侧与沟道部交迭的栅堆叠,/n其中,第一器件的U形的开口和第二器件的U形的开口彼此相对,/n其中,第一器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分与第二器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分实质上共面。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,包括在衬底上彼此相对的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件各自包括:
衬底上竖直延伸且在平面图中呈U形的沟道部;
分处于沟道部上下两端且沿着U形沟道部的源/漏部;以及
在所述U形的内侧与沟道部交迭的栅堆叠,
其中,第一器件的U形的开口和第二器件的U形的开口彼此相对,
其中,第一器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分与第二器件的栅堆叠的至少靠近沟道部的部分实质上共面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,以下至少之一成立:
第一器件的上端源/漏部和第二器件的上端源/漏部实质上共面;
第一器件的下端源/漏部和第二器件的下端源/漏部实质上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
第一器件的U形包括彼此相对的第一臂和第二臂,
第二器件的U形包括彼此相对的第三臂和第四臂,
其中,第一臂和第三臂在实质上相同的方向上相对延伸,第二臂和第四臂在实质上相同的方向上相对延伸。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,第一臂和第三臂沿着实质上相同的直线延伸,第二臂和第四臂沿着实质上相同的直线延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,以下至少之一成立:
第一器件的上端源/漏部与沟道部之间的界面与第二器件的上端源/漏部与沟道部之间的界面实质上共面;
第一器件的下端源/漏部与沟道部之间的界面与第二器件的下端源/漏部与沟道部之间的界面实质上共面。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,以下至少之一成立:
第一器件的沟道部的内侧壁与第二器件的沟道部的内侧壁实质上共面;
第一器件的沟道部的外侧壁与第二器件的沟道部的外侧壁实质上共面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,以下至少之一成立:
第一器件的上端源/漏部的内侧壁与第二器件的上端源/漏部的内侧壁实质上共面;
第一器件的上端源/漏部的外侧壁与第二器件的上端源/漏部的外侧壁实质上共面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,以下至少之一成立:
第一器件的下端源/漏部的至少上部的内侧壁与第二器件的下端源/漏部的至少内侧壁实质上共面;
第一器件的下端源/漏部的至少上部的外侧壁与第二器件的下端源/漏部的至少外侧壁实质上共面。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,第一器件和第二器件各自还包括:
上端的沟道部上的硬掩模层,
其中,第一器件和第二器件的硬掩模层构成闭合环形。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第一器件和第二器件各自的沟道部沿着所述U形具有实质上相同的厚度。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,第一器件沟道部的厚度不同于第二器件的沟道部的厚度。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第一器件和第二器件各自的源/漏部相对于沟道部向着所述U形的内侧伸出,从而源/漏部和沟道部在截面图中呈C形。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,第一器件的源/漏部相对于沟道部的伸出程度与第二器件的源/漏部相对于沟道部的伸出程度实质上相同。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,栅堆叠靠近沟道部的端部嵌于所述C形内。
15.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,源/漏部在截面图中具有朝向所述U形的内侧渐缩的形状。
16.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述U形具有圆拐角...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱慧珑,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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