一种CMOS图像传感器结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS图像传感器结构及制造方法，CMOS图像传感器结构包括：设于SOI衬底上的像素单元阵列和位于所述像素单元阵列周围的外围电路；其中，所述SOI衬底依次包括器件用硅衬底、埋氧层和硅基底，所述像素单元阵列中包括设于所述器件用硅衬底、埋氧层和硅基底中的硅外延层，以及设于所述硅外延层中的多个像素单元的感光部。本发明专利技术实现了在图像传感器外围电路中仍然使用高性能的SOI器件的同时，制造出高性能的像素单元结构。

A CMOS image sensor structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像传感器结构及制造方法
本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种CMOS图像传感器结构及制造方法。
技术介绍
半个世纪以来，半导体产业一直按照摩尔定律进行着晶体管尺寸的微缩、晶体管密度的提高和性能的提升。然而，随着平面结构的体硅晶体管器件尺寸越来越接近物理极限，摩尔定律也就越来越接近于它的终结；因此，一些被称为“非经典CMOS”的半导体器件新结构被提出。这些技术包括FinFET、碳纳米管、绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)，绝缘体上的锗硅(SiGeoninsulator，SiGeOI)和绝缘体上的锗(Geoninsulator，GeOI)等。通过这些新结构，可以将半导体器件的性能进一步提升。其中，在绝缘体上硅衬底(SOI)材料上制造的半导体器件，由于其工艺简单和性能优越，引起了广泛关注。绝缘体上的半导体，是一种将器件制作在绝缘层之上的硅层中而非制作在传统硅衬底上，从而实现不同晶体管之间的全介质隔离的技术。相比传统的平面体硅工艺，SOI技术具有高速、低功耗和集成度高的优势。与体硅器件相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器结构，其特征在于，包括：设于SOI衬底上的像素单元阵列和位于所述像素单元阵列周围的外围电路；其中，所述SOI衬底依次包括器件用硅衬底、埋氧层和硅基底，所述像素单元阵列中包括设于所述器件用硅衬底、埋氧层和硅基底中的硅外延层，以及设于所述硅外延层中的多个像素单元的感光部。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器结构，其特征在于，包括：设于SOI衬底上的像素单元阵列和位于所述像素单元阵列周围的外围电路；其中，所述SOI衬底依次包括器件用硅衬底、埋氧层和硅基底，所述像素单元阵列中包括设于所述器件用硅衬底、埋氧层和硅基底中的硅外延层，以及设于所述硅外延层中的多个像素单元的感光部。


2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，自所述器件用硅衬底表面向埋氧层和硅基底中设有沟槽，所述硅外延层设于所述沟槽中，所述外围电路位于所述沟槽的周围。


3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述感光部为光电二极管，所述沟槽底面上的所述硅基底中设有与所述光电二极管相连的箝位结构。


4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述光电二极管由上下相连的多个光电二极管组成。


5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，多个所述光电二极管之间的注入浓度向所述沟槽底面方向依次递减。


6.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述沟槽底面上的所述硅基底中还设有阻挡层。


7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述箝位结构设于所述阻挡层中。


8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海微阱电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31