一种图像传感器结构和形成方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器结构和形成方法，图像传感器结构包括：像素单元阵列，位于像素单元阵列外围的外围电路，围绕设于像素单元阵列与外围电路之间的热屏蔽结构；热屏蔽结构设有空腔，空腔内填充有热的不良导体，热屏蔽结构将外围电路发出的热量全部隔离，防止热量向所述像素单元阵列传递，能避免因图像传感器外围电路的发热造成的成像质量劣化和失真问题。

Structure and forming method of image sensor

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器结构和形成方法
本专利技术涉及图像传感器
，特别是涉及一种可防止输出失真的图像传感器结构和形成方法。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，其中大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片两大类。CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比具有低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于微型数码相机(DSC)，手机摄像头，摄像机和数码单反(DSLR)等消费电子领域，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。请参考图1-图2，图1是一种常规CMOS图像传感器芯片的布局示意图，图2是沿图1中A-B位置的截面结构示意图。如图1所示，芯片中央是密集排布的像素单元阵列，像素单元阵列负责将光信号转换为电信号；像素单元阵列四周是各种外围控制和读出电路，包括列级读出电路和行选控制电路等外围电路。在这些外围电路的工作过程中，往往伴随着电路发光和发热现象。发热现象是由于电流通过外围电路中的导体或半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：像素单元阵列，位于所述像素单元阵列外围的外围电路，围绕设于所述像素单元阵列与外围电路之间的热屏蔽结构；所述热屏蔽结构设有空腔，所述空腔内填充有热的不良导体，所述热屏蔽结构将所述外围电路发出的热量全部隔离，防止热量向所述像素单元阵列传递。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：像素单元阵列，位于所述像素单元阵列外围的外围电路，围绕设于所述像素单元阵列与外围电路之间的热屏蔽结构；所述热屏蔽结构设有空腔，所述空腔内填充有热的不良导体，所述热屏蔽结构将所述外围电路发出的热量全部隔离，防止热量向所述像素单元阵列传递。


2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述像素单元阵列和外围电路设于器件硅片上，所述器件硅片包括第一硅衬底和设于所述第一硅衬底正面表面上的后道介质层，所述后道介质层正面表面上相连设有载片，所述载片包括第二硅衬底和设于所述第二硅衬底正面表面上的键合介质层，所述键合介质层与所述后道介质层相连；所述像素单元阵列与外围电路之间的所述第一硅衬底正面上围绕设有浅槽隔离；所述空腔包括相连的纵向空腔和横向空腔，所述纵向空腔穿设于所述浅槽隔离中，将所述像素单元阵列与所述外围电路相热隔离，所述横向空腔设于所述后道介质层与所述键合介质层之间，将所述外围电路与所述载片相热隔离。


3.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述纵向空腔由第一沟槽和第二沟槽上下相连而成，所述第一沟槽上端与所述横向空腔相连，所述第一沟槽下端穿过所述浅槽隔离与所述第二沟槽下端相连，所述第二沟槽上端封闭于所述第一硅衬底的背面表面上。


4.根据权利要求3所述的图像传感器结构，其特征在于，所述第二沟槽上端通过封口介质封闭于所述第一硅衬底的背面表面上。


5.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述横向空腔由设于所述后道介质层正面表面上的第三沟槽与设于所述键合介质层正面表面上的第四沟槽相拼合而成。


6.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述外围电路外围设有划片槽，所述横向空腔与所述划片槽之间保持间距。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海微阱电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31