受光元件以及测距模块制造技术

本实用新型专利技术提供能够提高特性的受光元件和测距模块。所述受光元件具备片上透镜、布线层以及配置在片上透镜和布线层之间的半导体层，半导体层包括：被施加第一电压的第一电压施加部；被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部；配置在第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；配置在第二电压施加部的周围的第二电荷检测部；以及贯穿半导体层的贯穿电极。通过贯穿电极对半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。本实用新型专利技术例如可以应用在以ToF方式生成距离信息的受光元件等上。

Receiving element and ranging module

【技术实现步骤摘要】
受光元件以及测距模块
本技术涉及受光元件以及测距模块，特别涉及能够提高特性的受光元件以及测距模块。
技术介绍
以往，利用了间接ToF(TimeofFlight)方式的测距系统已被公众所知。在这种测距系统中，能够将通过对在某一相位使用LED(LightEmittingDiode)、激光照射的有源光碰到对象物而反射的光进行受光而得到的信号电荷高速地分配到不同区域的传感器是必不可少的。因此，例如提出了通过对传感器的基板直接施加电压而在基板内产生电流，能够对基板内的大范围的区域高速地进行调制的技术(例如，参照专利文献1)。这种传感器也被称作CAPD(CurrentAssistedPhotonicDemodulator)传感器。专利文献1：日本专利公开公报特开2011-86904号但是，在上述的技术中难以得到充分的特性的CAPD传感器。例如上述的CAPD传感器成为在基板中的接收来自外部的光的一侧的面配置有布线等的表面照射型的传感器。为了确保光电转换区域，优选在PD(Photodiode)即光电转换部的受光面侧不存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种受光元件，其特征在于，/n所述受光元件包括：/n片上透镜；/n布线层；以及/n配置在所述片上透镜和所述布线层之间的半导体层，/n所述半导体层包括：/n被施加第一电压的第一电压施加部；/n被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压施加部；/n配置在所述第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；/n配置在所述第二电压施加部的周围的第二电荷检测部；以及/n贯穿所述半导体层的贯穿电极，/n通过所述贯穿电极对所述半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。/n

【技术特征摘要】
20180718 JP 2018-1353491.一种受光元件，其特征在于，
所述受光元件包括：
片上透镜；
布线层；以及
配置在所述片上透镜和所述布线层之间的半导体层，
所述半导体层包括：
被施加第一电压的第一电压施加部；
被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压施加部；
配置在所述第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；
配置在所述第二电压施加部的周围的第二电荷检测部；以及
贯穿所述半导体层的贯穿电极，
通过所述贯穿电极对所述半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。


2.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述布线层至少具有具备反射部件的一层，
所述反射部件设置成在俯视时与所述第一电荷检测部或所述第二电荷检测部重叠。


3.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述布线层至少具有具备遮光部件的一层，
所述遮光部件设置成在俯视时与所述第一电荷检测部或所述第二电荷检测部重叠。


4.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，所述规定的膜是固定电荷膜。


5.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，所述规定的膜是绝缘膜。


6.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述贯穿电极是形成在像素边界部上的像素间贯穿电极，
使用所述像素间贯穿电极对所述规定的膜施加所述第三电压。


7.根据权利要求6所述的受光元件，其特征在于，
所述规定的膜的上侧还具备与所述像素间贯穿电极连接的透明导电膜，
借助所述透明导电膜，对所述规定的膜施加所述第三电压。


8.根据权利要求6所述的受光元件，其特征在于，
在所述半导体层的片上透镜侧的像素边界部的面上还具备与所述像素间贯穿电极连接的像素间遮光膜，
借助所述像素间遮光膜，对所述规定的膜施加所述第三电压。


9.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述贯穿电极形成在比像素阵列部靠外侧的外周部上，
从所述外周部的所述贯穿电极对所述规定的膜施加所述第三电压。


10.根据权利要求9所述的受光元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻田知治，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：新型
国别省市：日本;JP