包括激光屏障图案的图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a‑Si)或多晶硅(poly‑Si)，上栅格图案包括导电材料。

Image sensor including laser barrier pattern

【技术实现步骤摘要】
包括激光屏障图案的图像传感器本申请要求于2018年10月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0120756号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
符合示例性实施例的设备和方法涉及包括激光屏障图案的图像传感器以及制造其的方法。
技术介绍
图像传感器是被配置为通过利用半导体的对入射光起反应的性质来获取图像的装置。图像传感器可以包括光电转换单元和逻辑电路单元，光电转换单元被配置为将入射光转换成电信号，逻辑电路单元被配置为处理电信号以生成数据。图像传感器可以通过利用改变入射在光电转换单元的外部区域上的光的路径的微透镜阵列来改善其光学灵敏度，使得光聚集在光电转换单元上。随着半导体器件变得高度集成，图像传感器也会高度集成。结果，会减小单个像素的尺寸。
技术实现思路
专利技术构思的示例实施例针对提供一种具有改善的灵敏度的图像传感器。此外，专利技术构思的示例实施例针对一种制造具有改善的灵敏度的图像传感器的方法。根据一些示例实施例，提供了一种图像传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：/n基底，包括多个单元像素；/n堆叠结构，位于基底上；以及/n栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间，/n其中，栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧、非晶硅或多晶硅，并且上栅格图案包括导电材料。/n

【技术特征摘要】
20181010 KR 10-2018-01207561.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
基底，包括多个单元像素；
堆叠结构，位于基底上；以及
栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间，
其中，栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧、非晶硅或多晶硅，并且上栅格图案包括导电材料。


2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，下栅格图案具有1nm至20nm的厚度。


3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，上栅格图案包括第一上栅格图案和第二上栅格图案，第一上栅格图案和第二上栅格图案包括不同的材料。


4.如权利要求3所述的图像传感器，其中，第一上栅格图案包括导电材料，并且第二上栅格图案包括低折射率材料。


5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，第二上栅格图案的低折射率材料的折射率在1.0至1.3的范围内。


6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，栅格图案还包括在栅格图案的侧壁的下部中的凹的凹进。


7.如权利要求6所述的图像传感器，其中，下栅格图案的两个侧壁之间的最短宽度小于上栅格图案的两个侧壁之间的最短宽度。


8.如权利要求6所述的图像传感器，其中，上栅格图案的底表面通过凹进部分地暴露。


9.如权利要求1所述的图像传感器，其中，堆叠结构包括：
第一绝缘层，与基底接触，第一绝缘层包括氧化铝；
抗反射层，位于第一绝缘层上；以及
第二绝缘层，位于抗反射层上并且包括氧化硅。


10.如权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于第二绝缘层和栅格图案上...

【专利技术属性】
技术研发人员：林夏珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR