光电元件封装体制造技术

本发明专利技术公开一种光电元件封装体，其包括基板、至少一光电元件、第一阻障层、波长转换层以及第二阻障层。光电元件配置于基板上。第一阻障层配置于基板上且覆盖光电元件。波长转换层配置于第一阻障层上。第二阻障层覆盖波长转换层。第一阻障层的成份组成包含氮元素含量大于0at％至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。

【技术实现步骤摘要】
光电元件封装体
本专利技术涉及一种光电元件封装体。
技术介绍
近年来，波长转换材料(例如量子点等)与光电元件(例如发光元件等)的研究逐渐受到关注。波长转换材料具有发光频谱集中的特性，色域广且色彩饱和度佳，通过波长转换材料与光电元件的搭配，有机会达到更好的全彩显示效果。然而，波长转换材料易受到热及/或水氧的影响而损坏，如何通过封装技术提升光电元件搭载波长转换材料对热及/或水氧的阻障特性，进而增进光电元件封装体的可靠度及其寿命，实为关键。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光电元件封装体，此光电元件封装体可具有良好的阻障性质。为达上述目的，本专利技术一实施例提出的光电元件封装体包括基板、至少一光电元件、第一阻障层、波长转换层以及第二阻障层。光电元件配置于基板上。第一阻障层配置于基板上且覆盖光电元件。波长转换层配置于第一阻障层上。第二阻障层覆盖波长转换层。第一阻障层的成份组成包含氮(N)元素含量大于0原子百分比(atomicpercent，at％)至10at％、氧(O)元素含量介于50at％至70at％以及硅(Si)元素含量介于30at％至50at％。本专利技术一实施例的光电元件封装体中，分别将第一阻障层以及第二阻障层的表面进行改质，可使第一阻障层提供阻热(thermalresistance)兼具阻水氧的阻障效果，并使覆盖在波长转换层上的第二阻障层具备良好的阻障特性，有利于保护波长转换层，由此降低波长转换层因受热及/或水氧等损伤而影响发光效率。为使本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1A至图1G为本专利技术第一实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；图2为本专利技术第二实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图3A至图3F为本专利技术第三实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；图4为本专利技术第四实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图5为本专利技术第五实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图6为本专利技术第六实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图7为本专利技术第七实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图8为本专利技术第八实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图9为本专利技术第九实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图10为本专利技术第十实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；图11为本专利技术一实施例的光电元件封装体布局的局部上视示意图。附图标记100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000：光电元件封装体110：基板120：光电元件130、330、730：第一阻障层130a、330a、730a：第一区130b、330b、730b：第二区140、340：波长转换层150、350、450、550、850：第二阻障层150a、350a、450a、550a、850a：第三区150b、350b、450b、550b、850b：第四区1122：第一线路层1124：第二线路层260、560：平坦层370：挡墙680：缓冲层990、1090：反射层PU：像素单元具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。图1A至图1G为本专利技术第一实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图。请参考图1A，首先提供基板110，基板110可为具有可见光穿透性的硬质基板或可挠性基板。举例而言，前述的硬质基板的材料例如是玻璃、晶圆或其他硬质材料，而前述的可挠性基板材料例如是聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰胺(polyamide，PA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚乙烯亚胺(polyethylenimine，PEI)、聚氨酯(polyurethane，PU)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、压克力系(acrylic)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚砜(polyethersulfone，PES)或聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚烯(polyolefin)、薄玻璃或其他可挠性材料，但本专利技术并不以此为限。接着，形成至少一光电元件120，光电元件120配置于基板110上，光电元件120可包括发光元件等，发光元件可例如为有机发光元件、无机发光元件、量子点发光显示元件等，本专利技术并不以此为限。以下实施例以无机发光元件为范例。在光电元件120形成后，可以通过溶液制作工艺(solutionprocess)在基板110以及光电元件120上形成第一阻障层130，再将第一阻障层130进行固化(curing)。第一阻障层130可覆盖光电元件120的顶表面以及侧壁。溶液制作工艺中使用的第一阻障层130材料可例如是包括聚硅氮烷(polysilazane)、聚硅氮氧烷(polysiloxazane)或其他适合的材料。请参考图1B，在本实施例中，可将固化后的第一阻障层130于大气中进行水解(hydrolysis)，水解的程度可视需求而定，再利用照光、加热或等离子体等处理方式对部分水解的第一阻障层130表面进行改质，以增进其阻障特性。照光处理可例如是使用真空紫外光(vacuumultravioletlight，VUV)；加热处理可例如是利用加热板(hotplate)、烘箱(oven)等方式进行加热，使用的气体可包括空气、氮气(N2)、氧气(O2)等；等离子体处理可包括使用钝气、氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、含氟气体、氯气(Cl2)等进行等离子体改质。经过表面改质处理的第一阻障层130材料可例如是包括氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)或其他适合的材料。在一实施例中，在形成第一阻障层130之前可选择性地在光电元件120上形成覆盖层(未绘示)，其中形成覆盖层的方法可例如是喷墨印刷(ink-jetprinting，IJP)、等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhancedchemicalvapordeposition，PECVD)、物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)、溅镀(sputterdeposition)、原子层沉积(atomiclayerd本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电元件封装体，其特征在于，包括：/n基板；/n至少一光电元件，配置于该基板上；/n第一阻障层，配置于该基板上且覆盖该至少一光电元件；/n波长转换层，配置于该第一阻障层上；以及/n第二阻障层，覆盖该波长转换层，/n其中该第一阻障层的成份组成包含氮元素含量大于0原子百分比(at％)至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。/n

【技术特征摘要】
20190225 TW 108106381;20181012 US 62/744,6621.一种光电元件封装体，其特征在于，包括：
基板；
至少一光电元件，配置于该基板上；
第一阻障层，配置于该基板上且覆盖该至少一光电元件；
波长转换层，配置于该第一阻障层上；以及
第二阻障层，覆盖该波长转换层，
其中该第一阻障层的成份组成包含氮元素含量大于0原子百分比(at％)至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。


2.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第一阻障层的热传导系数小于5瓦/米-绝对温度，且其水气穿透率小于10-1克/平方米-天。


3.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第二阻障层的成份组成包含氮元素含量介于5at％至45at％、氧元素含量介于5at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。


4.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第二阻障层的氮元素含量高于或等于该第一阻障层的氮元素含量，且该第一阻障层的氧元素含量高于或等于该第二阻障层的氧元素含量。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭燕静，洪健彰，廖贞慧，黄奕翔，叶树棠，戴宏明，陈鸿毅，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71