本发明专利技术涉及检测技术领域，具体的说是一种磁场切换回转件、磁场切换装置、光检测装置、保温装置，本发明专利技术提出的磁场切换回转件，包括用于放置微流控芯片的磁力件磁环，磁力件磁环包括至少一个磁力件和至少一个抵触部，本发明专利技术提供的磁场切换回转件无需外加电磁铁的线圈设置，满足固定式磁铁装置的需求；利用磁场切换装置，可轻易操控磁性粒子，大幅降低离心式微流控系统的复杂度，也可以配合微流控芯片上的多个工作区同时执行清洗、培育及混合步骤；光检测装置与磁场切换装置设置在同一模块中，降低了光检测的误差；包含磁场切换装置的保温装置，可为微流控芯片内的样本提供适宜的反应温度。
Rotating parts for magnetic field switching, magnetic field switching device, optical detection device and thermal insulation device
【技术实现步骤摘要】
磁场切换回转件、磁场切换装置、光检测装置、保温装置
本专利技术涉及生化、免疫及分子检测
，具体来说涉及一种磁场切换回转件、磁场切换装置、光检测装置及保温装置。
技术介绍
由于磁性粒子比表面积大且具有顺磁性，能在磁场作用下，迅速移动(聚合、分散)进而提高反应效率，增加检测灵敏度，常被应用于免疫及分子检测反应：将抗体/抗原结合于磁性粒子表面，操纵磁性粒子使其与样本进行培育、清洗、洗脱、反应等步骤。然而，应用磁性粒子于离心式微流控系统，碍于系统本身的驱动力(离心力、科氏力)，不易操纵磁性粒子于微流控反应槽内，以达到培育、清洗、反应等步骤。现有方式常以外加(固定式)永久磁铁或是(切换式)电磁铁来进行磁性粒子操控。固定式磁铁的位置摆放、切换式电磁铁的线圈设置，易增加离心式微流控系统的复杂度。现有的磁场切换装置往往只能支持微流控芯片的一个工作区，检测效率低。此外，现有的化学发光检测仪的光检测装置往往与微流控芯片的反应模块单独设置，过程中受环境因素和操作的影响，往往会导致检测结果的误差较大。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提出了一种磁场切换回转件、磁场切换装置、光检测装置、保温装置，采用磁场切换回转件来代替复杂的固定式磁铁；本专利技术提出的磁场切换装置，系利用简单的磁场切换装置来操控磁性粒子，并同时完成多个工作区的清洗及培育混合步骤；本专利技术提出的光检测装置利用设置在磁场切换回转件一侧的光检测装置实现微流控芯片中样本的快速检测；本专利技术提出的保温装置能够根据样本反应的实际需求提供适宜的反应温度。本专利技术提供一种磁场切换回转件，包括用于放置微流控芯片的磁力件磁环，所述磁力件磁环包括至少一个磁力件和至少一个抵触部；其中，磁力件用于操纵微流控芯片磁吸附区的磁性粒子；抵触部在外力作用下限制磁场切换回转件运动，以使得磁场切换回转件可相对于微流控芯片的磁吸附区运动，以切换所述磁力件相对于微流控芯片磁吸附区的位置，从而改变所述磁力件对磁吸附区的磁性粒子的磁力大小。优选地，抵触部为凸台。优选地，抵触部为凹陷部或圆柱。优选地，抵触部分布在磁力件磁环的外环圆周上。优选地，若干所述磁力件设置在所述磁力件磁环上的同一半径的圆周上。优选地，若干所述磁力件设置在磁力件磁环上具有不同半径的圆周上。优选地，所述磁力件磁环由透明材料制成。优选地，所述磁力件磁环包括至少一个发光检测区。优选地，所述发光检测区为通孔。优选地，所述发光检测区由玻璃、塑料或薄膜构成。优选地，发光检测区与磁力件成对设置，每一对发光检测区和磁力件与微流控芯片的一个工作区对应。本专利技术还涉及一种磁场切换装置，包括所述磁场切换回转件、盘片承座及磁力件拨杆模块，所述磁场切换回转件在所述盘片承座内旋转，磁力件拨杆模块接触磁力件磁环的抵触部，阻碍磁场切换回转件旋转，以切换所述磁力件相对微流控芯片磁吸附区的位置。优选地，盘片承座包括侧壁，所述侧壁上设置有限位区域，限位区域限制所述磁力件相对微流控芯片磁吸附区运动的位置范围。优选地，所述磁力件个数为n，限位区域限制所述磁力件相对微流控芯片磁吸附区运动的位置范围在-(360/2n)°到+(360/2n)°之间。优选地，所述限位区域设有检测装置，以检测抵触部在限位区域的所在位置。优选地，磁力件拨杆模块包括：拨杆、致动器、磁力件拨杆模块固定架、极限开关；磁力件拨杆模块固定架用于固定磁力件拨杆模块，致动器触发极限开关产生信号，信号触发以驱使拨杆接触并阻碍磁场切换回转件旋转，以切换所述磁力件相对微流控芯片磁吸附区的位置。本专利技术还涉及一种光检测装置，包括磁场切换装置和光检测探头，光检测装置设置在磁场切换装置一侧面以检测穿过发光检测区的光束的发光强度，所述光检测探头与光电倍增管相连。优选地，磁力件拨杆模块未接触磁力件磁环抵触部时，光检测探头位于发光检测区的正下方或正上方；磁力件拨杆模块接触抵触部并阻碍磁场切换回转件旋转时，光检测探头位于偏离发光检测区的下方或上方。优选地，所述磁力件磁环由透明材料制成，当所述磁力件拨杆模块未接触所述磁力件磁环抵触部时，光检测探头位于偏离磁力件下方或上方；磁力件拨杆模块接触抵触部并阻碍磁场切换回转件旋转，光检测探头位于磁力件的正下方或正上方。本专利技术还涉及一种保温装置，包括用于加温微流控芯片的温育本体，所述温育本体包括所述磁场切换装置。相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供一种磁场切换回转件、磁场切换装置、光检测装置及保温装置，磁场切换回转件包括用于放置微流控芯片的磁力件磁环，磁力件磁环上分布有磁力件和抵触部，抵触部在外力作用下限制磁场切换回转件旋转。本专利技术提出的磁场切换回转件，无需外加电磁铁的线圈设置，能大幅降低离心式微流控系统的复杂度。本专利技术提供的磁场切换装置包括磁场切换回传件、盘片承座和磁力件拨杆模块，磁场切换回转件在盘片承座内旋转，磁力件拨杆模块接触磁力件磁环抵触部并阻碍磁场切换回转件运动，以使得磁场切换回转件可相对于微流控芯片的磁吸附区运动，以切换所述磁力件相对于微流控芯片磁吸附区的位置。本专利技术提出的磁场切换装置可轻易操控磁性粒子，也可以配合微流控芯片上的多个工作区同时执行清洗及培育混合操作。本专利技术提供的光检测装置包括磁场切换装置和光检测探头，光检测装置设置在磁场切换装置一侧面以检测穿过发光检测区的光束的发光强度，光检测探头与光电倍增管相连。本专利技术提出的光检测装置与磁场切换装置设置在同一模块中，降低了光检测的误差。本专利技术提供的保温装置，包括用于加温微流控芯片的温育本体和磁场切换装置。本专利技术提出的保温装置可以根据样本的特殊性提供适宜的反应温度。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术的微流控芯片承座结构图；图3是本专利技术的磁力件拨杆结构示意图；图4是本专利技术的盘式微流控芯片说明图；图5是本专利技术的磁场切换回转件一种示意图；图6是本专利技术的磁切换装置中盘片承座与磁场切换回转件一种结构示意图；图7是本专利技术的磁切换装置中盘片承座与磁场切换回转件另一种结构示意图；图8是本专利技术光检测装置中光检测装置与磁力件磁环示意图；图9是本专利技术保温装置结构示意图。图中所示：101、旋转模块：11、伺服马达固定座，12、盘片承座固定架，13、盘片承座，14、磁力件磁环，15、压板，16、伺服马达，17、磁力件，18、发光检测区，19、抵触部，20、侧壁，21、限位区域，22、侧壁一侧，23、侧壁另一侧；102、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种磁场切换回转件，包括用于放置微流控芯片的磁力件磁环，其特征在于，所述磁力件磁环包括至少一个磁力件和至少一个抵触部；其中，/n磁力件用于操纵微流控芯片磁吸附区的磁性粒子；/n抵触部在外力作用下限制磁场切换回转件运动，以使得磁场切换回转件可相对于微流控芯片的磁吸附区运动，以切换所述磁力件相对于微流控芯片磁吸附区的位置，从而改变所述磁力件对磁吸附区的磁性粒子的磁力大小。/n
【技术特征摘要】
20181008 CN 20181116780981.一种磁场切换回转件，包括用于放置微流控芯片的磁力件磁环，其特征在于，所述磁力件磁环包括至少一个磁力件和至少一个抵触部；其中，
磁力件用于操纵微流控芯片磁吸附区的磁性粒子；
抵触部在外力作用下限制磁场切换回转件运动，以使得磁场切换回转件可相对于微流控芯片的磁吸附区运动，以切换所述磁力件相对于微流控芯片磁吸附区的位置，从而改变所述磁力件对磁吸附区的磁性粒子的磁力大小。
2.如权利要求1所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述抵触部为凸台。
3.如权利要求1所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述抵触部为凹陷部或圆柱。
4.如权利要求1或2所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述抵触部分布在磁力件磁环的外环圆周上。
5.如权利要求所述1的磁场切换回转件，其特征在于，若干所述磁力件设置在所述磁力件磁环上的同一半径的圆周上。
6.如权利要求1所述的磁场切换回转件，其特征在于，若干所述磁力件设置在所述磁力件磁环上具有不同半径的圆周上。
7.如权利要求1所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述磁力件磁环由透明材料制成。
8.如权利要求1所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述磁力件磁环包括至少一个发光检测区。
9.如权利要求8所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述发光检测区为通孔。
10.如权利要求8所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述发光检测区由玻璃、塑料或薄膜构成。
11.如权利要求8所述的磁场切换回转件，其特征在于，所述发光检测区与所述磁力件成对设置，每一对发光检测区和磁力件与微流控芯片的一个工作区对应。
12.一种磁场切换装置，其特征在于：包括如权利要求1所述磁场切换回转件、盘片承座及磁力件拨杆模块，所述磁场切换回转件在所述盘片承座内旋转，磁力件拨杆...
【专利技术属性】
技术研发人员：林佳慧，杨意枫，林秋利，张寒，
申请(专利权)人：苏州国科均豪生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。