具有多个发光单元的发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆反射层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆反射层，具有使第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；第一、第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层，其中，第一、第二凸起垫具有第一、第二凸起垫外侧部，连接部相比于第一、第二凸起垫外侧部位于更内侧。

【技术实现步骤摘要】
具有多个发光单元的发光二极管本申请是申请日为2017年11月2日、申请号为201780074372.0、题为“具有多个发光单元的发光二极管”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有多个发光单元的发光二极管。
技术介绍
通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型能S带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、汽车前照灯、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。通常，发光二极管经过封装工序而以封装形态进行使用。然而，最近对于发光二极管正在进行关于在芯片级别执行封装工序的芯片级(chipscale)封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工序，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及成本。芯片级封装形态的发光二极管大体具有倒装芯片形状的电极结构，因此散热特性良好。另外，将多个发光单元串联连接的发光二极管正在开发中。这样的发光二极管可以在高电压低电流条件下使一个发光二极管工作，从而能够缓解发光二极管的衰减(droop)现象。然而，为了将多个发光单元串联连接而使用的连接部受到由发光单元形成的基板上的形貌影响容易发生断线，并且，易于发生水分从外部浸透而导致连接部受损等可靠性问题。并且，在多个发光单元串联连接的情况下，凸起垫电连接于一个发光单元，因此可能限制凸起垫未电连接的发光单元中的通过凸起垫的散热。进而，当在未电连接的发光单元上部布置有凸起垫时，在凸起垫与发光单元的电极之间可能发生较高的电位差，从而可能会导致绝缘击穿等原件不良。
技术实现思路
技术问题本专利技术要解决的课题在于提供一种具有串联连接的多个发光单元并提高了可靠性的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种具有多个发光单元且具有芯片级封装形态的倒装芯片结构的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够防止沿由于发光单元产生的基板上的形貌而形成的连接部的损伤的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种可靠性高且光提取效率高的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够不对发光二极管的结构进行复杂的变更也能够有效地防止焊料等焊接材料扩散以提高可靠性的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种具有串联连接的多个发光单元并提高了散热性能的发光二极管。本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够调节发光单元与凸起垫之间的电位差而防止绝缘击穿的芯片级封装形态的倒装芯片结构的发光二极管。技术方案根据本专利技术的一实施例的发光二极管包括：基板；多个发光单元，布置于所述基板上，并且分别包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；(多个)连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖所述(多个)连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部；以及第一凸起垫和第二凸起垫，分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，所述连接部经过一个发光单元的边缘部位中的仅一个边缘部位上部而延伸至相邻的发光单元的上部。根据本专利技术的又一实施例的发光二极管包括：多个发光单元，分别包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层上；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；多个连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖所述连接部、所述第一垫金属层及第二垫金属层，并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部；以及第一凸起垫和第二凸起垫，分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，各个发光单元的至少一部分与所述第一凸起垫及第二凸起垫中的至少一个的一部分重叠，各个发光单元的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层与所述第一凸起垫及第二凸起垫中的重叠于该发光单元的凸起垫之间的电位差为5Vf以下，在此，Vf是施加于所述第一凸起垫与所述第二凸起垫之间的正向电压除以发光单元的数量而得到的值。根据本专利技术的又一实施例的发光二极管包括：七个或八个发光单元，分别包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述发光单元；连接部，布置于所述下部绝缘层上，通过所述下部绝缘层的开口部电连接于所述发光单元，并串联电连接相邻的发光单元；上部绝缘层，覆盖所述连接部；以及第一凸起垫和第二凸起垫，布置于所述上部绝缘层上，并分别电连接于所述发光单元中的一个，其中，各个发光单元的至少一部分与所述第一凸起垫及第二凸起垫中的一个的一部分重叠，所述第一凸起垫及第二凸起垫分别连续地跨过串联连接的三个或四个发光单元而布置。根据本专利技术的又一实施例的发光二极管包括：基板；多个发光单元，布置于所述基板上，并且分别包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；(多个)连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖所述(多个)连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部；以及第一凸起垫和第二凸起垫，分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，所述发光单元包括具有布置于所述基板的一侧边缘部位附近的边缘部位的发光单元，所述上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n基板；/n多个发光单元，包括分别形成于所述基板上的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；/n欧姆反射层，欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层；/n下部绝缘层，覆盖所述发光单元及欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；/n多个连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵；/n第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；/n第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；/n上部绝缘层，覆盖所述连接部、所述第一垫金属层及第二垫金属层，并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部；以及/n第一凸起垫和第二凸起垫，分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，/n其中，所述第一凸起垫及第二凸起垫具有靠近基板侧的第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部，/n所述多个连接部相比于所述第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部位于更内侧。/n...

【技术特征摘要】
20161130 KR 10-2016-0161006;20170209 KR 10-2017-001.一种发光二极管，包括：
基板；
多个发光单元，包括分别形成于所述基板上的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；
欧姆反射层，欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层；
下部绝缘层，覆盖所述发光单元及欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；
多个连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于串联电连接相邻的发光单元而形成发光单元的串联矩阵；
第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；
第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；
上部绝缘层，覆盖所述连接部、所述第一垫金属层及第二垫金属层，并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部；以及
第一凸起垫和第二凸起垫，分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，
其中，所述第一凸起垫及第二凸起垫具有靠近基板侧的第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部，
所述多个连接部相比于所述第一凸起垫外侧部及第二凸起垫外侧部位于更内侧。


2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述第一垫金属层限定布置于所述最后一个发光单元的上部区域内，所述第二垫金属层限定布置于所述第一发光单元的上部区域内。


3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，
所述第二垫金属层被...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世熙，金贤儿，金钟奎，蔡钟炫，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR