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本发明公开了一种CMOS图像传感器结构及制造方法，CMOS图像传感器结构包括：设于SOI衬底上的像素单元阵列和位于所述像素单元阵列周围的外围电路；其中，所述SOI衬底依次包括器件用硅衬底、埋氧层和硅基底，所述像素单元阵列中包括设于所述器件用...
该专利属于上海微阱电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微阱电子科技有限公司授权不得商用。

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