一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，与正面电极对应设置，包括正面电极，包括：背电极面板和背电场面板，背电极面板和背电场面板均为五主栅结构，背电极面板包括设置在主栅线上的背电极，背电场面板包括设置在主栅线上的背电场，且背电极和背电场均分为四段；背电极位置与正面电极位置相对应，背电场对应套印覆盖于背电极上；每段背电场的两端均设置有端部镂空。本发明专利技术通过使用该镂空的背面图形设计，可降低背银背铝纵向局部区域的背铝湿重，减小由于背银背铝纵向叠加，造成的背银背铝高度差，从而有效改善由于背银背铝高度差造成焊带难以与背银良好接触导致组件虚焊的情况。

A back electric field stencil with four segment back electrodes for improving the faulty soldering of components and its application

【技术实现步骤摘要】
一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版及其应用
本专利技术涉及太阳能电池
，更具体的说是涉及一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版及其应用。
技术介绍
太阳电池背面印刷的材料有铝浆和银浆，铝浆的作用是钝化太阳电池的背面P区，形成BSF层的背电场，收集电子，吸收透过电池片的长波，同时钝化表面，提高电池片Uoc及Isc；背电极起到将背电场收集的少子汇集输出且与焊带有良好接触，可以保证背面拉力的作用。目前硅太阳电池背电极和背电场图形常规设计为四分段分段，背电极背电场横向纵向区域都有重叠。这种结构存在如下缺点：背电极与背电场的纵向重叠会使得背银背铝的高度差增加，焊带在焊接的过程中由于张力的问题无法很好的与背银形成良好的接触，最终导致组件的虚焊增加。以上不合理设计最终导致组件端的良率下降，生产制造的成本的增加。因此，如何研究出一种能够降低成本且改善组件虚焊四分段背电极背电场网版及其应用的是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版及其应用，能有效现有技术对晶硅背电极和背电场图形设计存在的问题，有效降低成本。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，与正面电极对应设置，包括：背电极面板和背电场面板，所述背电极面板和所述背电场面板均为五主栅结构，所述背电极面板包括设置在主栅线上的背电极，所述背电场面板包括设置在主栅线上的背电场，且所述背电极和所述背电场均分为四段；所述背电极位置与所述正面电极位置相对应，所述背电场对应套印覆盖于所述背电极上；每段所述背电场的两端均设置有端部镂空。优选的，每条主栅线上的所述背电极均包括四个相同的单体背电极，每条主栅线上的所述背电场均包括四个相同的单体背电场，且所述单体背电场通过丝网印刷于所述单体背电极之上，所述端部镂空设置于所述单体背电场的两端。优选的，每个所述单体背电极的宽度为3.0±0.3mm，两个相邻的所述单体背电极的中心之间的距离为31.2±0.1mm。优选的，每个所述单体背电场的宽度为1.70±0.1mm，两个相邻的所述单体背电场的中心之间的距离为31.2±0.1mm。优选的，所述单体背电极长度为12±2mm，所述单体背电场长度为12.8±2mm。优选的，所述端部镂空宽度为3.0±0.3mm，长度为5±2mm，所述端部镂空的内部为孔状镂空设计。一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版的应用，其特征在于，应用于太阳能电池板。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版及其应用，运用该网版，通过使用该网版的镂空背面图形设计，可降低太阳能电池背银背铝纵向局部区域的背铝湿重，减小由于背银背铝纵向叠加，造成的背银背铝高度差，从而有效改善由于背银背铝高度差造成焊带难以与背银良好接触导致组件虚焊的情况。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1附图为本专利技术提供的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版局部放大结构示意图；图2附图为本专利技术提供的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版中的端部镂空的放大结构示意图；图3附图为本专利技术提供的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版的背电极整体结构示意图；图4附图为本专利技术提供的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版的整体结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例公开了一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，与正面电极对应设置，包括正面电极，如图1所示，包括：背电极面板和背电场面板，背电极面板和背电场面板均为五主栅结构，背电极面板包括设置在主栅线上的背电极，背电场面板包括设置在主栅线上的背电场，且背电极和背电场均分为四段；背电极位置与正面电极位置相对应，背电场对应套印覆盖于背电极上；每段背电场的两端均设置有端部镂空。为了进一步优化上述技术方案，每条主栅线上的背电极均包括四个相同的单体背电极，每条主栅线上的背电场均包括四个相同的单体背电场，且单体背电场通过丝网印刷于单体背电极之上，端部镂空设置于单体背电场的两端。为了进一步优化上述技术方案，每个单体背电极的宽度W1为3.0±0.3mm，两个相邻的单体背电极的中心之间的距离W2为31.2±0.1mm。为了进一步优化上述技术方案，每个单体背电场的宽度W1-1为1.70±0.1mm，两个相邻的单体背电场的中心之间的距离W2为31.2±0.1mm。为了进一步优化上述技术方案，单体背电极长度L1为12±2mm，单体背电场L1-1长度为12.8±2mm。为了进一步优化上述技术方案，端部镂空宽度W1为3.0±0.3mm，长度L1-2为5±2mm，端部镂空的内部为孔状镂空设计，如图2所示。实施例1：如图3和图4所示，本实施例所公开的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，包括20段五条单体背电极及单体背电场，单体背电极被单体背电场覆盖。为实现降本增效，将背电极、背电场分为四等分，单体背电极宽度W1为3mm；单体背电极长度L1为11mm，单体背电场的宽度W1-1为1.7mm，单体背电场的长度L1-1为11.8mm，背场镂空区域宽度W1为3mm，长度L1-2为6mm。经过测试验证，背电级背电场湿重基本一致：经过测试验证，转换效率提升0.036％，且开压和FF有所提升：经过测试验证，镂空设计背极背场高度差降低40％，组件虚焊明显降低，良率提升：本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，与正面电极对应设置，其特征在于，包括：背电极面板和背电场面板，所述背电极面板和所述背电场面板均为五主栅结构，所述背电极面板包括设置在主栅线上的背电极，所述背电场面板包括设置在主栅线上的背电场，且所述背电极和所述背电场均分为四段；/n所述背电极位置与所述正面电极位置相对应，所述背电场对应套印覆盖于所述背电极上；/n每段所述背电场的两端均设置有端部镂空。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，与正面电极对应设置，其特征在于，包括：背电极面板和背电场面板，所述背电极面板和所述背电场面板均为五主栅结构，所述背电极面板包括设置在主栅线上的背电极，所述背电场面板包括设置在主栅线上的背电场，且所述背电极和所述背电场均分为四段；
所述背电极位置与所述正面电极位置相对应，所述背电场对应套印覆盖于所述背电极上；
每段所述背电场的两端均设置有端部镂空。


2.根据权利要求1所述的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，其特征在于，每条主栅线上的所述背电极均包括四个相同的单体背电极，每条主栅线上的所述背电场均包括四个相同的单体背电场，且所述单体背电场通过丝网印刷于所述单体背电极之上，所述端部镂空设置于所述单体背电场的两端。


3.根据权利要求2所述的一种改善组件虚焊的四分段背电极背电场网版，其特征在于，每个所述单体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海志，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：山西;14