【技术实现步骤摘要】
受光元件以及测距模块
本技术涉及受光元件以及测距模块，特别涉及能够提高特性的受光元件以及测距模块。
技术介绍
以往，利用了间接ToF(TimeofFlight，飞行时间)方式的测距系统已被公众所知。在这种测距系统中，能够将通过对在某一相位使用LED(LightEmittingDiode)、激光照射的有源光碰到对象物而反射的光进行受光而得到的信号电荷高速地分配到不同区域的传感器是必不可少的。因此，例如提出了通过对传感器的基板直接施加电压而在基板内产生电流，能够对基板内的大范围的区域高速地进行调制的技术(例如，参照专利文献1)。这种传感器也被称作CAPD(CurrentAssistedPhotonicDemodulator)传感器。专利文献1：日本专利公开公报特开2011-86904号但是，在上述的技术中难以得到充分的特性的CAPD传感器。例如上述的CAPD传感器成为在基板中的接收来自外部的光的一侧的面配置有布线等的表面照射型的传感器。为了确保光电转换区域，优选在PD(Photodiode...
【技术保护点】
1.一种受光元件，其特征在于，/n所述受光元件具备：/n片上透镜；/n布线层；以及/n半导体层，配置在所述片上透镜与所述布线层之间，/n所述半导体层具备：/n第一抽头，具有被施加第一电压的第一电压施加部以及配置在该第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；以及/n第二抽头，具有被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部以及配置在该第二电压施加部的周围的第二电荷检测部，/n使所述片上透镜的位置在像素阵列部的面内的位置不同，以使得来自被摄体的主光线的光路长度或者DC对比度在所述像素阵列部的面内的各像素中均匀。/n
【技术特征摘要】
20180718 JP 2018-1353971.一种受光元件，其特征在于，
所述受光元件具备：
片上透镜；
布线层；以及
半导体层，配置在所述片上透镜与所述布线层之间，
所述半导体层具备：
第一抽头，具有被施加第一电压的第一电压施加部以及配置在该第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；以及
第二抽头，具有被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部以及配置在该第二电压施加部的周围的第二电荷检测部，
使所述片上透镜的位置在像素阵列部的面内的位置不同，以使得来自被摄体的主光线的光路长度或者DC对比度在所述像素阵列部的面内的各像素中均匀。
2.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述布线层至少具有具备反射部件的1层，
所述反射部件被设置成在俯视观察时与所述第一电荷检测部或者所述第二电荷检测部重叠。
3.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
所述布线层至少具有具备遮光部件的1层，
所述遮光部件被设置成在俯视观察时与所述第一电荷检测部或者所述第二电荷检测部重叠。
4.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
像素间遮光膜的位置也与所述片上透镜一起在所述像素阵列部的面内的位置不同。
5.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
在像素边界部还具备像素分离部，该像素分离部针对所述半导体层的深度方向的至少一部分将邻接像素分离。
6.根据权利要求5所述的受光元件，其特征在于，
所述像素分离部是从所述半导体层的背面侧或者表面侧到规定的深度为止将邻接像素分离的深槽隔离。
7.根据权利要求5所述的受光元件，其特征在于，
所述像素分离部是贯通所述半导体层而将邻接像素分离的贯通分离部。
8.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
使所述片上透镜的位置在所述像素阵列部的面内的位置不同，以使得作为各像素的所述第一抽头和所述第二抽头中的一方的相位偏移检测抽头的相位偏移量(θ)在规定的范围内相等。
9.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，
使所述片上透镜的位置...
【专利技术属性】
技术研发人员：矶谷优治，井本努，丸山卓哉，村瀬拓郎，渡辺竜太，若野寿史，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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